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- [发明专利]抗蚀剂图案被覆用涂布液及图案的形成方法-CN201680018377.7有效
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西田登喜雄;坂本力丸
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日产化学工业株式会社
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2016-03-18
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2023-07-14
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G03F7/40
- 本申请的课题在于提供一种新的抗蚀剂图案被覆用涂布液。作为解决本发明课题的手段为一种抗蚀剂图案被覆用涂布液，其包含：具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物，下述式(2)所示的伯胺、仲胺或叔胺，以及能够溶解上述聚合物和胺的下述式(3)所示的酯。[(式(1)中，R1表示氢原子或甲基，L表示可以具有至少1个取代基的二价的芳香族基团、‑C(＝O)‑O‑基或‑C(＝O)‑NH‑基，X表示氢原子、或者碳原子数1～10的直链状或支链状的烷基或烷氧基，该烷基中的至少1个氢原子可以被卤原子或羟基取代。)(式(2)中，R2、R3和R4各自独立地表示氢原子、羟基、或者碳原子数1～16的直链状、支链状或环状的有机基团。)(式(3)中，R5和R6各自独立地表示碳原子数1～16的直链状或支链状的有机基团。)]。
- 抗蚀剂图案被覆用涂布液形成方法
- [发明专利]药液耐性保护膜-CN202180061886.9在审
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西田登喜雄;远藤勇树
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日产化学株式会社
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2021-09-09
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2023-05-02
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C08G59/40
- 提供在半导体基板加工时具有针对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、低干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性和埋入性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、抗蚀剂下层膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：(A)具有下述式(1‑1)所示的单元结构的聚合物：(在式(1‑1)中，Ar表示苯环、萘环或蒽环，R1表示羟基、可以被甲基保护的巯基、可以被甲基保护的氨基、卤代基、或可以被杂原子取代或中断且可以被羟基取代的碳原子数1～10的烷基，n1表示0～3的整数，L1表示单键或碳原子数1～10的亚烷基，E表示环氧基，T1在n2＝1时表示单键、或可以被醚键、酯键或酰胺键中断的碳原子数1～10的亚烷基，T1在n2＝2时表示氮原子或酰胺键)；(B)除儿茶酚以外的具有酚性羟基的化合物或聚合物；(C)热产酸剂；以及(D)溶剂。
- 药液耐性保护膜
- [发明专利]剥离层形成用组合物和剥离层-CN201880049242.6有效
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进藤和也;西田登喜雄;江原和也;何邦庆
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日产化学株式会社
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2018-07-26
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2023-03-31
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C08L79/04
- 本发明提供剥离层形成用组合物，该剥离层形成用组合物包含：(A)含有由下述式(1)表示的重复单元的聚脲、(B)酸化合物或其盐、(C)选自具有经羟基烷基和/或烷氧基甲基取代的氮原子的化合物中的交联剂、(D)含有由下述式(a1)表示的重复单元、由下述式(b)表示的重复单元和由下述式(c)表示的重复单元的高分子添加剂以及(E)溶剂，相对于(A)聚脲100质量份，含有5～100质量份的(D)高分子添加剂。(式中，RA各自独立地为氢原子或甲基，RB1为至少1个氢原子被氟原子取代的碳原子数3或4的分支状的烷基，RC为碳原子数1～10的羟基烷基，RD为碳原子数的6～20的多环式烷基或碳原子数6～12的芳基。)
- 剥离形成组合
- [发明专利]药液耐性保护膜-CN202180021035.1在审
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桥本雄人;西田登喜雄;远藤勇树
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日产化学株式会社
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2021-03-29
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2022-11-01
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G03F7/11
- 提供在半导体基板加工时针对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、此外保存稳定性优异的保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含具有下述式(1‑1)所示的单元结构的聚合物、热聚合引发剂和溶剂，(在式(1‑1)中，Ar表示苯环、萘环或蒽环，R1表示羟基、可以被甲基保护的巯基、可以被甲基保护的氨基、卤代基、或可以被杂原子取代或中断且可以被羟基取代的碳原子数1～10的烷基，n1表示0～3的整数，n2表示1或2，L1表示单键或碳原子数1～10的亚烷基，E表示环氧基，T1在n2＝1时表示单键、可以被醚键、酯键、或酰胺键中断的碳原子数1～10的亚烷基，T1在n2＝2时表示氮原子或酰胺键)。
- 药液耐性保护膜
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