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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]含磷的难燃性环氧树脂-CN201510186004.8有效
发明人：小宫直城;井上彰 -专利权人：三光株式会社
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C08G59/14 文献下载
摘要：本发明涉及含磷的难燃性环氧树脂，更具体地，本发明涉及提供一种可构成具有低吸水性及高耐热性的电气机器零件或电子机器零件的含磷的难燃性环氧树脂。一种含磷的难燃性环氧树脂，其通过使1分子内具有3个以上环氧基的环氧树脂与下述通式(I)所示的有机磷化合物反应而获得。(式中，Y¹为芳烷基或芳基)。
难燃性环氧树脂环氧树脂有机磷化合物低吸水性电气机器电子机器高耐热性芳烷基环氧基芳基式中

[发明专利]半导体发光元件、其制造方法和光源装置-CN201280049611.4无效
发明人：藤田稔之;井上彰;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：半导体发光元件（101）具备以非极性面或半极性面为主面的、由包含发出偏振光的活性层（22）的氮化物类半导体构成的半导体层叠结构（20）。半导体发光元件（101）具有设置在横切偏振光的出射路径的位置、包含多个凹部的条纹结构（50），凹部（50b）的延伸方向与偏振光的偏振方向所成角度为0°以上45°以下。多个凹部（50b），该多个凹部（50b）的表面的至少一部分具有比凹部50b的深度浅的微细的凹凸结构（纹理）（51）。
半导体发光元件制造方法光源装置

[发明专利]磷系（甲基）丙烯酸酯化合物及其制造方法-CN201410050929.5在审
发明人：小宫直城;井上彰 -专利权人：三光株式会社
申请日： 2014-02-14 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： C07F9/6574 文献下载
摘要：本发明涉及磷系（甲基）丙烯酸酯化合物及其制造方法，所述磷系（甲基）丙烯酸酯化合物是具有适宜在光学树脂材料等方面利用的高折射率、且不含硫原子的新型的化合物，其以下述通式（I）表示（式中，Y¹、Y²、Y³和Y⁴分别独立地为氢原子、卤原子、硝基、氨基、羧基、羟基、烷基、芳基、芳烷基、酰基或烯丙基；A和Z分别独立地为亚乙基或异亚丙基；n和m分别独立地为0、1或2，在n或m为2的情况下，2个A或Z可以互相相同也可以不同；R¹和R²分别独立地为氢原子或（甲基）丙烯酰基，其中，R¹和R²中的至少一者为（甲基）丙烯酰基。）。
磷系甲基丙烯酸酯化合物及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光装置-CN201380001192.1无效
发明人： 井上彰;藤金正树;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明涉及氮化物半导体发光装置，其具备：具有射出偏振光且以非极性面或半极性面为生长面的有源层的氮化物半导体发光芯片；和使来自所述有源层的光透过的透光性罩，所述透光性罩具有：在所述氮化物半导体发光芯片的侧面的区域之中、配置在与所述偏振光的偏振方向垂直的方向的第一透光性部件；和配置在所述氮化物半导体发光芯片的上方的区域的第二透光性部件，所述第一透光性部件中的光的扩散透过率比所述第二透光性部件中的光的扩散透过率高。
氮化物半导体发光装置

[发明专利]氮化物半导体发光芯片、氮化物半导体发光装置及氮化物半导体芯片的制造方法-CN201280019898.6无效
发明人： 井上彰;藤田稔之;藤金正树;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：氮化物半导体发光芯片(100)包括具有氮化物半导体层的导电性基板(104)、依次形成在氮化物半导体层的主面上的n型氮化物半导体层(105)、活性层(106)及p型氮化物半导体层(107)、以及设置成与导电性基板接触的n侧电极(109)。导电性基板具有形成在与主面相反一侧的背面且彼此被隔离开的位置上的多个凹部(104a)。n侧电极与凹部(104a)的至少一部分表面接触。当设导电性基板的厚度为T、设凹部的深度为D1时，深度D1在厚度T的25％以上。
氮化物半导体发光芯片装置制造方法

[发明专利]信息呈现系统和车载装置-CN201280016000.X有效
发明人： 井上彰 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H04M1/00 文献下载
摘要：根据本发明，移动终端（1）显示由所产生的图像数据来提供的屏幕图像。车载装置（2）固定到车辆，或便携式地安装于车辆上。移动终端（1）通过通信向车载装置（2）发送图像数据，以使得车载装置（2）的车辆显示部显示由图像数据提供的屏幕图像。在建立车载装置（2）和移动终端（1）之间的通信的情况下，在移动终端（1）或车载装置（2）中先被执行了操作输入的一个处于操作中时，则移动终端（1）或车载装置（2）中仅所述一个是可操作的。
信息呈现系统车载装置

[发明专利]氮化物半导体层生长用结构、层叠结构、氮化物系半导体元件及光源以及它们的制造方法-CN201280010663.0无效
发明人：崔成伯;横川俊哉;井上彰;山田笃志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本申请公开的氮化物半导体层生长用结构具备以m面为生长面的蓝宝石基板、在蓝宝石基板的生长面上形成的多个脊状的氮化物半导体层，在多个脊状的氮化物半导体层的各自之间配置的凹部的底面为蓝宝石基板的m面，多个脊状的氮化物半导体层的生长面为m面，多个脊状的氮化物半导体层的延伸方向与蓝宝石基板的c轴所成的角度的绝对值为0度以上且35度以下。
氮化物半导体生长结构层叠元件光源以及它们制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件和LED系统-CN201280010530.3无效
发明人： 井上彰;吉田俊治;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其具有发光层，发光层包含主面为m面的InxGa1-xN阱层（0＜x≤1），InxGa1-xN阱层的In组成比x的深度方向分布（depth profile）具有多个峰，多个峰中的各个峰的In组成比x的值不同。
氮化物半导体发光元件 led 系统

[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法-CN201280002602.X无效
发明人：横川俊哉;安杖尚美;井上彰;加藤亮 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-04-02 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种氮化物系半导体元件，其是具备生长面为m面的p型接触层(26)、和在p型接触层(26)的生长面上所设置的电极(30)的氮化物系半导体元件。就p型接触层(26)而言，其具有26nm以上、60nm以下的厚度，且是含有所述p型接触层的Mg浓度以上之浓度的氧的GaN系半导体层。
氮化物半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体发光器件-CN201280003779.1无效
发明人： 井上彰;藤金正树;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：包含以非极性面为生长面的氮化物半导体有源层（106）的半导体发光芯片（100），在安装基板（101）的表面上、与被来自氮化物半导体有源层的光照射的区域的有源层平行且与来自该有源层的光的偏振方向垂直的结晶轴方向的芯片侧方的区域作为高偏振特性区域，被来自有源层的光照射的区域的高偏振特性区域以外的区域作为低偏振特性区域时，金属配置在高偏振特性区域的至少一部分的区域，低偏振特性区域的至少一部分的镜面反射的比例比金属的镜面反射的比例低，高偏振特性区域的镜面反射的比例比低偏振特性区域的镜面反射的比例高。
半导体发光器件

[发明专利]氮化物类半导体发光元件-CN201280003453.9无效
发明人：山田笃志;井上彰;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-06-25 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物类半导体发光元件（220），其具有：生长面为m面且由GaN类半导体形成的活性层（202）；和辐射来自活性层（202）的光的至少一个辐射面，其中，辐射面是在m面上设置有多个凸部（303）的面，在辐射面中，多个凸部（303）的各自的底面为封闭曲线内的区域，底面B的形状具有：将封闭曲线上位于最远的位置的两个点连结的线段即长轴（Ax）；和通过长轴（Ax）的中心且与长轴垂直的线段即短轴，长轴（Ax）和晶体的a轴延伸的方向所成的角度在45度以内。
氮化物类半导体发光元件

[发明专利]氮化镓类半导体发光元件、光源和凹凸构造形成方法-CN201280003354.0无效
发明人：藤金正树;井上彰;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓类半导体发光元件，在进行对具有除c面外的结晶面的氮化物半导体发光元件的光提取面（50）的表面的润湿性进行控制的表面改性之后，在粒子层对表面进行覆盖。其后，通过进行蚀刻，将粗糙度曲线要素的平均长度（RSm）为150nm以上且800nm以下的凹凸构造（60）形成在光提取面（50）。
氮化半导体发光元件光源凹凸构造形成方法

[发明专利]氮化物类半导体发光元件-CN201280002640.5无效
发明人： 井上彰;藤金正树;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明的氮化物类半导体发光元件包括：半导体层叠结构，包括主面为半极性面或者非极性面的由氮化物半导体形成的活性层（306），具有形成有凹部和凸部中至少一个的凹凸面（310）；和双折射性基板（304），其覆盖半导体层叠结构的凹凸面（310）一侧，将从活性层（306）发射的光中的至少一部分反射的电极（308）和半导体层叠结构的凹凸面（310）配置于相反侧，该双折射性基板（304）使从活性层（306）发射的光和被电极（308）反射的光透过。
氮化物类半导体发光元件

[发明专利]氮化物类半导体发光元件及其制造方法-CN201280002630.1无效
发明人：横川俊哉;岩永顺子;井上彰 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-05-02 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：实施方式的氮化物类半导体发光元件具有生长面为m面、由GaN类半导体形成的半导体层叠结构。半导体层叠结构具有：n型半导体层；p型半导体层；设置于所述p型半导体层上的p侧电极；和位于所述n型半导体层与所述p型半导体层之间的活性层。活性层的厚度与n型半导体层的厚度比D为1.8×10-4≤D≤14.1×10-4，p侧电极的面积S为1×102μm2≤S≤9×104μm2，外部量子效率成为最大时的88%时的最大电流密度为2A/mm2以上。
氮化物类半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体发光器件-CN201280002076.7无效
发明人： 井上彰;横川俊哉;山田笃志;藤金正树 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：氮化物半导体发光元件（300）是具有包含由m面氮化物半导体形成的活性层的层叠结构（310）的氮化物半导体发光元件，层叠结构（310）具有与氮化物半导体活性层（306）的m面平行的取光面（311a）和与氮化物半导体活性层（306）的c面平行的取光面（311b），取光面（311b）的面积相对于取光面（311a）的面积的比例为46％以下。
半导体发光器件

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