[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体芯片(11、11H、11L)，在一面(11a)具有电极(12)；

第1导电部件(23、23H、23L)，被配置在上述半导体芯片的一面侧；

金属部件(18、18H、18L)，具有使用金属材料而形成的基材(19a)、以及形成于上述基材的表面的被膜(19b)，并夹设于上述半导体芯片与上述第1导电部件之间；

第1焊料(17)，被配置在上述半导体芯片的电极与上述金属部件之间，连接上述电极与上述金属部件；以及

第2焊料(22)，被配置在上述金属部件与上述第1导电部件之间，连接上述金属部件与上述第1导电部件，

上述被膜具有：金属薄膜(20)，形成在上述基材的表面；以及表面连续地呈凹凸的凹凸氧化膜(21、31、32)，是与上述金属薄膜的主要成分的金属相同的金属的氧化物，

在上述金属部件的表面中的将上述第1焊料所连接的第1连接区域(18d)与上述第2焊料所连接的第2连接区域(18e)相连的连接区域(18f)的至少一部分，上述凹凸氧化膜被配置在上述金属薄膜上，以抑制上述第1焊料和第2焊料中的一方流入到另一方，

上述凹凸氧化膜在将上述第1连接区域(18d)与上述第2连接区域(18e)相连的方向上连续地形成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述凹凸氧化膜是激光照射膜。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述金属薄膜包含Ni作为主要成分。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

上述金属薄膜是镀覆膜。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

上述金属薄膜是无电镀覆膜。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述金属部件的表面中的与上述第1导电部件对置的第1对置面(18a)具有上述第2连接区域和包围该第2连接区域的外周区域(18h)，

在与上述一面正交的方向上，上述外周区域与上述第1导电部件的对置距离比上述第2连接区域与上述第1导电部件的对置距离长，

上述凹凸氧化膜被配置在上述外周区域。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

上述金属部件呈上述第2连接区域相对于上述外周区域突出的凸形状。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述金属部件具有：第1对置面(18a)，包含上述第2连接区域，并与上述第1导电部件对置；第2对置面(18b)，包含上述第1连接区域，并与上述半导体芯片对置；以及侧面(18c)，将上述第1对置面与上述第2对置面相连，

上述凹凸氧化膜被配置在上述侧面。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

上述凹凸氧化膜被配置在上述侧面中的从上述第1对置面侧的端部起的规定范围内。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

上述侧面具有：第1侧面部(18c1)，是从上述第1对置面侧的端部至规定范围的部分；以及第2侧面部(18c2)，是上述第1侧面部与上述第2对置面之间的部分，并呈向外侧凸起的曲线形状，

上述第2侧面部与上述第2对置面一起构成上述第1连接区域，

上述凹凸氧化膜仅配置在上述侧面中的上述第1侧面部。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

上述凹凸氧化膜被配置在上述侧面的整周上。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述凹凸氧化膜以包围上述第2焊料的方式还被配置在上述第1导电部件中的与上述金属部件对置的对置面(23a)。