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[发明专利]再分布器-CN201010201910.8无效
发明人：潘小明;李执阶;潘新明;廖志年 -专利权人：江苏大明科技有限公司
申请日： 2010-06-13 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： B01D53/18 文献下载
摘要：一种再分布器，用于使三氯化磷气体与洗磷液气液相充分交换，其特征是主要由底板(1)、V形板帽(3)、围堰圈(5)和洗磷液堰槽(8)组成，所述底板(1)周围设有围堰圈(5)，围堰圈(5)内设有若干洗磷液堰槽本发明的再分布器能使气液相得到了进一步充分接触，克服了微小颗粒物及游离磷容易沿着洗磷塔壁或与气体夹带经冷凝器冷凝进入三氯化磷液体成品中的弊端。
再分

[实用新型]再分布器-CN201020226976.8有效
发明人：潘小明;李执阶;潘新明;廖志年 -专利权人：江苏大明科技有限公司
申请日： 2010-06-13 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： B01D53/18 文献下载
摘要：一种再分布器，用于使三氯化磷气体与洗磷液气液相充分交换，其特征是主要由底板(1)、V形板帽(3)、围堰圈(5)和洗磷液堰槽(8)组成，所述底板(1)周围设有围堰圈(5)，围堰圈(5)内设有若干洗磷液堰槽本实用新型的再分布器能使气液相得到了进一步充分接触，克服了微小颗粒物及游离磷容易沿着洗磷塔壁或与气体夹带经冷凝器冷凝进入三氯化磷液体成品中的弊端。
再分

[实用新型]再分布器-CN201820423498.6有效
发明人：陈宏江 -专利权人：醴陵市威特分离技术有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： B01J4/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种再分布器，它包括液体收集盘和升气管，所述液体收集盘具有收集腔；所述升气管安装在液体收集盘上，并且所述升气管的上端部伸入所述收集腔内，所述升气管的下端部伸出所述收集腔外，所述升气管的上端呈封闭状
升气管收集腔液体收集盘本实用新型再分布器伸入气液传质效率下端开口封闭状开口状上端部下端部液流孔上端下端堵塞伸出

[发明专利]再分布层以及形成再分布层的方法-CN201410601468.6在审
发明人： G·迈耶-伯格;R·普法尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供了一种用于芯片的再分布层，其中再分布层包括使两个连接点彼此连接的至少一个电导体路径，其中至少一个电导体路径被布置在平坦的支撑层上，以及其中电导体路径包括铜和数量上大于0.04的质量百分比的至少一种其他另一导电材料
再分以及形成方法

[发明专利]具有再分布结构的半导体封装件-CN202211151750.X在审
发明人：尹玉善;金智英;金真渶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体封装件包括再分布结构和至少一个半导体芯片，所述再分布结构包括：堆叠的多个再分布绝缘层、位于所述多个再分布绝缘层的上表面和下表面上并且构成处于彼此不同的垂直高度处的多个分布层的多个再分布线路图案以及穿过所述多个再分布绝缘层中的至少一个再分布绝缘层并且连接到所述多个再分布线路图案中的一些再分布线路图案的多个再分布通路，所述至少一个半导体芯片位于所述再分布结构上并且电连接到所述多个再分布线路图案和所述多个再分布通路。
具有再分结构半导体封装

[发明专利]再分布层连接-CN202180045680.7在审
发明人： A·帕蒂尔;卫洪博;M·徐 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本文的示例包括裸片到金属化结构连接，该连接消除了焊料结合点以减小连接上的电阻和噪声。在一个示例中，第一裸片(110)通过多个铜互连件(112)附接到金属化层(102)，并且第二裸片(104)通过另一多个铜互连件(114)附接到与第一裸片相对的金属化层。在该示例中，铜互连件可以将相应的裸片连接到金属化层(102)中的金属化结构(116，118)。
再分连接

[发明专利]再分布层结构-CN201610912724.2有效
发明人：翁肇甫 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本申请涉及可用于半导体衬底封装的再分布层结构、半导体封装结构以及芯片结构。在一个实施例中，再分布层结构包含介电层、抗镀层以及导电材料。所述介电层界定一或多个沟槽。
再分结构半导体衬底封装芯片及其制造方法

[发明专利]再分布结构及其制作方法和再分布凸点及其制作方法-CN200710040237.2有效
发明人：王继明;李润领;靳永刚;梅娜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-24 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种再分布结构，包括：表面具有第一钝化层的晶片；第一开口，位于第一钝化层内并暴露出晶片表面；再分布金属层，位于第一钝化层上并填充第一开口；第二钝化层，覆盖再分布金属层；第二开口，位于第二钝化层内，并暴露出再分布金属层，第一开口和第二开口错开分布。本发明还提供了所述再分布结构的形成方法和包含所述再分布结构的再分布凸点及其形成方法。本发明再分布结构以及再分布凸点的结构简单，形成再分布结构以及再分布凸点的工艺步骤少，工艺简单。
再分结构及其制作方法布凸点

[发明专利]具有再分布线结构的扇出型半导体封装件-CN201910450006.1在审
发明人：金钟润;李锡贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供了一种包括再分布线结构的扇出型半导体封装件。扇出型半导体封装件包括：再分布线结构，所述再分布线结构包括多个再分布线绝缘层和多个再分布线图案，每一个所述再分布线图案位于所述多个再分布线绝缘层中的一个再分布线绝缘层的上表面和下表面之一上；至少一个半导体芯片，所述至少一个半导体芯片布置在所述再分布线结构上并且所占据的覆盖区域的水平宽度小于所述再分布线结构的水平宽度；以及模制构件，所述模制构件在所述再分布线结构上包围所述至少一个半导体芯片并且所述模制构件的水平宽度小于所述再分布线结构的水平宽度，其中，所述多个再分布线绝缘层具有阶梯结构。
再分布线结构绝缘层半导体芯片模制构件半导体封装件布线图案扇出型覆盖区域阶梯结构上表面下表面包围占据

[发明专利]再分布衬底以及包括再分布衬底的半导体封装-CN202211394880.6在审
发明人：黄贤瀞;金东奎;石敬林;李元宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：公开了再分布衬底，可以包括：第一互连层，具有第一绝缘图案、第一虚设图案和第二虚设图案，第一虚设图案和第二虚设图案在第一绝缘图案中；以及第二互连层，堆叠在第一互连层上，第二互连层具有第二绝缘图案、信号图案和电源
再分衬底以及包括半导体封装

[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201611177412.8有效
发明人：王智东;傅俊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供器件晶圆，在器件晶圆上形成第一钝化层、再分布线以及第一再分布焊盘和第二再分布焊盘；形成覆盖再分布线、第一再分布焊盘和第二再分布焊盘的第二钝化层和光刻胶层；对光刻胶层进行图形化，以形成用于暴露所述第一再分布焊盘的第一开口，和用于暴露所述第二再分布焊盘的第二开口；以光刻胶层为掩膜刻蚀第二钝化层，以暴露第一再分布焊盘表面，以及暴露第二再分布焊盘的表面和部分第二再分布焊盘侧壁，同时在第二再分布焊盘底部形成间隙壁。该半导体器件的制作方法可以克服目前的再分布焊盘制作工艺复杂，容易出现穿通的问题。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。
半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]半导体封装件-CN202111152196.2在审
发明人：金原永;姜善远 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：公开了一种半导体封装件，其包括：半导体芯片，所述半导体芯片包括位于所述半导体芯片的一个表面上的芯片焊盘；再分布图案，所述再分布图案位于所述半导体芯片的所述一个表面上并且电连接至所述芯片焊盘；以及光敏介电层，所述光敏介电层位于所述半导体芯片与所述再分布图案之间。所述光敏介电层可以与所述再分布图案物理接触。所述再分布图案包括信号再分布图案、接地再分布图案和电力再分布图案。所述芯片焊盘与所述信号再分布图案之间的垂直距离可以大于所述信号再分布图案的宽度。
半导体封装

[实用新型]气液再分布器-CN201720198193.5有效
发明人：陈小慧 -专利权人：上海梅思泰克环境股份有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： B01D53/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种气液再分布器，包括上体和下体，所述上体包括气体再分布器、液体再分布器，气体再分布器位于液体再分布器内部；所述下体包括气流通道、集液槽和液体引流管，气流通道、集液槽同轴分布在液体引流管的上方；所述上体和下体通过分布器支撑杆连接。所述液体再分布器为正圆锥结构，气体再分布器为倒圆锥结构，气体再分布器的底端与液体再分布器的内壁无缝连接。
再分

[发明专利]中介结构和包括其的半导体封装-CN202211389731.0在审
发明人：卢宝仁;安正勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种中介结构包括：中介基板；中介贯通电极，在垂直方向上穿透中介基板；再分布结构，在中介基板上并包括连接到中介贯通电极的再分布图案以及在中介基板上在再分布图案的侧表面上的再分布绝缘层；导电柱，在再分布结构上并连接到再分布图案；以及中介绝缘层，在再分布结构上在导电柱的侧表面上。
中介结构包括半导体封装

[实用新型]一种填料塔液体再分布器-CN202121915351.7有效
发明人：龚曲靖;钟选红;王文祥;吴沅州;陈显富;任世武 -专利权人：贵州楚天两江环境股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： B01D3/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种填料塔液体再分布器，包括：紧贴固定连接在填料塔内壁上的水平环槽，水平环槽对填料塔内侧壁的壁流液体进行汇集；水平环槽与位于填料塔中部的再分布槽固定连通，再分布槽为首尾相连的槽体，再分布槽上有多个间隔均匀分布的供水流均匀下落再分布的通孔当水平环槽对填料塔内侧壁的壁流液体进行汇集后，汇集的液体在首尾相连槽体的再分布槽内摊后，再通过通孔均匀下落，由于再分布槽位于填料塔中部，应用在大直径填料塔内时，能将液体重新均匀分布到靠近塔中心位置，再分布效果基本不会受壁流量影响，解决了现有再分布器液体会向两侧再分布的问题。
一种填料液体再分

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