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[发明专利]光电子半导体构件-CN201510315781.8有效
发明人：格特鲁德·克劳特;贝恩德·巴克曼;克里斯特·贝格内克;约翰·拉姆琴科;迈克尔·齐茨尔斯佩格 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电子半导体构件(100)，具有：具有辐射退耦面(6)的至少一个发射辐射的半导体芯片(3)，在半导体芯片(3)中产生的电磁辐射的至少一部分通过辐射退耦面离开所述半导体芯片(3)；至少一个转换元件(4)，其设置在半导体芯片(3)的下游，在半导体芯片的辐射退耦面(6)上，用于转换由半导体芯片发射的电磁辐射，并且转换元件具有背离辐射退耦面的第一表面(7)；反射的包封物(5)，其中反射的包封物包围半导体芯片(3)，并且至少局部地在侧面上形状接合地包围转换元件，转换元件(4)的第一表面(7)没有反射的包封物，反射的包封物是浇注件，反射的包封物在垂直于侧面的方向上的伸展大于1000μm。
半导体芯片包封物反射转换元件退耦辐射光电子半导体电磁辐射第一表面包围发射辐射形状接合侧面浇注件伸展背离垂直发射转换

[发明专利]具有反射表面区域的半导体发光装置-CN201280047958.5有效
发明人： 贝恩德·巴克曼;拉尔夫·维尔特 -专利权人：欧司朗有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种半导体发光装置（11）具有装配有至少一个半导体光源（17）的基片（12），其中基片（12）的至少一个反射表面区域（16a，16b）上涂装有反射光的涂层（15），并且其中该反射光的涂层（15）具有以增强反射的形式涂覆的铝载体。一种用于制造半导体发光装置（11）的方法，其中，该方法至少具有以下步骤提供基片（12）；利用以增强反射的形式涂覆的铝载体（15）涂覆该基片（12）的至少一个反射表面区域（16a，16b）；以及为该基片（12）装配至少一个半导体光源（17）。
具有反射表面区域半导体发光装置

[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法-CN201080049249.1有效
发明人： 贝恩德·巴克曼;阿克塞尔·卡尔滕巴赫尔;诺贝特·斯塔特;沃尔特·韦格莱特;卡尔·魏德纳;拉尔夫·维尔特 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-10-05 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种光电子器件，具有带有连接区域(5)的支承体本体(3)。在支承体本体(3)上设有半导体芯片(7)。在半导体芯片(7)的背离支承体本体(3)的表面(8)上施加接触区域(10)。连接区域(5)经由无支承的传导结构(13)与接触区域(10)导电连接。描述了一种用于制造光电子器件的方法。
光电子器件用于制造方法

[发明专利]具有多个LED的照明单元-CN201510076044.7在审
发明人：格特鲁德·克罗伊特尔;贝恩德·巴克曼;安德烈亚斯·多布纳;弗洛里安·伯斯尔 -专利权人：欧司朗有限公司
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种照明单元，其具有由塑料材料制成的、作为基体的空心体(1)，该空心体具有外表面(3)和相对置的内表面(2)，其中，在外表面(3)上布置多个LED(21)并且在相对置的内表面(2)上布置用于与LED(21)电接触的印制导线结构(4)。
具有 led 照明单元

[发明专利]光电子器件和用于制造所述光电子器件的方法-CN201180044291.9无效
发明人：卡尔·魏德纳;约翰·拉姆琴;阿克塞尔·卡尔滕巴赫尔;沃尔特·韦格莱特;贝恩德·巴克曼 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：提出一种光电子器件，所述光电子器件具有载体（3）以及发射辐射的半导体芯片（4），所述载体具有第一连接区域（1）和第二连接区域（2），所述半导体芯片具有基面（5）和与基面对置的辐射出射面（6），其中半导体芯片（4）以基面（5）设置在载体（3）上。此外，光电子器件具有带有下部壳体部件（8）和上部壳体部件（9）的壳体（10），所述下部壳体部件邻接于半导体芯片（4）的侧面（14），所述上部壳体部件构成为用于由半导体芯片（4）发射的辐射（16）的反射器（15）。电连接层（7）从半导体芯片（4）的辐射出射面（6）经由下部壳体部件（8）和上部壳体部件（9）之间的边界面（19）的一部分并且穿过下部壳体部件（8）引导至载体（3）上的第一连接区域（1）。此外，提出一种用于制造所述光电子器件的有利的方法。
光电子器件用于制造方法

[发明专利]用于制造光电子半导体构件的壳体的方法、壳体和光电子半导体构件-CN201080057736.2无效
发明人：格特鲁德·克劳特;贝恩德·巴克曼 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：提出了一种用于制造光电子半导体构件（3）的壳体（100）的方法，其中借助壳体材料（2）局部地包封预制的反射器部件（1）。还提出了一种壳体（100）和一种光电子半导体构件。
用于制造光电子半导体构件壳体方法

[发明专利]光电子半导体构件-CN201080056260.0有效
发明人：格特鲁德·克劳特;贝恩德·巴克曼;克里斯特·贝格内克;约翰·拉姆琴科;迈克尔·齐茨尔斯佩格 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体构件（100），其具有：具有辐射退耦面（6）的至少一个发射辐射的半导体芯片（3），在半导体芯片（3）中产生的电磁辐射的至少一部分穿过所述辐射退耦面离开半导体芯片（3）；至少一个转换元件（4），所述转换元件设置在半导体芯片（3）的下游，在所述半导体芯片的辐射退耦面（6）上，用于转换由半导体芯片（3）发射的电磁辐射，并且具有背离辐射退耦面（6）的第一表面（7）；反射的包封物（5），其中反射的包封物（5）包围半导体芯片（3），并且至少局部地在侧面（33、44）上形状接合地包围转换元件，并且转换元件（4）的第一表面（7）没有反射的包封物（5）。
光电子半导体构件

[发明专利]用于光电子构件的壳体和用于制造壳体的方法-CN201080053529.X无效
发明人：格特鲁德·克劳特;贝恩德·巴克曼 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：说明了一种用于光电子器件（7）的壳体（1），所述壳体具有-壳体基体（2），其具有凹槽（4），-覆层（3），其至少在凹槽（4）的区域中至少局部地与壳体基体（2）连接并且与壳体基体（2）直接接触，其中-壳体基体（2）以第一塑料材料形成，-覆层（3）以第二塑料材料形成，-第一塑料材料不同于第二塑料材料，并且-第一塑料材料和第二塑料材料关于至少下述材料特性中的至少一个而彼此不同：温度稳定性、相对于电磁辐射的稳定性。
用于光电子构件壳体制造方法

[发明专利]光电子模块-CN201080041661.9无效
发明人：沃尔特·韦格莱特;阿克塞尔·卡尔滕巴赫尔;贝恩德·巴克曼;卡尔·魏德纳;马蒂亚斯·雷布汉 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-09-06 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：提出了一种光电子模块(100)，包括：具有至少一个接触部位(1A)的支承体(1)；发射辐射的半导体芯片(2)，其中发射辐射的半导体芯片(2)具有第一接触面(2A)和第二接触面(2B)；电绝缘层(4)，其具有第一凹部(4A)和第二凹部(4B)；至少一个导电结构(8)，其中第一接触面(2A)设置在发射辐射的半导体芯片(2)的背离支承体(1)的侧上，电绝缘层(4)至少局部地施加在支承体(1)和半导体芯片(2)上，并且该电绝缘层具有在第一接触面(2A)的区域中的第一凹部(4A)和在接触部位(1A)的区域中的第二凹部(4B)，导电结构(8)设置在电绝缘层(4)上并且将第一接触面(2A)与支承体(1)的接触部位(1A)电接触，并且电绝缘层(4)主要由陶瓷材料形成。
光电子模块

[发明专利]具有半导体本体、绝缘层和平面导电结构的光电子器件及其制造方法-CN201080039409.4有效
发明人：卡尔·魏德纳;拉尔夫·维尔特;阿克塞尔·卡尔滕巴赫尔;沃尔特·韦格莱特;贝恩德·巴克曼;奥利弗·武茨;扬·马费尔德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-08-05 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：设计了一种光电子器件(10)，其具有带有辐射出射侧(20)的至少一个半导体本体(2)。所述半导体本体(2)借助与辐射出射侧(20)对置的侧设置在衬底(1)上，其中在辐射出射侧(20)上设置有至少一个电端子区域(22)。在该电端子区域(22)上设置有金属化突出部(3)。此外，半导体本体(2)至少局部地设有绝缘层(4)，其中所述金属化突出部(3)伸出绝缘层(4)。在绝缘层(4)上设置至少一个平面导电结构(5)用于半导体本体(2)的平面接触，所述导电结构与电端子区域(22)通过金属化突出部(3)导电连接。另外，提出了一种用于制造这种光电子器件(10)的方法。
具有半导体本体绝缘平面导电结构光电子器件及其制造方法

[发明专利]具有带有辐射出射侧和绝缘层的至少一个第一半导体本体的光电子模块及其制造方法-CN201080039435.7有效
发明人：卡尔·魏德纳;拉尔夫·维尔特;阿克塞尔·卡尔滕巴赫尔;沃尔特·韦格莱特;贝恩德·巴克曼;奥利弗·武茨;扬·马费尔德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提出了一种光电子模块，其具有带有辐射出射侧(2a)的第一半导体本体(2)，在所述辐射出射侧上设置有电端子区域(21、22)。第一半导体本体(2)借助与辐射出射侧(2a)对置的侧设置在支承体(1)上。在支承体(1)上侧向地在第一半导体本体(2)旁设置有绝缘材料(3)，其构成喉部并且形状配合地邻接于半导体本体(2)。在第一半导体本体(2)和绝缘材料(3)上至少局部地设置有绝缘层(4)，在其上为了第一半导体本体(2)的平面接触而设置有平面导电结构，所述平面导电结构与电端子区域(21、22)导电地连接。此外，提出了一种用于制造这类光电子模块的方法。
具有带有辐射出射侧绝缘至少一个第一半导体本体光电子模块及其制造方法

[发明专利]发射辐射的器件和用于制造发射辐射的器件的方法-CN200980109063.8有效
发明人：马蒂亚斯·扎巴蒂尔;西格弗里德·赫尔曼;贝恩德·巴克曼 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出了一种发射辐射的器件，其具有支承体(1)和至少一个设置在支承体上的半导体芯片(2)。半导体芯片(2)具有用于产生电磁辐射的有源层和第一接触层(21)。支承体(1)至少具有第一接触结构和第二接触结构(4a，4b)，用于电接触所述至少一个半导体芯片(2)。半导体芯片(2)通过第一接触层(21)与第一接触结构(4a)导电连接。在半导体芯片(2)的至少一个侧面上至少局部地设置有钝化层(5)。在钝化层(5)的至少一个部分区域上设置有第二接触层(6)，第二接触层从半导体芯片(2)的背离支承体(1)的表面通过钝化层(5)引导至第二接触结构(4b)。半导体芯片(2)并不具有生长衬底(10)。此外，提出了一种用于制造这种器件的方法。
发射辐射器件用于制造方法

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