[发明专利]提高硅晶片外延层表面平整度的方法在审
| 申请号： | 201610278896.9 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107331610A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高硅晶片外延层表面平整度的方法，包括将薄圆板状的单晶硅锭的切片依次进行湿法蚀刻、研磨、抛光；采用检测单元检测待处理的硅晶片表面凹凸状况；依据所述凹凸状况的数据，计算并获得硅晶片分区温度控制分布图；依据所述分布图，以分区电阻加热并控制该硅晶基板的温度，并以等离子体干法蚀刻将该硅晶片平坦化；及进行最终抛光；其中，在所述硅晶片表面进行外延以生长外延晶片时，对所得外延晶片片整体表面进行表面平坦度测量，该硅晶片表面平坦度的纳米形貌小于25nm。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 晶片 外延 表面 平整 方法 | ||
【主权项】：
一种提高硅晶片外延层表面平整度的方法，包括：将单晶硅锭切片得到的硅晶片依次进行湿法蚀刻、研磨及抛光；检测待处理的硅晶片表面的凹凸状况；依据所述凹凸状况的数据，计算并获得温度控制的分布图；依据所述分布图，分区加热并分区控制所述硅晶片的温度，并以干法蚀刻进行平坦化；抛光所述硅晶片；以及在所述硅晶片表面形成外延层；其中，对所得外延硅晶片整体表面进行表面平坦度测量，所述外延硅晶片表面平坦度的纳米形貌小于25nm。
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- 本发明提供了一种磁场辅助化学刻蚀的方法，包括，S1、将半导体材料进行涂胶光刻处理，得到待刻蚀材料；S2、将待刻蚀材料放入刻蚀液中，于强度为1kOe－2kOe的磁场强度下进行刻蚀；本发明还提供了一种磁场辅助化学刻蚀的装置，包括，溶液瓶，用以容纳刻蚀液和待刻蚀材料；磁场激发装置，设置于所述溶液瓶的外部，用以提供稳定的磁场，通过在常规化学刻蚀外加上磁场，使刻蚀溶液中阴阳离子沿一定方向运动，实现定向刻蚀，降低对保留图形的侧面损伤，并且可加速离子运动，提升刻蚀速率，操作简便，成本低，且可以实现现阶段所有常见半导体芯片的定向化学刻蚀，应用范围广泛。
- 一种刻蚀方法以及阵列基板制作方法-201710380536.4
- 谌泽林;杨晓峰;刘学光;柴铭志;杨钟;吕建伟;蒋凯;陈时洪 - 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
- 2017-05-25 - 2019-06-07 - H01L21/306
- 一种刻蚀方法和阵列基板制作方法。该刻蚀方法应用于依次包括第一层、第二层、第三层的基板，包括：在所述第三层形成过孔图形暴露所述第二层后，使用对所述第三层的刻蚀率小于对所述第二层的刻蚀率的第一刻蚀方法对所述基板进行第一次刻蚀，且使得所述第二层被刻蚀掉的厚度小于所述第二层的初始厚度；在所述第一次刻蚀后，使用对所述第三层的刻蚀率大于对所述第二层的刻蚀率的第二刻蚀方法对所述基板进行第二次刻蚀以暴露出所述第一层。本申请提供的方案，可以提升产能和良率。
- 一种去除硅片表面二氧化硅膜的装置及方法-201910104680.4
- 刘九江;刘顺玲;李诺;谭咏麟 - 天津中环领先材料技术有限公司
- 2019-02-01 - 2019-05-31 - H01L21/306
- 本发明提供了一种去除硅片表面二氧化硅膜的装置及方法，属于半导体测试设备领域，包括氢氟酸溶剂瓶、混合气体箱、雾化器和反应箱，氢氟酸溶剂瓶通过第一管路与雾化器的进口连通，雾化器的出口设在混合气体箱内部且二者密封设置，氢氟酸溶剂瓶的上端设有与其内部连通的进气管，进气管与外部的氮气供应装置的连通，进气管通过第二管路与混合气体箱连通，混合气体箱通过第三管路与反应箱连通，第三管路上设有混合气开关，反应箱上设有出气口。本发明可避免去除二氧化硅膜时沾污硅片本身，同时可使用电感耦合等离子质谱仪对SiO2膜内金属离子进行定量分析，对背封工艺工序进行有效的金属监控。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
