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- [发明专利]半导体元件-CN201811066360.6有效
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张永富;钟昕展;郑鸿达;廖文禄;李世昌;吕志强;陈怡名;詹耀宁;蔡均富
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晶元光电股份有限公司
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2018-09-13
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2022-04-12
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H01L33/38
- 本发明公开一种半导体元件，包含：半导体叠层，具有表面，且此表面具有第一边及相对于第一边的第二边；及电极结构包含电极垫、第一、第二及第三延伸电极形成于表面上；其中，延伸电极各具有第一部分及第二部分；其中，各第二部分以第一延伸方向朝第一边或第二边延伸，第一、第二以及第三延伸电极的各第一部分各别以第二、第三以及第四延伸方向自电极垫延伸；其中，第一、第二、第三沿伸电极的第一部分与第二部分连接，并且依序形成具有第一角度θ1的第一转角、具有第二角度θ2的第二转角、具有第三角度θ3的第三转角，其中，第一延伸电极的该第二部分具有远离电极垫的第一端，第二边较第一边远离电极垫，第一边与第一延伸电极的第一部分具有最短距离大于第二边至第一端的最短距离。
- 半导体元件
- [发明专利]发光元件的制造方法-CN201380077701.9有效
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黄建富;詹耀宁;徐子杰;陈怡名;邱新智;吕志强;许嘉良;张峻贤
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晶元光电股份有限公司
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2013-07-05
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2019-01-11
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H01L33/38
- 一种发光元件的制造方法，包括提供第一基板(201)及位于第一基板(201)上的多个半导体叠层块(202,231‑235)，其中该第一基板(201)上包括分隔两相邻的半导体叠层块的分隔道且该分隔道具有一宽度小于10μm，多个半导体叠层块(202,231‑235)包括第一电性半导体层(202a)、位于第一电性半导体层(202a)上的发光层(202b)，位于发光层(202b)之上的第二电性半导体层(202c)，还包括实行第一分离步骤，分离第一半导体叠层块(232)与第一基板(201)，第一基板(201)留有第二半导体叠层块(231)；以及实行第二接合步骤，包括对位接合该第一半导体叠层块于该第二半导体叠层块之上。
- 发光元件及其制造方法
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