[发明专利]晶圆级凸点封装结构的制作方法在审
| 申请号： | 201510436075.9 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105140200A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 曹立强;何洪文;戴风伟;秦飞;史戈;别晓锐 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60;H01L21/78 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;刘海 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆级凸点封装结构的制作方法，包括如下步骤：（1）提供集成了芯片电极和绝缘层的晶圆；（2）在晶圆上制作保护层；（3）将芯片电极上方的保护层去除形成第一开口，将晶圆上的芯片切割位置的保护层去除形成第二开口；（4）在第一开口处制作凸点下金属层和凸点层；（5）沿第二开口的位置进行切割，得到单颗晶圆级凸点封装结构。本发明避免了因热失配而导致保护层拉扯绝缘层的应力过大的问题，从而提高了封装可靠性；且在提高可靠性的同时，并没有增加工艺步骤。本发明在切割晶圆过程中，由于去除了预定切割位置处的保护胶，使保护层避开了切割道，消除了切割时保护层对绝缘层的拉扯，减少了切割时芯片本体的崩边现象。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级凸点 封装 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级凸点封装结构的制作方法，其特征是，包括如下步骤：（1）提供集成了芯片电极和绝缘层的晶圆；（2）在晶圆上制作保护层；（3）将芯片电极上方的保护层去除形成第一开口，将晶圆上的芯片切割位置的保护层去除形成第二开口；（4）在第一开口处制作凸点下金属层和凸点层；（5）沿第二开口的位置进行切割，得到单颗晶圆级凸点封装结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510436075.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：大型多功能水上施工平台的施工方法
- 下一篇：晶片的加工方法
