[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201610268753.X | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106129026B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 陈语同;林建名;许传进;何志伟;何彦仕 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L23/52;H01L23/31;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包含第一基底、第二基底、间隔层、光阻层与导电层。第一基底具有焊垫。第二基底具有通孔、壁面及相对的第一表面与第二表面，通孔贯穿第一表面与第二表面，壁面围绕通孔，且焊垫对齐通孔。间隔层位于第一基底与第二基底的第二表面之间，至少部分的间隔层往通孔的方向凸出。光阻层位于第二基底的第一表面与壁面上、凸出通孔的间隔层上、及焊垫与凸出通孔的间隔层之间。导电层位于光阻层上与焊垫上。本发明可使得导电层不易于间隔层与焊垫之间悬空，以避免断裂，且省略已知的氧化层，从而节省了有关氧化层的化学气相沉积制程及蚀刻制程的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：第一基底，具有焊垫；第二基底，具有通孔、壁面及相对的第一表面与第二表面，其中该通孔贯穿该第一表面与该第二表面，该壁面围绕该通孔，且该焊垫对齐该通孔；间隔层，位于该第一基底与该第二基底的该第二表面之间，至少部分的该间隔层往该通孔的方向凸出；光阻层，位于该第二基底的该第一表面与该壁面上、凸出该通孔的该间隔层上、及该焊垫与凸出该通孔的该间隔层之间；以及导电层，位于该光阻层上与该焊垫上。
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