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[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件-CN201880089199.6有效
发明人： 平野光;长泽阳祐;秩父重英;小岛一信 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：在将从活性层朝向n型氮化物半导体层侧出射的紫外线取出至元件外部的氮化物半导体发光元件中，实现电光转换效率的提高。在构成氮化物半导体紫外线发光元件(1)的n型AlGaN系半导体层(21)中，作为所述n型层(21)的一部分的、局部Ga组成比高的薄膜状的多个富Ga层(21b)在与n型层(21)的上表面正交的方向即上下方向上分离地存在，与上下方向平行的第1平面上的多个富Ga层(21b)的至少一部分的延伸方向相对于n型层(21)的上表面与第1平面的交线倾斜，在从n型层(21)的上表面向下方侧100nm以内的厚度的上层区域内，在与n型层(21)的上表面平行的第2平面上，多个富Ga层(21b)呈条纹状存在，富Ga层(21b)的AlN摩尔分数比构成发光元件(1)的活性层(22)内的阱层(22b)的AlN摩尔分数大。
氮化物半导体紫外线发光元件

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN201780097121.4有效
发明人： 平野光;长泽阳祐 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/18 文献下载
摘要：氮化物半导体发光元件具备发光元件结构部，该发光元件结构部具有至少包含n型层、活性层及p型层的多个氮化物半导体层。活性层具有量子阱结构，该量子阱结构包含至少1个由GaN系半导体构成的阱层，阱层中，n型层侧的第1面与p型层侧的第2面之间的最短距离在相对于所述氮化物半导体层的层叠方向垂直的平面内变动，从发光元件结构部射出的光的峰值发光波长短于354nm。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]发光装置-CN201780094174.0有效
发明人： 平野光;长泽阳祐;一本松正道;青崎耕;末原百纪;坂根好彦 -专利权人：日机装株式会社;AGC株式会社
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：发光装置(1)具备基台(30)、倒装安装于基台(30)上的氮化物半导体发光元件(10)、和密封氮化物半导体发光元件(10)的非晶质氟树脂。发光装置(1)具备防止因发光装置(1)的出厂后的热处理所致的非晶质氟树脂的形状变化的形状变化防止层(60)，形状变化防止层(60)由固化有热固化性树脂或紫外线固化树脂的层构成，该经固化的层直接被覆非晶质氟树脂的表面。
发光装置

[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件-CN202080103245.0在审
发明人： 平野光;长泽阳祐 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：氮化物半导体紫外线发光元件具备将包含纤锌矿构造的AlGaN系半导体的n型层、活性层及p型层层叠于上下方向的发光元件构造部，n型层以n型AlGaN系半导体构成，活性层包含以AlGaN系半导体构成的1层以上的阱层，p型层以p型AlGaN系半导体构成，n型层与活性层内的各半导体层是具有形成了平行于(0001)面的多阶状的平台的表面的外延生长层，n型层具有多个第1Ga富化区域，该第1Ga富化区域是在n型层内平均地分散存在的AlN摩尔分数局部为低的层状区域且包含AlGaN组成比为整数比的Al7Ga5N12的n型AlGaN区域，具有层状区域的各延伸方向相对于n型层的上表面倾斜的部分。
氮化物半导体紫外线发光元件

[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件及其制造方法-CN202080102781.9在审
发明人： 平野光;长泽阳祐 -专利权人：创光科学株式会社
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：氮化物半导体紫外线发光元件具备将包含纤锌矿构造的A1GaN系半导体的n型层、活性层及p型层层叠于上下方向的发光元件构造部，n型层以n型A1GaN系半导体构成，活性层包含以A1GaN系半导体构成的1层以上的阱层，p型层以p型AlGaN系半导体构成，n型层与活性层内的各半导体层具有形成了平行于(0001)面的多阶状的平台的表面的外延生长层，n型层具有多个第1Ga富化区域，该第1Ga富化区域是在n型层内平均地分散存在的AlN摩尔分数局部为低的层状区域且包含AlGaN组成比为整数比的Al2Ga1N3富化区域，在第2Ga富化区域内，存在AlGaN组成比成为整数比的Al1Ga1N2或Al5Ga7N12的AlGaN区域。
氮化物半导体紫外线发光元件及其制造方法

[发明专利]紫外线发光装置、紫外线发光装置的制造方法及紫外线发光模块的制造方法-CN201780096506.9有效
发明人： 平野光;长泽阳祐;一本松正道;青崎耕;末原百纪;坂根好彦 -专利权人：创光科学株式会社;AGC株式会社
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：一种紫外线发光装置，其具备：基台、经倒装片安装于基台上的氮化物半导体紫外线发光元件、及密封氮化物半导体紫外线发光元件并将自该氮化物半导体紫外线发光元件射出的光聚焦或扩散的透镜。透镜由聚合物或共聚物的结构单位具有含氟脂肪族环结构且末端官能团为全氟烷基的非晶质氟树脂构成，该非晶质氟树脂的密度大于2.11g/cm3。
紫外线发光装置制造方法模块

[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件及其制造方法-CN202080102059.5在审
发明人： 平野光;长泽阳祐 -专利权人：创光科学株式会社
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：氮化物半导体紫外线发光元件具备将包含纤锌矿构造的AlGaN系半导体的n型层、活性层及p型层层叠于上下方向的发光元件构造部，n型层以n型AlGaN系半导体构成，活性层包含以AlGaN系半导体构成的1层以上的阱层，p型层以p型AlGaN系半导体构成，n型层与活性层内的各半导体层具有形成了平行于(0001)面的多阶状的平台的表面的外延生长层，n型层具有多个第1Ga富化区域，该第1Ga富化区域是在n型层内平均地分散存在的AlN摩尔分数局部为低的层状区域且包含AlGaN组成比为整数比的Al1Ga1N2的n型AlGaN区域，阱层具有在阱层内AlN摩尔分数局部为低的第2Ga富化区域，在第2Ga富化区域内，存在AlGaN组成比成为整数比的Al1Ga2N3的AlGaN区域。
氮化物半导体紫外线发光元件及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件-CN202080102072.0在审
发明人： 平野光;长泽阳祐 -专利权人：创光科学株式会社
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：氮化物半导体紫外线发光元件具备将包含纤锌矿构造的AlGaN系半导体的n型层、活性层及p型层层叠于上下方向的发光元件构造部，峰值发光波长在300nm～327nm的范围内，n型层以n型AlGaN系半导体构成，包含GaN系半导体所构成的1层以上的阱层，p型层以p型AlGaN系半导体构成，n型层与活性层内的各半导体层是具有形成了平行于(0001)面的多阶状的平台的表面的外延生长层，n型层具有包含AlGaN组成比成为整数比的Al1Ga1N2的n型AlGaN区域的多个第1Ga富化区域，该第1Ga富化区域是在n型层内平均地分散存在的AlN摩尔分数局部为低的层状区域，n型层内的所述层状区域以外的n型主体区域的AlN摩尔分数在54％～66％的范围内。
氮化物半导体紫外线发光元件

[发明专利]模板、氮化物半导体紫外线发光元件和模板的制造方法-CN201780005631.4有效
发明人： 平野光;长泽阳祐 -专利权人：创光科学株式会社
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：模板具备蓝宝石基板和AlN层，所述蓝宝石基板以(0001)面或相对于(0001)面仅倾斜规定角度的面作为主面，所述AlN层直接形成于蓝宝石基板的主面，且由相对于该主面具有外延的结晶方位关系的AlN结晶构成。该模板中，AlN层的自主面起为20nm的厚度处的AlN结晶的平均粒径为100nm以下。
模板氮化物半导体紫外线发光元件制造方法

[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件的制造方法和氮化物半导体紫外线发光元件-CN201780009804.X有效
发明人： 平野光;长泽阳祐 -专利权人：创光科学株式会社
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：氮化物半导体紫外线发光元件1具备蓝宝石基板10以及在基板10的主面101上形成的元件结构部20。基板10中，在从主面101起至第一距离为止的第一部分110中，与主面101平行的截面的截面积随着远离主面101而连续增加，在从主面101的相反侧起至第二距离为止的第二部分120中，与主面101平行的截面的截面积随着远离主面101的相反侧而连续增加。第一距离与上述第二距离之和为基板10的厚度以下。
氮化物半导体紫外线发光元件制造方法

[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件及其制造方法-CN201780047215.0有效
发明人： 平野光;长泽阳祐;秩父重英;小岛一信 -专利权人：创光科学株式会社
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：一种峰值发光波长为285nm以下的氮化物半导体紫外线发光元件的制造方法，具备：第1步骤，在包含蓝宝石基板的基底部的上表面，形成n型的AlXGa1‑XN(1≥X≥0.5)系半导体所构成的n型半导体层；第2步骤，在n型半导体层的上方，形成包含AlYGa1‑YN(X＞Y＞0)系半导体所构成的发光层、且整体由AlGaN系半导体构成的活性层；及第3步骤，在活性层的上方，形成p型的AlZGa1‑ZN(1≥Z＞Y)系半导体所构成的p型半导体层。在此制造方法中，第2步骤的生长温度比1200℃更高且为第1步骤的生长温度以上。
氮化物半导体紫外线发光元件及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件-CN201580080488.6有效
发明人：金田伦子;西瑞尔·佩诺特;平野光 -专利权人：创光科学株式会社
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：氮化物半导体紫外线发光元件具备基底部和发光部，所述基底部包含由具有通过相对于(0001)面倾斜而形成有多阶段状平台的表面的蓝宝石而成的基板、与被形成于基板表面上的AlN层的基底部，所述发光部是被形成于基底部表面上的、包含具有AlGaN系半导体层的活性层的发光部。至少，基底部的AlN层、发光部的活性层及其间的各层，是凭借阶梯流动成长而形成的，所述阶梯流动成长是通过多阶段状平台的侧面进行成长而二维成长的，活性层具有至少包含1个由AlGaN所构成的阱层的量子阱结构；在活性层的表面，25μm见方区域的平均粗糙度成为阱层的厚度以上且10nm以下。
氮化物半导体紫外线发光元件

[发明专利]氮化物半导体紫外线发光装置及其制造方法-CN201580083867.0有效
发明人： 平野光;青崎耕 -专利权人：创光科学株式会社;AGC株式会社
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：氮化物半导体紫外线发光装置(1)通过将氮化物半导体紫外线发光元件(10)倒装芯片安装在基台(30)上，并通过末端官能基为全氟烷基的非晶质氟树脂进行树脂密封而成，该氮化物半导体紫外线发光元件具备蓝宝石基板(11)、层叠在蓝宝石基板(11)表面上的AlGaN系半导体的半导体层叠部(12)、n电极(13)、p电极(14)、以及形成在蓝宝石基板(11)背面上的使紫外线透过的背面覆盖层(15)。背面覆盖层(15)具有使蓝宝石基板(11)的背面的一部分露出的开口部(16)，开口部(16)配置为均匀地分散或分布在所述蓝宝石基板的背面上，开口部(16)的与蓝宝石基板(11)的背面垂直的剖面形状具有接近所述背面的部位的开口宽度比远离所述背面的部位的开口宽度大的部分，背面覆盖层(15)的表面被所述非晶质氟树脂覆盖，开口部(16)的内部被所述非晶质氟树脂覆盖填充。
氮化物半导体紫外线发光装置及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体晶圆及其制造方法、以及氮化物半导体紫外线发光元件及装置-CN201680044344.X有效
发明人： 平野光;青崎耕 -专利权人：创光科学株式会社;AGC株式会社
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：防止伴随紫外线发光动作的起因于填充在电极间的树脂的电特性劣化。一种在基板(12)上具有紫外线发光元件的氮化物半导体晶圆，该紫外线发光元件具备：具有n型AlGaN层(16)、由AlGaN层构成的活性层(17)、p型AlGaN层(19、20)的半导体层叠部(21)；n电极(23)；p电极(22)；保护绝缘膜(24)；第1及第2镀覆电极(25、26)；以及氟树脂膜(27)，在第1区域(R1)的p型AlGaN层上表面形成p电极，在第2区域(R2)的n型AlGaN层上表面形成n电极，保护绝缘膜具有n电极和p电极的至少一部分露出的开口部，第1镀覆电极与第2镀覆电极隔离而与p电极接触，将第1区域(R1)的上表面及外周侧面的整面、与第1区域(R1)相接的第2区域(R2)的一部分覆盖，第2镀覆电极与n电极接触，氟树脂膜(27)将第1及第2镀覆电极的侧壁面及间隙部(31)的底面覆盖。
氮化物半导体及其制造方法以及紫外线发光元件装置

[发明专利]氮化物半导体发光元件用的基台及其制造方法-CN201680041909.9有效
发明人： 平野光;青崎耕 -专利权人：创光科学株式会社;AGC株式会社
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：防止伴随紫外线发光动作的起因于电极间被填充的树脂的电特性劣化。一种具备绝缘性基材(11)、与在基材(11)的一侧面上被形成的相互地电分离的2个以上金属膜(12、13)而成的基台(10)；金属膜为上面和侧壁面被金或铂族金属覆盖，可以搭载1个以上氮化物半导体发光元件等、整体而言被形成包含2个以上电极垫的规定俯视形状，在基材(11)的一侧面上，沿着不被金属膜(12、13)覆盖的基材(11)的露出面与金属膜(12、13)的侧壁面的边界线，至少，与所述边界线连续的基材(11)的露出面相邻接的2个电极垫所夹的第1部分、和夹着所述第1部分而相对置的金属膜(12、13)的侧壁面，由氟树脂膜(16)覆盖，金属膜(12、13)的上面的至少构成电极垫之处，不被氟树脂膜(16)覆盖。
氮化物半导体发光元件及其制造方法

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