[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供即使将熔断元件切断也能够抑制短路的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置(10)具备：熔断元件(14C)；以及熔断窗(20)，其在包括熔断元件(14C)的区域上形成，且具有沿着熔断元件(14C)中流动的电流(I)的方向的第一方向的一对第一侧壁亦即侧壁(20A)，以及沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的一对第二侧壁亦即侧壁(20B)，在侧壁(20A)以及侧壁(20B)的至少一方的内壁形成有从侧壁侧向内侧突出，并且使侧壁侧的宽度L1比突出侧的宽度(L2)窄的突起(22)。

技术领域

本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

一般而言存在一种设置熔断元件的半导体装置。在该半导体装置中，包含熔断元件的区域被保护膜封盖。难以从保护膜上贯通保护膜地将熔断元件切断。因此，在该半导体装置中，在熔断元件上形成有熔断窗。

在图13所示的以往的半导体装置100的一个例子中，在熔断元件114C上形成有矩形状的熔断窗120。在金属层114上作为保护膜层叠有硅氧化膜116以及硅氮化膜118。

在图13所示的状态中，因为熔断元件114C未被切断，所以电流I从金属层114A流向金属层114B。

在将熔断元件114C切断的情况下，使用激光等将熔断窗120内的熔断元件114C切断。

另一方面，在专利文献1记载有在熔断窗设置向内部突出的突起部(凸部)，将该突起部用于切断熔断元件的激光束的定位的技术。

专利文献1：日本特开2011－232161号公报

在图13所示的以往的半导体装置100中，切断熔断元件114C时产生的升华物作为附着物115附着于图14所示熔断窗120的侧壁的内侧。在图14所示以往的半导体装置100中，由于在熔断窗120的侧壁的内侧整体附着有附着物115，所以通过该附着物115形成有供电流I流动的电流路径(所谓的泄漏路径)。因此，存在尽管切断了熔断元件114C，但是金属层114A与金属层114B电导通而导致短路这一问题。

针对上述问题，例如，即使应用了专利文献1记载的技术，在专利文献1记载的技术中设置突起部的目的不同，为了用于激光束的定位，必须使突起部的形状变大，因此，熔断窗的形状也变大。另外，在专利文献1记载的技术中，仅记载有作为激光束的定位使用突起，对于解决上述问题而言是不充分的。

发明内容

本发明是为了解决上述的问题而提出的，其目的在于提供能够抑制尽管切断了熔断元件但短路的半导体装置以及半导体装置的制造方法。

为了实现上述目的，本发明的半导体装置具备：熔断元件；以及熔断窗，其在包括上述熔断元件的区域上形成，且具有沿着上述熔断元件中流动的电流的方向的第一方向延伸的一对第一侧壁，以及沿着与上述第一方向交叉的第二方向延伸的一对第二侧壁，在上述第一侧壁以及上述第二侧壁的至少一方的内壁形成有从侧壁侧向内侧突出，并且使侧壁侧的宽度比突出侧的宽度窄的突起。

另外，本发明的半导体装置具备：熔断元件；以及熔断窗，其在包括上述熔断元件的区域上形成，并且具有沿着第一方向延伸的一对第一侧壁，以及沿着与上述第一方向交叉的第二方向延伸的一对第二侧壁，其中，上述第一方向是沿着上述熔断元件中流动的电流的方向，在上述第一侧壁以及上述第二侧壁的至少一方的内壁形成有从侧壁侧向内侧突出，并且使侧壁侧的宽度比从侧壁端部到突起的侧壁的长度短并且与内侧的宽度一致的突起。