[发明专利]自对准多重图案化的半导体元件及其工艺有效

申请号：	201610853163.3	申请日：	2016-09-27
公开（公告）号：	CN107293548B	公开（公告）日：	2019-11-26
发明（设计）人：	洪钰珉;李建颖;韩宗廷	申请（专利权）人：	旺宏电子股份有限公司
主分类号：	H01L27/11521	分类号：	H01L27/11521;H01L21/3213;H01L21/311
代理公司：	11021 中科专利商标代理有限责任公司	代理人：	任岩<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址：	中国台湾新竹***	国省代码：	中国台湾;TW
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摘要：	一种自合并轮廓(self‑merging profile，SMP)方法以制造半导体元件以及使用SMP方法所制造的元件。在例示性实施例中，提供一种半导体元件。例示性半导体元件包括(a)多条导线、(b)多个导电接垫、(c)多个虚拟尾部以及(d)多个闭环。各导电接垫与导线中之一、虚拟尾部中之一以及闭环中之一连接。在例示性实施例中，所形成的虚拟尾部与闭环为用于制造导线与导电接垫的工艺残留物。
搜索关键词：	对准多重图案半导体元件及其工艺
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【主权项】：

1.一种半导体元件，包括：/n多条导线；/n多个导电接垫；/n多个虚拟尾部；以及/n多个闭环，其中所述闭环包括第一闭环以及与第一闭环相邻的第二闭环；/n其中各所述导电接垫与所述导线中之一、所述虚拟尾部中之一以及所述闭环中之一连接，且所述第一闭环与第二闭环位于对应的导电接垫之间。/n

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