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[发明专利]处理液、试剂盒、基板的清洗方法-CN201880052428.7有效
发明人：高桥智威;上村哲也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种处理液，其为半导体器件用处理液，且对处理对象物的防腐性、残渣物去除性及缺陷抑制性优异。并且，提供一种试剂盒及对使用上述处理液的基板进行清洗的方法。一种处理液，其为半导体器件用处理液，且包含水、有机溶剂及2种以上的含氮芳香族杂环化合物。
处理试剂盒清洗方法

[发明专利]分析方法、药液及药液的制造方法-CN201980011053.4有效
发明人： 上村哲也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01N23/223 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种在将受检体尤其金属杂质的含量少的受检体涂布于基板上而测量基板上的每单位面积的金属杂质量时，也能够轻松地得到准确的测量结果的分析方法、药液及药液的制造方法。本发明的分析方法包括工序A，以规定倍率浓缩包含至少一种有机溶剂和含有金属原子的金属杂质的受检体而得到浓缩液；工序B，将浓缩液涂布于基板上而得到经涂布的基板；及工序C，利用全反射荧光X射线分析法，测量经涂布的基板上的每单位面积的金属原子数而得到测量值。
分析方法药液制造

[发明专利]处理液及处理液收容体-CN201780025775.6有效
发明人：村山哲;清水哲也;上村哲也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够抑制半导体器件的缺陷的产生且抗腐蚀性及润湿性优异的处理液。本发明的处理液为半导体器件用处理液，其含有：选自包括醚类、酮类及内酯类的组中的至少一种有机溶剂；水；及包含选自包括Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、Ti及Zn的组中的至少一种金属元素的金属成分，处理液中的水的含量为100质量ppb～100质量ppm，处理液中的金属成分的含量为10质量ppq～10质量ppb。
处理收容

[发明专利]药液、药液容纳体、图案形成方法及试剂盒-CN201780065656.3有效
发明人： 上村哲也;高桥智美 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够使用少量的抗蚀剂组合物在基板上形成更薄且厚度均匀的抗蚀膜，并且具有优异的缺陷抑制性能的药液。并且，本发明的课题还在于提供一种图案形成方法。本发明的药液含有：2种以上的有机溶剂的混合物；及杂质金属，该杂质金属含有选自由Fe、Cr、Ni及Pb组成的组中的1种，该药液中，混合物在25℃下的蒸气压为50～1420Pa，当药液中含有1种杂质金属时，药液中的杂质金属的含量为0.001～100质量ppt，当药液中含有2种以上的杂质金属时，药液中的杂质金属各自的含量为0.001～100质量ppt。
药液容纳图案形成方法试剂盒

[发明专利]清洁组合物-CN201880053404.3有效
发明人： T·多瑞;E·A·克内尔;上村哲也 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C07D253/04 文献下载
摘要：本发明涉及非腐蚀性清洁组合物，可用于例如作为多步制造工艺中的中间步骤，从半导体衬底上去除残余物(例如，等离子体蚀刻残余物和/或等离子体灰化残余物)和/或金属氧化物。
清洁组合

[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体制造装置的清洗方法及清洗液的清洁度的测量方法-CN202180053293.8在审
发明人：大津晓彦;河田幸寿;室祐继;吉留正洋;上村哲也;西塔亮 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种更简便地管理包含有机溶剂的药液的纯度的半导体器件的制造方法及半导体制造装置的清洗方法以及清洗液的清洁度的更简便的测量方法。半导体器件的制造方法具有：工序1，使振子与以有机溶剂为主成分的药液接触，以获得由于药液的接触导致的振子的共振频率的变化量；工序2，确认药液的共振频率的变化量是否包含在基于预先设定的药液的纯度的共振频率的变化量的允许范围内；及工序3，将在工序2中确认的药液使用于半导体器件的制造中。
半导体器件制造方法半导体装置清洗清洁测量方法

[发明专利]管理方法、测定方法、测定装置、石英晶体振子传感器及套件-CN202080090343.5在审
发明人： 上村哲也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G01N5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种更简便地管理包含有机溶剂的药液的纯度的管理方法、测定方法、测定装置、石英晶体振子传感器及套件。本发明的管理方法感测包含有机溶剂的药液中的杂质来管理药液的纯度，所述管理方法具有：工序1，准备包含有机溶剂的对象药液；工序2，使包含吸附杂质的吸附层及石英晶体振子的石英晶体振子传感器与对象药液接触，获得由于与对象药液的接触而引起的石英晶体振子的共振频率的变化量；及工序3，比较所获得的共振频率的变化量是否包括在基于预先设定的对象药液的纯度的共振频率的变化量的允许范围内来管理药液的纯度，在工序2中，与对象药液接触的接液部的至少一部分由氟系树脂构成。
管理方法测定装置石英晶体传感器套件

[发明专利]溶液、溶液收容体、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、图案形成方法、半导体装置的制造方法-CN201780053869.4有效
发明人： 上村哲也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种含有98质量％以上的机溶剂作为主成分，且缺陷抑制性能优异的溶液。本发明的另一课题在于提供一种收容有所述溶液的溶液收容体、含有所述溶液的感光化射线性或感放射线性树脂组合物、以及使用了所述溶液的图案形成方法及半导体装置的制造方法。本发明的溶液为具有至少一种沸点小于200℃的有机溶剂和沸点为250℃以上的有机杂质的溶液，所述有机溶剂的含量相对于溶液总质量为98质量％以上，所述有机杂质的含量相对于溶液总质量为0.1质量ppm以上且小于100质量ppm。
溶液收容感光射线放射线性树脂组合图案形成方法半导体装置制造

[发明专利]半导体制造用处理液及图案形成方法-CN202210278119.X在审
发明人： 上村哲也;清水哲也;村山哲 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G03F7/027 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够减少含有金属原子的颗粒的产生且能够形成良好的图案的半导体制造用处理液及图案形成方法。本发明的实施方式所涉及的半导体制造用处理液包含：由通式(N)所表示的季铵化合物；选自包括阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂、阳离子表面活性剂及螯合剂的组中的至少一种添加剂；及水。上述半导体制造用处理液包含选自包括Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn的组中的一种或两种以上的金属原子，且相对于所述添加剂的总质量与上述金属原子的总质量的合计，上述金属原子的总质量为1质量ppt～1质量ppm。
半导体制造用处图案形成方法

[发明专利]研磨液、研磨液的制造方法、研磨液原液、研磨液原液收容体、化学机械研磨方法-CN201880012596.3有效
发明人： 上村哲也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种适用于包含含钴层的被研磨体的CMP时，在被研磨面难以产生凹陷及缺陷的研磨液。并且，本发明的另一课题在于提供一种研磨液的制造方法、研磨液原液、研磨液原液收容体及化学机械研磨方法。本发明的研磨液为化学机械研磨用研磨液，所述研磨液含有：缔合度1～3的胶体二氧化硅；有机酸；唑系化合物；及过氧化氢，使上述研磨液与钴基板接触24小时时，在上述钴基板上形成含有钴原子且厚度0.5～20nm的反应层。
研磨制造方法原液收容化学机械

[发明专利]过滤装置、纯化装置及药液的制造方法-CN201980016119.9有效
发明人： 上村哲也;高桥智美;大松祯;清水哲也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： B01D61/58 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够制造具有优异的缺陷抑制性能的药液的过滤装置。并且，课题还在于提供一种纯化装置及药液的制造方法。一种过滤装置，其用于将被纯化液进行纯化而得到药液，所述过滤装置具有：流入部；流出部；过滤器A；与过滤器A不同的至少1个过滤器B；及串联配置有过滤器A及过滤器B的从流入部至流出部的流道，其中，过滤器A具有：超高分子量聚乙烯制的多孔性膜；及树脂层，以覆盖多孔性膜的表面的至少一部分的方式配置，树脂层包含具有中性基或离子交换基的树脂。
过滤装置纯化药液制造方法

[发明专利]处理液、其制造方法、图案形成方法及电子器件的制造方法-CN201780021942.X有效
发明人： 上村哲也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明的目的为提供一种能够抑制缺陷的产生且能够制造微细的抗蚀剂图案或微细的半导体元件的半导体制造用处理液。本发明的实施方式的半导体制造用处理液含有1种或2种以上的满足下述条件(a)的化合物(A)、1种或2种以上的满足下述条件(b)的化合物(B)、1种或2种以上的选自Al化合物及NOx化合物的化合物(C)。在该处理液中，化合物(A)的含有率的合计为70.0～99.9999999质量％，化合物(B)的含有率的合计为10‑10～0.1质量％，下述式I所表示的化合物(B)与化合物(C)的比率P为103～10‑6。条件(a)：是选自酰胺化合物、酰亚胺化合物及亚砜化合物，且上述处理液中的含有率为5.0～99.9999999质量％的化合物。条件(b)：是选自碳原子数6以上的酰胺化合物、酰亚胺化合物及亚砜化合物，且上述处理液中的含有率为10‑11～0.1质量％的化合物，(式I)P＝[化合物(C)的总质量]/[化合物(B)的总质量]。
处理制造方法图案形成电子器件

[发明专利]药液收容体-CN201880056623.7有效
发明人： 上村哲也;吉留正洋;河田幸寿 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：本发明的课题为提供一种药液收容体。该药液收容体在保管一定期间之后，将所收纳的药液应用于包含光刻的布线形成工序中时，在所形成的布线基板中不易发生短路，且不易产生缺陷。本发明的药液收容体具有容器及收容于容器中的药液，该药液收容体中，药液含有选自包含Fe、Al、Cr及Ni的组中的至少1种特定金属成分，相对于药液的总质量，药液中的特定金属成分的含量为100质量ppt以下，容器的接液部的至少一部分由含有钠原子的玻璃制成，在接液部的至少一部分中，表面区域中的钠原子相对于表面区域的总质量的含量A与主体区域中的钠原子相对于主体区域的总质量的含量B之含有质量比A/B超过0.10且小于1.0。
药液收容

[发明专利]构件、容器、药液收容体、药液的纯化装置、制造槽-CN201880036998.7有效
发明人： 上村哲也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C08J5/00 文献下载
摘要：本发明的课题为提供一种构件，所述构件在应用于药液的纯化装置和/或收容药液的容器的接液部等的情况下，能够长时间保持获得的药液的缺陷抑制性能。并且，本发明的课题还提供一种容器、药液收容体、药液的纯化装置及制造槽。一种构件，其含有含氟聚合物及含氟表面活性剂，所述构件中，在构件的至少一部分表面中，将表面的含氟表面活性剂的质量基准的含量设为M1，且以构件的表面为基准，将位于构件的深度方向10nm的含氟表面活性剂的质量基准的含量设为M2时，M1/M2为0.50～0.90，表面的氟原子的含有原子数与碳原子的含有原子数的含有原子数比X1为0.50～3.0。
构件容器药液收容纯化装置制造

[发明专利]半导体制造用处理液及图案形成方法-CN201780020558.8有效
发明人： 上村哲也;清水哲也;村山哲 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够减少含有金属原子的颗粒的产生且能够形成良好的图案的半导体制造用处理液及图案形成方法。本发明的实施方式所涉及的半导体制造用处理液包含：由通式(N)所表示的季铵化合物；选自包括阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂、阳离子表面活性剂及螯合剂的组中的至少一种添加剂；及水。上述半导体制造用处理液包含选自包括Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn的组中的一种或两种以上的金属原子，且相对于所述添加剂的总质量与上述金属原子的总质量的合计，上述金属原子的总质量为1质量ppt～1质量ppm。
半导体制造用处图案形成方法

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