[发明专利]单晶金刚石、制造单晶金刚石的方法和包含单晶金刚石的工具在审
| 申请号： | 201580032164.5 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN106460226A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 西林良树;辰巳夏生;角谷均;植田晓彦;小林丰 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;住友电工硬质合金株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;B23B27/14;B23B27/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供单晶金刚石、制造所述单晶金刚石的方法以及包含所述金刚石的工具，所述单晶金刚石以均衡方式提高了硬度和耐缺损性。单晶金刚石含有氮原子，且所述单晶金刚石中的孤立置换型氮原子的数目对所述单晶金刚石中的氮原子总数之比为0.02％以上且低于40％。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 制造 方法 包含 工具 | ||
【主权项】：
一种含有氮原子的单晶金刚石，其中，所述单晶金刚石中的孤立置换型氮原子的数目对所述单晶金刚石中的氮原子总数之比为0.02％以上且低于40％。
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- 本发明公开了一种交叉拼接生长大面积单晶金刚石的方法，n个单晶金刚石拼接，n为大于等于2的正整数；其中，两两相邻单晶金刚石的待生长面不平行，且在相邻的待生长面上形成交叉点；在n个单晶金刚石的待生长面上同时生长出完整的大单晶金刚石。从交叉点开始生长连接两块金刚石单晶微观结构，然后逐步扩展至整个拼接斜面，实现两块金刚石的牢固连接并在拼接斜面形成单晶，为拼接生长完整大面积单晶金刚石提供了一种新的方法。
- 单晶金刚石合成装置-201820639884.9
- 马懿;马修·L·斯卡林;朱金华;吴建新;缪勇;卢荻;艾永干;克里斯托弗·E·格里芬 - 苏州贝莱克晶钻科技有限公司
- 2018-05-02 - 2018-11-30 - C30B29/04
- 本申请公开了一种单晶金刚石合成装置，包括微波源、等离子体耦合装置和谐振装置，所述谐振装置包括一谐振腔，所述谐振腔内具有一金刚石生长面，等离子体耦合装置能够将来自所述微波源的微波在金刚石生长面的下方激发形成等离子体。本实用新型通过在基片下表面沉积金刚石薄膜，可以有效的解决金刚石生产过程中的杂质污染。
- 金刚石涂层及沉积该涂层的方法-201480043361.2
- S·梅尔扎格赫;C·福雷;P·杜博瓦 - 斯沃奇集团研究和开发有限公司
- 2014-07-02 - 2018-10-23 - C30B29/04
- 本发明涉及金刚石涂层，其特征在于它包含至少一个第一纳米晶金刚石层和第二微晶金刚石层的叠层。
- 一种横向搭桥拼接生长大面积单晶金刚石的方法-201810671214.X
- 王宏兴;王艳丰;常晓慧;邵国庆;魏孔庭;张景文;卜忍安;侯洵 - 西安交通大学
- 2018-06-26 - 2018-10-19 - C30B29/04
- 本发明公开了一种横向搭桥拼接生长大面积单晶金刚石的方法，将单晶金刚石衬底I和单晶金刚石衬底II进行拼接，在接缝处生长出桥状连接部分，并继续外延生长得到完整的大面积单晶金刚石层；其中，单晶金刚石衬底I在拼接处的厚度小于单晶金刚石衬底II在拼接处的厚度。解决了金刚石拼接生长过程中拼接缝明显，金刚石容易发生相对移动的问题，从而降低拼接处出现裂纹甚至裂开的风险。
- 一种能增强单晶金刚石韧性的复合层结构-201820307329.6
- 武迪;郑大平;朱瑞;杨明;徐元成 - 湖北碳六科技有限公司
- 2018-03-06 - 2018-10-12 - C30B29/04
- 本实用新型公开了一种能增强单晶金刚石韧性的复合层结构，包括纯单晶金刚石层和掺氮单晶金刚石层；所述纯单晶金刚石层和掺氮单晶金刚石层交错分布，所述纯单晶金刚石层位于复合层结构的最外侧。该复合层结构有效提高了单晶金刚石的韧性和硬度，能够应用于精密加工和超精密加工领域中，并且能够提高产品的使用寿命。
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