[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

半导体装置具备：半导体芯片(11、11H、11L)，在一面(11a)具有电极(12)；上述半导体芯片的一面侧的第1导电部件(23、23H、23L)；金属部件(18、18H、18L)，具有基材(19a)和被膜(19b)，并夹设于上述半导体芯片与上述第1导电部件之间；上述半导体芯片的电极与上述金属部件之间的第1焊料(17)；以及上述金属部件与上述第1导电部件之间的第2焊料(22)。上述被膜具有上述基材的表面上的金属薄膜(20)和凹凸氧化膜(21、31、32)。上述凹凸氧化膜在上述金属部件的表面中的、将上述第1焊料所连接的第1连接区域(18d)与上述第2焊料所连接的第2连接区域(18e)相连的连接区域(18f)的至少一部分，配置在上述金属薄膜上。

关联申请的相互参照

本申请基于2014年12月10日申请的日本专利申请号2014－250186号、以及2015年5月14日申请的日本专利申请号2015―99403号、以及2015年11月13日申请的日本专利申请号2015―223330号，在此引用其记载内容。

技术领域

本公开涉及在半导体芯片的一面侧经由金属部件配置有第1导电部件、形成于一面的电极与金属部件通过第1焊料连接、并且金属部件与第1导电部件通过第2焊料连接而成的半导体装置以及其制造方法。

背景技术

例如如专利文献1所示，已知有在半导体芯片(半导体元件)的一面侧经由金属部件(块体)配置有第1导电部件(第2金属板)、形成于一面的电极与金属部件通过第1焊料连接、并且金属部件与第1导电部件通过第2焊料连接而成的半导体装置。

在该半导体装置中，在半导体芯片中的与一面相反的背面侧配置有第2导电部件(第1金属板)，形成于背面的电极与第2导电部件利用第3焊料连接。另外，利用密封树脂体(模制树脂)将半导体芯片密封，各导电部件的表面中的与半导体芯片相反的面成为从密封树脂体露出的散热面。半导体装置形成了能够将半导体芯片的热量向两面侧进行散热的两面散热构造。

如上述那样，在金属部件夹设于半导体芯片与第1导电部件之间的构成中，配置于半导体芯片与金属部件之间的第1焊料在回流时在金属部件的表面浸润扩展，存在流入第2焊料侧的隐患。另外，配置于金属部件与第1导电部件之间的第2焊料在回流时在金属部件的表面浸润扩展，存在流入第1焊料侧的隐患。

在这种情况下，一方的焊料相对于所希望的量变多，另一方的焊料相对于所希望的量变少。因此，担心产生焊料量增加所导致的短路、焊料量减少所导致的焊料寿命降低、焊料溢出所导致的生产设备污染等不良情况。

另外，已知在第1焊料与电极所成的角度为钝角的情况下，与成为锐角的情况相比，热应力变大。例如若第2焊料流入第1焊料侧，第1焊料的量增加，则担心由于热应力导致电极产生裂缝。

特别是，在上述两面散热构造的半导体装置中，为了分别在两面侧配置冷却器，需要管理散热面间的距离。因此，在半导体芯片的厚度方向上，为了吸收各部件的高度的偏差，增多第2焊料而进行回流。因此，在回流时，存在第2焊料在金属部件的表面浸润扩展并流入第1焊料侧的隐患。即，存在第1焊料与一面的电极所成的角度成为钝角的隐患。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007－103909号公报

发明内容

本公开的目的在于提供一种能够抑制第1焊料以及第2焊料中的一方朝向另一方浸润扩展的半导体装置及其制造方法。