[发明专利]晶圆级半导体封装件及其制造方法在审
申请号: | 201610879713.9 | 申请日: | 2011-02-22 |
公开(公告)号: | CN106449547A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 约翰·R·杭特 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/29;H01L23/488;H01L23/498;H01L25/10;H01L21/56 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 中国台湾高雄 *** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种晶圆级半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括半导体芯片、导通元件、封装体以及上重布层。半导体芯片具有主动面。导通元件位于该半导体芯片周围,且该导通元件具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面。封装体包覆部分的该半导体芯片及部分的该导通元件,该封装体具有第三表面及相对该第三表面的第四表面,其中该导通元件突出于该第四表面。上重布层形成于该第一表面及该第三表面,且电性连接该导通元件与该半导体芯片。 | ||
搜索关键词: | 晶圆级 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体封装件,包括:半导体芯片,具有主动面;导通元件,位于该半导体芯片周围,且该导通元件具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面;封装体,包覆部分的该半导体芯片及部分的该导通元件,该封装体具有第三表面及相对该第三表面的第四表面,其中该导通元件突出于该第四表面;以及上重布层,形成于该第一表面及该第三表面,且电性连接该导通元件与该半导体芯片。
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