[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610920917.2 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107017224B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 草野健一郎 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供即使将熔断元件切断也能够抑制短路的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置(10)具备：熔断元件(14C)；以及熔断窗(20)，其在包括熔断元件(14C)的区域上形成，且具有沿着熔断元件(14C)中流动的电流(I)的方向的第一方向的一对第一侧壁亦即侧壁(20A)，以及沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的一对第二侧壁亦即侧壁(20B)，在侧壁(20A)以及侧壁(20B)的至少一方的内壁形成有从侧壁侧向内侧突出，并且使侧壁侧的宽度L1比突出侧的宽度(L2)窄的突起(22)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：熔断元件；以及熔断窗，其在包括上述熔断元件的区域上形成，且具有沿着第一方向延伸的一对第一侧壁和沿着与上述第一方向交叉的第二方向延伸的一对第二侧壁，其中，上述第一方向是沿着上述熔断元件中流动的电流的方向，在上述第一侧壁以及上述第二侧壁的至少一方的内壁形成有从侧壁侧向内侧突出且使侧壁侧的宽度比突出侧的宽度窄的突起。
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