[发明专利]具有多栅FinFET的半导体器件及其制造方法及电子设备有效
| 申请号： | 201610082149.8 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105742362B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;朱正勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该半导体器件的电子设备，其中该半导体器件包括第一FinFET和负电容，第一FinFET包括：在衬底上形成的第一鳍；在衬底上第一鳍的第一侧形成的与第一鳍相交的第一栅；和在衬底上第一鳍的与第一侧相对的第二侧形成的与第一鳍相交且与第一栅极相对的第二栅，其中，第一栅和第二栅隔着第一鳍而彼此分开，在第一鳍的顶端形成有第一穿通阻止层，负电容器与第一FinFET的第二栅相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 finfet 半导体器件 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括第一FinFET和负电容，第一FinFET包括：在衬底上形成的第一鳍；在衬底上第一鳍的第一侧形成的与第一鳍相交的第一栅；和在衬底上第一鳍的与第一侧相对的第二侧形成的与第一鳍相交且与第一栅极相对的第二栅，其中，第一栅和第二栅隔着第一鳍而彼此分开，在第一鳍的顶端形成有第一穿通阻止层，负电容器与第一FinFET的第二栅相连接。
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