[发明专利]半导体元件及其制作方法

摘要

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含有一基底、一包含有一第一导电型态的第一阱区、一包含有一第二导电型态的第二阱区、一第一鳍片结构、以及一第二鳍片结构。该第一导电型态与该第二导电型态彼此互补。该基底包含有一第一半导体材料，该第一鳍片结构与该第二鳍片结构包含有该第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数大于该第一半导体材料的一晶格常数。该第一鳍片结构内的该第一半导体材料包含有一第一浓度，该第二鳍片结构内的该第一半导体材料包含有一第二浓度，且该第二浓度大于该第一浓度。

主权项

一种半导体元件，包括：基底，该基底包含有一第一半导体材料；第一阱区，形成在该基底内，且该第一阱区包含有一第一导电型态；第二阱区，形成在该基底内，该第二阱区包含有一第二导电型态，且该第一导电型态与该第二导电型态彼此互补；第一鳍片结构，形成在该第一阱区上，该第一鳍片结构包含有该第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数大于该第一半导体材料的一晶格常数，且该第一鳍片结构内的该第一半导体材料包含有一第一浓度；以及第二鳍片结构，形成在该第二阱区上，该第二鳍片结构包含有该第一半导体材料与该第二半导体材料，该第二鳍片结构内的该第一半导体材料包含有一第二浓度，且该第二浓度大于该第一浓度。