[发明专利]用于嵌入式半导体芯片和功率转换器的硅封装有效
| 申请号： | 201580059661.4 | 申请日： | 2015-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN107078116B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | O·J·洛佩兹;J·A·纳奎尔;T·葛瑞布斯;S·J·莫洛伊 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在所描述的示例中，封装晶体管器件(100)包括半导体芯片(101)，其包括具有分布在第一芯片侧和相对的第二芯片侧上的端子的晶体管；以及被配置为脊部(111)的低级硅(l‑g‑Si)的平板(110)，该脊部构成包括适于容纳芯片的凹陷中心区域的凹部，该脊部具有在第一平面中的第一表面，并且该凹陷中心区域具有在第二平面中的第二表面，该第二平面与第一平面间隔开至少等于芯片厚度的深度(112)，该脊部由器件端子(120、121)覆盖，该器件端子连接到附接有第一芯片侧的端子的中心区域中的附接焊盘，使得相对的第二芯片侧的端子(103)与平板脊部上的器件端子共面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 嵌入式 半导体 芯片 功率 转换器 封装 | ||
【主权项】：
一种封装晶体管器件，其包括：具有厚度的半导体芯片，所述芯片包括具有分布在第一芯片侧和相对的第二芯片侧上的端子的晶体管；低级硅即l‑g‑Si的平板，其一侧被绝缘层覆盖并被配置为构成凹部的脊部，所述凹部包括适于容纳所述芯片的凹陷的中心区域，所述脊部具有在第一平面中的第一表面并且所述凹陷的中心区域具有在第二平面中的第二表面，所述第二平面与所述第一平面间隔开至少等于所述芯片厚度的深度，所述脊部由被配置为器件端子的金属层覆盖，并且所述中心区域由被配置为所述晶体管端子的附接焊盘的金属层覆盖；以及所述第一芯片侧的所述端子附接到所述中心平板区域的所述焊盘，使得所述相对的第二芯片侧的所述端子与所述平板脊部上的所述器件端子共面，其中所述平板用作所述晶体管器件的所述封装。
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