[发明专利]一种高介电常数、低介电损耗低温相变化合物制备方法及其应用有效

专利信息
申请号: 201610471688.0 申请日: 2016-06-24
公开(公告)号: CN106146520B 公开(公告)日: 2017-12-29
发明(设计)人: 陈立庄;曹星星;潘其建 申请(专利权)人: 江苏科技大学
主分类号: C07D487/08 分类号: C07D487/08;C09K5/06
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 代理人: 黄天天
地址: 212003*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于相变材料领域,公开了一种高介电常数的低温相变化合物、制备方法及其应用。所述相变化合物的化学式为C8H17N2Br4Zn。室温时,将含Zn2+的可溶性相变化合物和三乙烯二胺衍生物放入烧杯中,在蒸馏水中充分搅拌混合,通过室温缓慢挥发溶液结晶自组装制得。该类高介电相变材料有着很好的储存电能和均匀电场的性能,广泛应用于高储能电容器(特别是嵌入式电容器)和电缆终端材料等领域。本发明的高介电低温相变性质的相变化合物,所采用的材料制备工艺简单、易操作、原料来源充足、生产成本低、产率高以及重复性好;不易溶于一般的溶剂,热分解温度点相对较高,晶体颗粒均匀。
搜索关键词: 一种 介电常数 低介电 损耗 低温 相变 化合物 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
一种高介电常数低温相变化合物,其特征在于:所述相变化合物的化学式为C8H17N2Br4Zn,其结构式如下:
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