[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201580066323.3 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN107004662B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 林英二;小林涉;野村英司;神田和辉 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/40 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 胡建新;朴勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置具备：半导体芯片(11、11H、11L)，在一面(11a)具有电极(12)；上述半导体芯片的一面侧的第1导电部件(23、23H、23L)；金属部件(18、18H、18L)，具有基材(19a)和被膜(19b)，并夹设于上述半导体芯片与上述第1导电部件之间；上述半导体芯片的电极与上述金属部件之间的第1焊料(17)；以及上述金属部件与上述第1导电部件之间的第2焊料(22)。上述被膜具有上述基材的表面上的金属薄膜(20)和凹凸氧化膜(21、31、32)。上述凹凸氧化膜在上述金属部件的表面中的、将上述第1焊料所连接的第1连接区域(18d)与上述第2焊料所连接的第2连接区域(18e)相连的连接区域(18f)的至少一部分，配置在上述金属薄膜上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：半导体芯片(11、11H、11L)，在一面(11a)具有电极(12)；第1导电部件(23、23H、23L)，被配置在上述半导体芯片的一面侧；金属部件(18、18H、18L)，具有使用金属材料而形成的基材(19a)、以及形成于上述基材的表面的被膜(19b)，并夹设于上述半导体芯片与上述第1导电部件之间；第1焊料(17)，被配置在上述半导体芯片的电极与上述金属部件之间，连接上述电极与上述金属部件；以及第2焊料(22)，被配置在上述金属部件与上述第1导电部件之间，连接上述金属部件与上述第1导电部件，上述被膜具有：金属薄膜(20)，形成在上述基材的表面；以及表面连续地呈凹凸的凹凸氧化膜(21、31、32)，是与上述金属薄膜的主要成分的金属相同的金属的氧化物，在上述金属部件的表面中的将上述第1焊料所连接的第1连接区域(18d)与上述第2焊料所连接的第2连接区域(18e)相连的连接区域(18f)的至少一部分，上述凹凸氧化膜被配置在上述金属薄膜上，以抑制上述第1焊料和第2焊料中的一方流入到另一方，上述凹凸氧化膜在将上述第1连接区域(18d)与上述第2连接区域(18e)相连的方向上连续地形成。
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