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[发明专利]复合结构及相关制造方法-CN202210146142.3在审
发明人： 帕斯卡·昆纳德;I·拉杜;迪迪埃·朗德吕;E·德斯邦内特斯 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合结构及相关制造方法，所述复合结构是包括异质结构(5)的用于声波装置的复合结构(9)，其包括：具有第一面和第二面的压电材料的有用层(2)，第一面布置在支撑基材(1)上的第一结合界面处，所述支撑基材(1)具有比有用层(2)的热膨胀系数低的热膨胀系数，复合结构(9)的特征在于，其包括功能层(6)，所述功能层(6)的整个表面布置在有用层(2)的第二面上的第二结合界面处并且具有比有用层(2)的热膨胀系数低的热膨胀系数。
复合结构相关制造方法

[发明专利]用于温度补偿表面声波器件或体声波器件的衬底-CN201680079260.X有效
发明人： M·波卡特;T·巴尔格;帕斯卡·昆纳德;I·拉杜;E·德斯邦内特斯;奥列格·科农丘克 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于表面声波器件或体声波器件的衬底(1)，该衬底(1)包括支撑衬底(11)和所述支撑衬底上的压电层(10)，其特征在于，支撑衬底(11)在加强衬底(110)上具有半导体层(111)，该加强衬底(110)的热膨胀系数比硅的热膨胀系数更接近压电层(10)的材料的热膨胀系数，半导体层(111)被设置在压电层(10)与加强衬底(110)之间。
用于温度补偿表面声波器件或体衬底

[发明专利]衬底和用于制造衬底的方法-CN201680041816.6有效
发明人： 帕斯卡·昆纳德;M·波卡特;T·巴尔格 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底和用于制造衬底的方法。该方法包括以下步骤：(a)提供具有第一热膨胀系数的支撑衬底(10)，该支撑衬底具有在其面中的一个面上的沿第一方向的平行的第一多个沟槽(12)和沿第二方向的平行的第二多个沟槽(13)；(b)从施主衬底(30)向支撑衬底(10)转移有用层(31)，该有用层(31)具有第二热膨胀系数；制造方法的特征在于：在支撑衬底(10)的正面(11)与该有用层(31)之间插入中间层，该中间层(20)具有在第一热膨胀系数到第二热膨胀系数之间的热膨胀系数。
衬底用于制造方法

[发明专利]复合结构及相关制造方法-CN201680065643.1在审
发明人： 帕斯卡·昆纳德;I·拉杜;迪迪埃·朗德吕;E·德斯邦内特斯 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括异质结构(5)的用于声波装置的复合结构(9)，其包括：具有第一面和第二面的压电材料的有用层(2)，第一面布置在支撑基材(1)上的第一结合界面处，所述支撑基材(1)具有比有用层(2)的热膨胀系数低的热膨胀系数，复合结构(9)的特征在于，其包括功能层(6)，所述功能层(6)的整个表面布置在有用层(2)的第二面上的第二结合界面处并且具有比有用层(2)的热膨胀系数低的热膨胀系数。本发明还涉及用于制造复合结构(9)的方法。
热膨胀系数复合结构结合界面支撑基材功能层声波装置压电材料异质结构整个表面制造

[发明专利]LED的集体制造的方法及LED的集体制造的结构-CN201380032606.7有效
发明人： 帕斯卡·昆纳德 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管LED器件的集体制造的方法，所述方法包括基本结构(150)的形成，每一个基本结构包括n型层(132)、有源层(133)和p型层(134)，所述方法包括以下步骤‑减少每一个基本LED结构(150)的一部分的横向尺寸；‑在所述基本结构(150)的侧面上形成绝缘材料(139)的一部分；‑形成n型电接触垫(145)和p型电接触垫(138)；‑将导电材料层(141)沉积在所述基本结构(150)上并且对所述导电材料层(141)进行抛光；以及‑通过分子粘附使第二基板(50)结合在所述结构(70)的已抛光表面(70a)上。
led 集体制造方法结构

[发明专利]制造LED或太阳能电池的结构的方法-CN201380032574.0有效
发明人： 帕斯卡·昆纳德 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造方法，该制造方法包括以下步骤在第一基板(10)上形成各自包括至少一个p型层(20)、有源区域(18)和n型层(12)的多个基本LED或光生伏打结构；在所述多个基本结构上形成第一平面金属层(42)；提供包括第二平面金属层(46)的转印基板(50)；通过在室温下通过分子粘附结合所述第一金属层和第二金属层(42,46)来将所述多个基本结构与所述转印基板(50)组装在一起；以及去除所述第一基板(10)。
制造 led 太阳能电池结构方法

[发明专利]用于具有较高光提取率的LED的结构化基底-CN201380012487.9有效
发明人：约翰·戴斯莱斯;菲利普·吉莱;帕斯卡·昆纳德 -专利权人：原子能和替代能源委员会;SOITEC公司
申请日： 2013-01-04 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种用于对入射光线进行反向散射的器件，包括主基底(20)和结构化层(10)，所述结构化层包括第一面(12)，所述第一面与主基底(20)的正面(22)接触；第二平整面(14)，所述第二平整面与第一面(12)平行；第一材料A和第二材料B，所述第一材料A和第二材料B在混合平面内形成交替表面(16)，所述交替表面中的至少一个的尺寸介于300nm与800nm之间，所述混合平面位于所述结构化层的第一面和第二面之间，所述第一材料和第二材料的光学指数不同，所述结构化层(10)覆盖有特定层(30)，所述特定层由不同于所述结构化层的材料A和材料B的材料C制成并且为晶体和半导体。
用于具有较高光提取 led 结构基底

[发明专利]应变材料层的松弛和转移-CN201080006938.4有效
发明人：法布里斯·勒泰特;布鲁斯·富尔;帕斯卡·昆纳德 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2010-01-11 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及形成至少部分地松弛的应变材料层的方法，所述方法包括以下步骤：提供晶种基板；对所述晶种基板进行图案化；在经图案化的所述晶种基板上生长应变材料层；将所述应变材料层由经图案化的所述晶种基板转移到中间基板上；和通过热处理来至少部分地松弛所述应变材料层。
应变材料松弛转移

[发明专利]应变材料层的晶格参数的调节-CN201080011062.2有效
发明人： 帕斯卡·昆纳德;弗雷德里克·杜蓬 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2010-02-15 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种调节应变材料籽晶层(3)的晶格参数的方法，该方法包括以下步骤：a)提供结构(10)，该结构(10)具有：应变材料籽晶层(3)，该籽晶层(3)具有晶格参数A1、标称晶格参数An以及热膨胀系数CTE3；低粘性层(2)；以及中间基板(1)，该中间基板具有热膨胀系数CTE1；b)施加热处理，以使应变材料籽晶层(3)松弛；以及c)将籽晶层(3)转移到支承基板(5)上，该支承基板具有热膨胀系数CTE5，中间基板(1)和支承基板(5)被选择为使得：A1＜An并且CTE1≤CTE3并且CTE5＞CTE1或者A1＞An并且CTE1≥CTE3并且CTE5＜CTE1。
应变材料晶格参数调节

[发明专利]对刻蚀后的半导体结构的钝化-CN200980130163.9无效
发明人：布鲁斯·富尔;帕斯卡·昆纳德 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2009-07-02 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构的钝化方法，该方法包括以下步骤：提供至少一个第一材料层；在第一材料层上形成待图案化的至少一个第二材料层；在至少一个第二材料层与至少一个第一材料层之间形成扩散阻挡层，由此形成多层堆叠；以及对至少一个第二材料层向下进行图案化特别是刻蚀，但不完全穿透扩散阻挡层并且不露出至少一个第一材料层中的多个部分，使得基本上防止在对多层堆叠进行后续热处理期间至少一个第一材料层的材料穿过扩散阻挡层进行扩散。本发明还涉及一种半导体结构的钝化方法，该方法包括以下步骤：提供包括形成在第二材料层下方的至少一个掩埋层的多层堆叠；对多层堆叠的表面进行图案化特别是刻蚀，穿透第二材料层，由此露出至少一个掩埋层的多个部分；至少在至少一个掩埋层的露出的部分上沉积扩散阻挡层，使得基本上防止在对多层堆叠进行后续热处理期间至少一个掩埋层的材料穿过扩散阻挡层进行扩散。
刻蚀半导体结构钝化

[发明专利]应变层的松弛与转移-CN200980130447.8有效
发明人：法布里斯·勒泰特;布鲁斯·富尔;帕斯卡·昆纳德;迈克·卡梅斯;尼尔逊·麦克劳林;纳特·加的纳 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2009-07-02 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及在目标基板上形成至少部分地松弛的应变材料的方法，该方法包括相继执行的以下步骤：在中间基板上从应变材料层形成岛；通过第一热处理来至少部分地松弛所述应变材料岛；以及，将所述至少部分地松弛的应变材料岛转移到所述目标基板。
应变松弛转移

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