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[发明专利]一种用于观测IGBT芯片Al金属化内晶粒晶向的试样制备方法-CN201910268919.1有效
发明人：安彤;袁雪泉;秦飞;别晓锐;赵静毅;方超 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于观测IGBT芯片Al金属化内晶粒晶向的试样制备方法，其包括以下步骤：去除大功率IGBT模块的外封装；去除模块底板；去除试样表面的硅胶；采用慢速锯物理切割试样；采用金相磨抛机打磨试样；采用聚焦离子束加工试样；采用电子背散射衍射技术观测试样。本发明的优点在于可以制备用于观测大功率IGBT芯片Al金属化层剖面晶粒晶体取向的试样，制备方法简单可行，能够对大功率IGBT芯片Al金属化层剖面晶粒进行晶体取向观测。
一种用于观测 igbt 芯片 al 金属化晶粒试样制备方法

[发明专利]一种汽车级IGBT多结温差控制的功率循环实验装置-CN201811263247.7有效
发明人：安彤;赵静毅;秦飞;别晓锐;方超;袁雪泉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2018-10-28 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种汽车级IGBT多结温差控制的功率循环实验装置，包括作为控制和待测模块的多个IGBT模块单元、用于组成测试回路的主电路系统、用于结温计算的小电流测试系统、包含多个独立工位的水冷散热系统、用于设置IGBT驱动及水冷散热系统通断的控制系统、用于监测电参数和热参数的数据采集系统。主电路系统采用特定的串并联电路，将待测IGBT模块进行连接。使同一主电路中多个待测IGBT模块的负载电流不同。数据采集系统自动采集小电流下待测IGBT模块的集射极电压Vce，并将其带入结温计算公式实时计算结温Tj。此实验装置在一次功率循环实验中同时对多个IGBT模块进行不同结温差的功率循环实验。满足了实验的多样性，提高了工作效率。
一种汽车 igbt 温差控制功率循环实验装置

[发明专利]多个汽车级IGBT模块同步PWM功率循环实验装置-CN201811263255.1有效
发明人：安彤;赵静毅;秦飞;别晓锐;方超;袁雪泉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2018-10-28 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了多个汽车级IGBT模块同步PWM功率循环实验装置，装置包括驱动保护系统、主电路系统、IGBT模块单元、水冷散热系统、小电流测试系统、数据采集系统五部分。该装置的驱动保护系统提供多路相同时序不同电位的高频驱动信号，分别对IGBT模块单元、水冷散热系统、数据采集系统进行控制。水冷散热系统包含多个独立的工位，可同时对多个IGBT模块进行独立的散热控制。主电路系统和小电流测试系统，交替的向待测IGBT模块进行供电。所述的数据采集系统，自动采集主电路的电流Ic、IGBT壳温Tc、IGBT集射极电压Vce，并且采用labview程序自动对采集的数据进行实时处理分析，输出保存测试数据。在提高工作效率的同时，也能够兼具接近实际工况的目的。
汽车 igbt 模块同步 pwm 功率循环实验装置

[发明专利]一种用于汽车级IGBT芯片表面Al金属化层粗糙度的测试方法-CN201811263261.7有效
发明人：安彤;赵静毅;秦飞;别晓锐;方超;袁雪泉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2018-10-28 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G01B21/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于汽车级IGBT芯片表面Al金属化层粗糙度的测试方法。包括下列步骤：去除IGBT模块外部的塑封料和连接端子，IGBT模块下部的铜底板和陶瓷基板；去除IGBT芯片表面的Al键合线，形成IGBT芯片和Al金属化层两层材料的试样；利用切割机的定位和切割功能将试样切成尺寸为12mm×12mm大小的方形试样；通过粗细砂纸对方形试样的边缘位置磨抛；取磨抛后的试样进行超声波清洗，取出样块待其自然干燥；然后将试样放置于定位装置的内部，通过定位装置上定位杆和定位滑块的配合，在定位框架允许运动范围内的任意位置实现精准定位，定位滑块的圆孔下方即为测试位置。移动AFM的探针使其对准定位滑块的圆孔，之后测试圆孔下方Al金属化层的粗糙度。
一种用于汽车 igbt 芯片表面 al 金属化粗糙测试方法

[发明专利]基于饱和压降测量IGBT功率模块结温的在线检测装置-CN201710163220.X有效
发明人：安彤;赵静毅;秦飞;别晓锐;方超 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-03-19 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G01K7/24 文献下载
摘要：本发明提供了基于饱和压降测量IGBT功率模块结温的在线检测装置，该装置选取小电流下集电极和发射极的电压V
基于饱和测量 igbt 功率模块在线检测装置

[发明专利]一种气密性影像芯片封装结构及其制作方法-CN201710329950.2有效
发明人：秦飞;别晓锐;唐涛;项敏;肖智轶 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种气密性影像芯片封装结构及其制作方法，将围堰正面铺设好导电线路，减薄后的影像芯片功能面朝向围堰空腔，使其焊垫贴合至围堰上的导电线路上而电性相连，并在影像芯片侧壁及影像芯片非功能面上包裹绝缘层，在影像芯片侧壁处的绝缘层内制作导电体，将围堰正面的导电线路引至影像芯片的非功能面，并通过非功能面绝缘层上的重布线金属线路引出电性。本发明的封装技术在影像芯片上未设置制程，可以实现影像传感器薄型化，提高了封装可靠性。省略了硅通孔制作，深孔钝化等高成本制程，大大节约了成本。
一种气密性影像芯片封装结构及其制作方法

[发明专利]一种缓解芯片封装应力的结构及其制作方法-CN201710329414.2有效
发明人：秦飞;唐涛;别晓锐;项敏;肖智轶 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种缓解芯片封装应力的结构及其制作方法。本发明通过在芯片焊垫稀疏或无焊垫的一侧的绝缘层上设置开口并填充金属的方法，减小绝缘层与芯片的接触面积，从而降低绝缘层对芯片的作用，缓解封装的应力，增强封装的可靠性。
一种缓解芯片封装应力结构及其制作方法

[发明专利]一种用于大功率串联IGBT的风冷水冷混合散热模组-CN201710163194.0有效
发明人：秦飞;赵静毅;安彤;别晓锐;方超 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-03-19 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开一种用于大功率串联IGBT的风冷水冷混合散热模组，包括散热器本体、导热材料、风机；所述的散热器本体包括风冷通道和水冷通道；IGBT模块通过导热材料安装于散热器的正面；散热器的侧面有密封水冷进水口、密封水冷出水口；与出入水口垂直的侧面安装风机；散热器的侧面与风机的出风口尺寸匹配，将风机出风口与散热片形成密封连接，形成强制风冷换热。本发明提供的风冷水冷混合散热模组，可以选择散热的方式，灵活控制散热量，并且在很大程度上减小了散热设备的体积。可满足大功率IGBT并联应用场合的散热需求。
一种用于大功率串联 igbt 风冷水冷混合散热模组

[发明专利]一种晶圆级焊锡微凸点的制作方法-CN201510420462.3有效
发明人：秦飞;别晓锐;史戈;安彤;武伟;肖智轶 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种新型晶圆级焊锡微凸点的制作方法，属于半导体芯片封装领域。本发明首先利用以曝光显影形成开口的光刻胶作为掩膜，在凸点下金属层上依次电镀铜层、阻挡层、焊料合金，并使得焊料合金完全包裹住底部的铜层‑阻挡层。然后通过先回流后去胶的方法形成焊锡微凸点，最后以微凸点作为刻蚀掩膜利用湿法刻蚀工艺去除多余的凸点下金属层。本发明能够避免凸点下金属层进行各向同性刻蚀时凸点层的电镀铜受到过度刻蚀，避免微凸点回流塌陷发生桥接，进而提高微凸点及封装产品的可靠性。
微凸点凸点下金属层焊锡焊料合金阻挡层半导体芯片封装各向同性刻蚀电镀铜层封装产品过度刻蚀刻蚀掩膜曝光显影湿法刻蚀电镀铜光刻胶晶圆级桥接去胶铜层凸点掩膜种晶去除制作塌陷开口

[发明专利]一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法-CN201510420460.4有效
发明人：秦飞;别晓锐;史戈;安彤;武伟;肖智轶 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法，属于半导体芯片封装领域。本发明首先利用经过曝光显影形成开口的光刻胶作为掩膜，在凸点下金属层上依次电镀铜层、阻挡层、焊料合金，并使得焊料合金完全包裹住底部的铜层和阻挡层。然后通过先回流后去胶的方法形成焊锡微凸点，最后以微凸点作为刻蚀掩膜利用湿法刻蚀工艺去除多余的凸点下金属层。本发明能够避免凸点下金属层进行各向同性刻蚀时凸点层的电镀铜受到过度刻蚀，避免微凸点回流塌陷发生桥接，进而提高微凸点及封装产品的可靠性。
微凸点凸点下金属层焊锡高可靠性焊料合金晶圆级阻挡层半导体芯片封装各向同性刻蚀电镀铜层封装产品过度刻蚀刻蚀掩膜曝光显影湿法刻蚀电镀铜光刻胶桥接去胶铜层凸点掩膜去除制作塌陷开口

[发明专利]用于探测功率循环实验中IGBT模块温度场的红外热成像测温方法-CN201711253600.9在审
发明人：安彤;方超;秦飞;别晓锐;赵静毅 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-12-02 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于探测功率循环实验中IGBT模块温度场的红外热成像测温方法，其包括以下步骤：(1)去除IGBT模块试样的硅胶并喷涂绝缘黑漆；(2)将IGBT模块试样安装在水冷散热器上；(3)确定实验参数，进行功率循环实验；(4)设置红外热成像仪的测温参数；(5)使用红外热成像仪的外部触发功能以一定的频率f进行拍摄；(6)设置延迟时间Δt使红外热成像仪在触发信号给出的Δt时间之后进行拍摄。本发明的优点在于通过使用红外热成像仪的外部触发功能，对红外热成像仪开始拍摄的时间进行延迟，可以获得功率循环实验加热过程中较多的温度数据。该方法操作简单，解决了使用红外热成像仪测温时无法兼顾精准度与温度数据量的问题。
用于探测功率循环实验 igbt 模块温度场红外成像测温方法

[发明专利]一种用于红外热成像仪测温的快速定位调焦装置-CN201711253608.5在审
发明人：安彤;方超;秦飞;别晓锐;赵静毅 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-12-02 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种红外热成像仪测温时的快速定位调焦装置，该装置包括底座(100)、支撑杆A(101a)、支撑杆B(101b)、支撑杆C(101c)、支撑杆D(101d)、z向导轨(102)、载物台(103)、紧固螺钉A(103a)、定位螺钉(103b)、圆盘(104)、紧固螺钉B(104a)和顶盖(105)；本发明所述的快速定位调焦装置，可以实现红外热成像仪从俯视角度测温时的准确定位和快速调焦，该装置结构简单，操作方便。
一种用于红外成像测温快速定位调焦装置

[发明专利]高像素影像传感器封装结构及其制作方法-CN201510420471.2有效
发明人：秦飞;史戈;别晓锐;安彤;武伟;肖智轶 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：高像素影像传感器封装结构及其制作方法，所述封装结构包含分别带有阶梯状收容结构的盖板和支撑盖板，一透明盖板及一带有重布线的晶圆。本发明通过采用刚度较大、强度相对较高的硅或硅基材料作为支撑盖板代替原本的高分子材料的支撑围堰层，解决了高分子聚合物支撑围堰层形成后的均一性差、与接触材料的结合力差等问题，可以减小由于热膨胀系数差异产生的热应力，改善结构中的分层、裂纹等失效。同时，该支撑盖板的高度可以根据实际需求设定，而不局限于几十微米，满足高像素图像传感器对透光盖板与影像传感区间的距离要求。
像素影像传感器封装结构及其制作方法

[发明专利]晶圆级焊锡微凸点及其制作方法-CN201510435559.1有效
发明人：曹立强;何洪文;戴风伟;秦飞;别晓锐;史戈 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆级焊锡微凸点及其制作方法，包括形成于IC晶圆上的焊盘和钝化层，在钝化层上设有开口，焊盘的表面于开口处裸露；在所述焊盘上依次设置溅镀的钛层和铜层，在溅镀的铜层表面设置电镀的附着层和阻挡层，在阻挡层上设置焊锡微凸点；所述焊锡微凸点包裹阻挡层的表面以及阻挡层和附着层的侧部，附着层和阻挡层的尺寸较铜层和钛层的尺寸小，附着层和阻挡层的边缘与铜层和钛层的边缘之间存在一定间距，焊锡微凸点包裹该间距处铜层的表面以及溅镀的铜层和钛层的侧部。本发明增加了焊锡微凸点与溅镀铜层的接触面积，提高了两者之间的粘附性，避免了分层失效的发生；避免了现有湿法刻蚀工艺去除溅镀金属层时引起的电镀铜层底切问题。
晶圆级焊锡微凸点及其制作方法

[发明专利]一种影像芯片的封装结构-CN201710329411.9在审
发明人：秦飞;唐涛;别晓锐;项敏;肖智轶 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种影像芯片的封装结构。本发明通过在所述影像芯片正面与玻璃之间设置两层围堰，并在两层围堰之间形成凸块和/或搭桥结构，既能提高芯片的支撑强度，又能防止在芯片存在高度差的位置产生气泡。通过本结构提高芯片的支撑强度，并防止在芯片存在高度差的位置产生气泡，从而防止芯片分层失效，提高良率。
一种影像芯片封装结构

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