[发明专利]具有UBM的封装件和形成方法有效
| 申请号： | 201510434802.8 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105428329B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 余振华;李建裕;郭宏瑞;黄立贤;陈宪伟;叶德强;刘重希;郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/485;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明讨论了封装件结构和形成封装件结构的方法。根据一些实施例，封装件结构包括集成电路管芯、至少横向密封集成电路管芯的密封剂、位于集成电路管芯和密封剂上的再分布结构、连接至再分布结构的连接件支撑金属以及位于连接件支撑金属上的外部连接件。再分布结构包括远离密封剂和集成电路管芯设置的介电层。连接件支撑金属具有位于介电层的表面上的第一部分并且具有在穿过介电层的开口中延伸的第二部分。连接件支撑金属的第一部分具有在远离介电层的表面的方向上延伸的倾斜侧壁。本发明的实施例还涉及具有UBM的封装件和形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路管芯 介电层 连接件 封装件结构 密封剂 再分布 金属 支撑 封装件 外部连接件 横向密封 倾斜侧壁 延伸 开口 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种封装件结构，包括：集成电路管芯；密封剂，至少横向密封所述集成电路管芯；再分布结构，位于所述集成电路管芯和所述密封剂上，所述再分布结构包括远离所述密封剂和所述集成电路管芯设置的第一介电层；连接件支撑金属，连接至所述再分布结构，所述连接件支撑金属具有位于所述第一介电层的第一表面上的第一部分并且具有在穿过所述第一介电层的开口中延伸的第二部分，所述连接件支撑金属的所述第一部分具有倾斜侧壁，所述倾斜侧壁在远离所述第一介电层的所述第一表面的方向上延伸；外部连接件，位于所述连接件支撑金属上；以及粘合层，位于所述连接件支撑金属的所述第一部分的至少部分上。
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