[发明专利]半导体封装互连及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201580048017.7 申请日: 2015-09-25
公开(公告)号: CN106688094B 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: D·W·金;J·S·李;H·B·蔚;Y·K·宋;C-K·金;K-P·黄;S·顾 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/538;H01L21/60;H01L21/48
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈炜;袁逸
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 根据本公开的一些示例的一种半导体封装可包括:在一侧上具有第一重分布层(150)的基底(110)、在与第一重分布层相对侧上附连到该基底的第一(120)和第二(130)并排管芯、附连到第一和第二管芯的有源侧以在第一和第二管芯之间提供互连的中介体(140)、从第一和第二管芯延伸到该封装的与第一重分布层相对的表面上的第二重分布层(170)的多个管芯通孔(180,181)、以及在第一和第二重分布层之间延伸穿过该封装的多个封装通孔(182)。
搜索关键词: 半导体 封装 互连 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体封装,包括:基底,所述基底具有第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧;在所述基底的所述第一侧上的第一重分布层,所述第一重分布层被配置成将所述基底与外部器件耦合;附连到所述基底的所述第二侧的第一管芯,所述第一管芯的有源侧背离所述基底;附连到所述基底的所述第二侧的第二管芯,所述第二管芯毗邻于所述第一管芯,所述第二管芯的有源侧背离所述基底;中介体,所述中介体附连到所述第一管芯的有源侧和所述第二管芯的有源侧;封装层,所述封装层封装所述基底的所述第二侧、所述第一管芯、所述第二管芯、以及所述中介体;耦合到所述第一管芯的第一多个通孔;耦合到所述第二管芯的第二多个通孔,所述第一多个通孔和所述第二多个通孔部分地延伸穿过所述封装层;以及第三多个通孔,所述第三多个通孔延伸穿过所述封装层和所述基底。
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