[发明专利]感光膜的设置方法、半导体装置的制造方法及电子设备在审
| 申请号： | 201510174089.8 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN104977819A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 世良博;中岛嘉树 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/32 | 分类号： | G03F7/32;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及感光膜的设置方法、半导体装置的制造方法及电子设备。提供形状精度高地设置膜厚薄的区域的抗蚀膜的方法。该感光膜的设置方法具有：在基板主体(10)上设置光致抗蚀膜(15)，使用光透过率为3灰度以上的半色调掩膜(30)进行曝光，使光致抗蚀膜(15)显影的工序，显影后的光致抗蚀膜(15)具有第一光致抗蚀膜(16)和比第一光致抗蚀膜(16)厚的第二光致抗蚀膜(17)，在显影后的基板主体(10)上，在不除去光致抗蚀膜(15)而可以设置第二光致抗蚀膜(17)的位置设置第二光致抗蚀膜(17)。 | ||
| 搜索关键词： | 感光 设置 方法 半导体 装置 制造 电子设备 | ||
【主权项】：
一种感光膜的设置方法，其特征在于，包括：曝光工序，使用具有第一灰度和第二灰度的光掩膜使在基板上形成的第一感光膜曝光；显影工序；以及杂质注入工序，注入规定的杂质，所述显影工序后形成的第二感光膜中，以所述第一灰度被曝光的第一区域的厚度比以所述第二灰度被曝光的第二区域的厚度厚，所述第一区域的厚度是不使所述规定的杂质透过的厚度，以在所述显影工序中不需要除去所述第一感光膜的区域成为所述第一区域的方式构成所述光掩膜。
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式中，R1、R2可以相同也可以不同，表示氢原子或者甲基，R3、R4可以相同也可以不同，表示氢原子、甲基或者乙基，R5表示包含双键或三键的碳原子数2～5的烃基或者亚苯基，R6、R7可以相同也可以不同，表示氢原子或者甲基。
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离子或咪唑
离子。)
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- 2017-11-22 - 2018-12-04 - G03F7/32
- 本公开实施例提供负型显影剂与对应的光刻技术，以克服分辨率、线路边缘粗糙度、与敏感度的权衡得失障碍(特别是对极紫外线技术)，可达进阶技术节点的高图案保真度。例示性的光刻方法包含形成负型光致抗蚀剂层于工件上；以极紫外线曝光负型光致抗蚀剂层；以及在负型显影剂中移除负型光致抗蚀剂层的未曝光部分，以形成图案化负型光致抗蚀剂层。负型显影剂包括logP值大于1.82的有机溶剂。有机溶剂为酯类衍生物R1COOR2。R1与R2为碳数小于或等于4的碳氢链。在一些实施方式中，R1、R2、或R1与R2两者为丙基，比如正丙基、异丙基、或2‑甲基丙基。
- 一种TFT-LCD负性显影液-201810857507.7
- 赵文应 - 赵文应
- 2018-07-31 - 2018-11-30 - G03F7/32
- 本发明公开了一种TFT‑LCD负性显影液。该负性显影液由以下重量百分比的原料组成：无机碱3%‑5%，无机盐1%‑2%，缓蚀剂0.5%‑1%，表面活性剂5%‑10%，阻垢剂0.5‑3%，去离子水79%‑90%。其中所述无机碱是氢氧化钾，无机盐是碳酸钾，缓蚀剂是硅酸钠，表面活性剂是壬基丁基封端聚氧乙烯醚（C9H19O(C2H4O)nC4H9，n=9‑12），阻垢剂是羟基乙叉二膦酸。本发明的TFT‑LCD负性显影液的优点在于：水基体系，绿色环保；泡沫量少，适合于喷淋生产；显影干净，无残留胶杂。
- 加工平版印刷版的设备和相应方法-201780017598.7
- P.莫里阿墨;I.博古诺维奇;L.维夫洛阿特 - 爱克发有限公司
- 2017-02-03 - 2018-11-09 - G03F7/32
- 加工平版印刷版材的设备，其包含显影单元和含有闭合回路的再循环系统，所述闭合回路包括用于吸入显影溶液的至少一个进入口和用于注射所述显影溶液的至少一个进入口。
- 加工平版印刷版的方法和设备-201780017599.1
- P.莫里亚梅;I.博古诺维克 - 爱克发有限公司
- 2017-02-03 - 2018-11-09 - G03F7/32
- 加工平版印刷版材的设备，包含包括显影腔(6)的显影单元(5)，所述腔包含底板(10)、盖板(7)和侧壁(21,22)，其一起限定除了入口孔(8)和出口孔(9)之外封闭的体积，所述入口孔允许版材进入腔且所述出口孔允许版材离开腔；其特征在于，所述盖板(7)在朝向所述显影单元的一侧提供有至少一个突出元件。
- 专利分类
