[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201580009283.9 | 申请日： | 2015-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN106062976B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 诺温·文马尔姆;亚历山大·F·普福伊费尔;坦森·瓦尔盖斯;菲利普·克罗伊特尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出一种用于制造多个半导体器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：a)提供半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源区域(25)，所述有源区域设置用于产生和/或接收辐射；b)在第二半导体层的背离第一半导体层的一侧上构成第一连接层(31)；c)构成多个穿过半导体层序列的留空部(29)；d)在留空部中构成传导层(4)用于在第一半导体层和第一连接层之间建立导电连接；和e)分割成多个半导体器件，其中从半导体层序列中为每个半导体器件产生半导体本体(20)，所述半导体本体具有多个留空部中的至少一个留空部，并且该至少一个留空部在半导体本体的俯视图中完全地由半导体本体包围。此外，提出一种半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造多个半导体器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：a)提供半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源区域(25)，所述有源区域设置用于产生和/或接收辐射；b)在所述第二半导体层的、背离所述第一半导体层的一侧上构成第一连接层(31)；c)构成多个穿过所述半导体层序列的留空部(29)；d)在所述留空部中构成传导层(4)，所述传导层用于在所述第一半导体层和所述第一连接层之间建立导电连接；和e)分割成多个半导体器件，其中从所述半导体层序列中为每个半导体器件产生半导体本体(20)，所述半导体本体具有多个所述留空部中的至少一个留空部，并且该至少一个留空部在所述半导体本体的俯视图中完全地由所述半导体本体包围；其中‑施加用于在所述有源区域和所述传导层之间电绝缘的分离层(73)，所述分离层至少在所述第二半导体层的和所述有源区域的高度上覆盖所述留空部的侧面(290)；以及‑剥离所述分离层的覆盖所述侧面的材料，使得所述侧面具有如下子区域(291)：所述第一半导体层在所述子区域中没有所述分离层。
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- 井上彰;藤田稔之;藤金正树;横川俊哉 - 松下电器产业株式会社
- 2012-10-22 - 2014-01-01 - H01L33/38
- 氮化物半导体发光芯片(100)包括具有氮化物半导体层的导电性基板(104)、依次形成在氮化物半导体层的主面上的n型氮化物半导体层(105)、活性层(106)及p型氮化物半导体层(107)、以及设置成与导电性基板接触的n侧电极(109)。导电性基板具有形成在与主面相反一侧的背面且彼此被隔离开的位置上的多个凹部(104a)。n侧电极与凹部(104a)的至少一部分表面接触。当设导电性基板的厚度为T、设凹部的深度为D1时，深度D1在厚度T的25％以上。
- 具有重新分布用于倒装芯片安装的垂直接触件的LED-201280013210.3
- J.雷;K-H.H.肖;Y.魏;S.施亚菲诺;D.A.斯泰格瓦德 - 皇家飞利浦有限公司
- 2012-02-28 - 2013-11-27 - H01L33/38
- 一种发光二极管（LED）结构具有半导体层，其包括p-型层、有源层和n-型层。p-型层具有底表面，并且n-型层具有通过其发射光的顶表面。铜层具有电连接到p-型层的底表面并与之相对的第一部分。电介质壁延伸通过铜层以将铜层的第二部分与第一部分隔离。金属分流器将铜层的第二部分电连接到n-型层的顶表面。P-金属电极电连接到第一部分，并且n-金属电极电连接到第二部分，其中LED结构形成倒装芯片。还描述了方法和结构的其他实施例。
- 用于LED的分流层布置-201180039384.2
- T.洛佩滋;R.I.阿达滋 - 皇家飞利浦电子股份有限公司
- 2011-07-25 - 2013-07-10 - H01L33/38
- LED管芯表面上的分流图案包括宽度约为2Lt-5Lt的金属点阵列（其中Lt为传输长度），以免遮挡大量的光，但仍然具有与半导体电流扩展层的低接触电阻。对于大于2Lt的宽度，接触电阻未显著减小。每个点代表电流注入区域。对于最小2Lt的宽度和每mm250个正方形点，LED管芯的顶表面区域将有其表面的大约1%被点覆盖。为了让电流在LED的顶表面上均匀分布，点与非常薄的金属连接器栅格连接，金属连接器的宽度远小于2Lt。在一个实施例中，在LED顶表面中央附近形成丝焊电极，以生成更均匀的电流分布。
- 第III 族氮化物半导体发光器件及其制造方法-201180047281.0
- 丰田达宪;柴田智彦 - 同和电子科技有限公司
- 2011-09-30 - 2013-06-05 - H01L33/38
- 提供：一种第III族氮化物半导体发光器件，所述第III族氮化物半导体发光器件可同时充分实现在电极和半导体层之间的良好欧姆接触和反射电极层的功能性质，并在不显著升高正向电压的情况下可改善发光效率；以及制造所述第III族氮化物半导体发光器件的方法。本发明的所述该第III族氮化物半导体发光器件(100)含有：由n型半导体层(103)、发光层(104)和p型半导体层(105)构成的第III族氮化物半导体层压体(106)；n侧电极(112)；和p侧电极(113)。所述第III族氮化物半导体发光器件(100)的特征在于：在所述第III族氮化物半导体层压体(106)的第二表面(108)上设置由反射电极部(109)和包括AlxGa1-xN(0≤x≤0.05)的接触部(110)构成的复合层(111)，其中所述第二表面(108)与所述第III族氮化物半导体层压体(106)的光提取侧的第一表面(107)相对。
- 光电子器件和用于制造所述光电子器件的方法-201180044291.9
- 卡尔·魏德纳;约翰·拉姆琴;阿克塞尔·卡尔滕巴赫尔;沃尔特·韦格莱特;贝恩德·巴克曼 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2011-08-22 - 2013-05-15 - H01L33/38
- 提出一种光电子器件，所述光电子器件具有载体（3）以及发射辐射的半导体芯片（4），所述载体具有第一连接区域（1）和第二连接区域（2），所述半导体芯片具有基面（5）和与基面对置的辐射出射面（6），其中半导体芯片（4）以基面（5）设置在载体（3）上。此外，光电子器件具有带有下部壳体部件（8）和上部壳体部件（9）的壳体（10），所述下部壳体部件邻接于半导体芯片（4）的侧面（14），所述上部壳体部件构成为用于由半导体芯片（4）发射的辐射（16）的反射器（15）。电连接层（7）从半导体芯片（4）的辐射出射面（6）经由下部壳体部件（8）和上部壳体部件（9）之间的边界面（19）的一部分并且穿过下部壳体部件（8）引导至载体（3）上的第一连接区域（1）。此外，提出一种用于制造所述光电子器件的有利的方法。
- 发光元件-201180035821.3
- 榎村惠滋 - 日亚化学工业株式会社
- 2011-07-19 - 2013-04-03 - H01L33/38
- 本发明的发光元件（100）在半导体层（30）上具备第一电极（50）及第二电极（70），第一电极（50）具有第一外部连接部（52）和从第一外部连接部（52）延伸的第一延伸部（54）及第二延伸部（56），第二电极（70）具有第二外部连接部（72）和从第二外部连接部（72）延伸的第三延伸部（74）、第四延伸部（76）及第五延伸部（78），第三延伸部（74）在第一延伸部（54）的外侧沿第一延伸部（54）延伸，第四延伸部（76）在第二延伸部（56）的外侧沿第二延伸部（56）延伸，第五延伸部（78）在第三延伸部（74）与第四延伸部（76）之间向第一外部连接部（52）侧延伸，第五延伸部（78）处于连结第一延伸部（54）上的位于最接近第二外部连接部（72）的位置的点与第二延伸部（56）上的位于最接近第二外部连接部（72）的位置的点的直线（L1）上，或者相比直线（L1）更处于第二外部连接部（72）侧。
- 发光二极管及其制造方法以及发光二极管灯-201180017382.3
- 锅仓亘;竹内良一 - 昭和电工株式会社
- 2011-02-02 - 2012-12-12 - H01L33/38
- 本发明提供一种发光二极管，其在光取出面上具有两个电极，光取出效率高，为高辉度。本发明涉及的发光二极管（1），是具有含有发光层（10）的发光部（7）的化合物半导体层（2）和透明基板（3）相接合了的发光二极管，其特征在于，在化合物半导体层（2）的主要的光取出面（2a）侧设置有第1电极（4）和第2电极（5），透明基板（3）具有：与化合物半导体层（2）接合的上表面（3A）；面积比上表面（3A）的面积小的底面（3B）；和至少含有从上表面侧朝向底面侧倾斜的倾斜面（3b）的侧面，第1和第2电极（4）、（5）在俯视该发光二极管时配置在将底面（3B）投影了的区域内。
- 半导体发光元件制造方法-201180014812.6
- 中條直树;神谷真央;本间昭广 - 丰田合成株式会社
- 2011-03-14 - 2012-12-05 - H01L33/38
- 一个问题是提高光发射效率和可靠性。为了解决该问题，在第二半导体层(108)的整个顶表面上形成透明导电膜(10)，并在该形成的透明导电膜上施加光刻胶。当移除在上表面上的与第一半导体层(104)的电极形成部分(16)相对应的光刻胶时，光刻胶被移除，使得在待移除的部分的边界处朝向移除的部分逐渐地变薄。使用剩余的光刻胶作为掩模来对透明导电膜进行湿法蚀刻，以露出第二半导体层的一部分。使用剩余的光刻胶和透明导电膜作为掩模来执行干法蚀刻，以露出第一半导体层的电极形成部分。使用剩余的光刻胶作为掩模来对在干法蚀刻中露出的透明导电层的部分进行湿法蚀刻，以清除剩余的光刻胶。
- 专利分类
