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[发明专利]膜形成组合物以及使用了其的膜形成方法-CN201880022049.3有效
发明人：尾崎祐树;能谷刚;小林政一 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C08L83/16 文献下载
摘要：[问题]本发明提供一种可形成气体阻隔性能优异的膜的膜形成组合物与膜形成方法。[解决手段]一种膜形成组合物，其特征在于，包含聚硅氮烷、有机溶剂以及具有特定结构的添加剂；以及一种膜形成方法，其包含以下的工序：将该组合物涂布于基板，进行曝光。此特定的添加剂是：在结构中具有由从由碳、氮以及氧组成的组中选出的原子构成的非共轭系环状结构的添加剂之中的、由特定的通式表示的添加剂。
形成组合以及使用方法

[发明专利]膜形成组合物-CN201880021994.1有效
发明人： 能谷刚;久保雅彦;佐竹昇;野岛由雄;尾崎祐树;冈村聪也 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：[问题]本发明提供一种可在低温进行固化的膜形成组合物与使用了该膜形成组合物的二氧化硅质膜形成方法。[解决手段]一种膜形成组合物，其包含聚硅氮烷、有机溶剂、以及特定的添加剂；以及一种膜形成方法，其中，将该膜形成组合物涂布于基板，进行固化。该特定的添加剂从由(A)烃基取代的胍类、(B)包含氧以及氮作为构成成员的冠醚胺类、(C)具有氨基取代的多环结构的环烷基类、(D)烃基取代的肟类、以及(E)咪唑啉类组成的组中选出。
形成组合

[发明专利]用于形成底层的组合物和使用其形成底层的方法-CN201680010048.8有效
发明人：铃木理人;滨祐介;柳田浩志;能谷刚;中杉茂正 -专利权人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C08G73/02 文献下载
摘要：提供用于形成底层的组合物，其可以形成具有平坦表面的底层。[解决方案]一种用于形成底层的组合物，其包含具有含氮重复单元的聚合物和溶剂。该底层是通过将该组合物涂布在基板上，优选在不活泼气氛中烘焙，然后在含氧空气中烘焙而形成的。
用于形成底层组合使用方法

[发明专利]刻蚀用清洗液以及使用其的图案形成方法-CN201480025048.6有效
发明人：松浦裕里子;露木纱罗;能谷刚 -专利权人： AZ电子材料（卢森堡）有限公司
申请日： 2014-05-01 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：通过使用包含由下述式(I)表示的非离子类表面活性剂和水的刻蚀用清洗液，对通过将感光性树脂进行曝光、显影而获得的微细抗蚀图案进行清洗，从而形成没有图案倒塌、图案缺陷、线宽偏差、图案熔化的抗蚀图案。式中，R₁、R₂可以相同也可以不同，表示氢原子或者甲基，R₃、R₄可以相同也可以不同，表示氢原子、甲基或者乙基，R₅表示包含双键或三键的碳原子数2～5的烃基或者亚苯基，R₆、R₇可以相同也可以不同，表示氢原子或者甲基。
刻蚀清洗以及使用图案形成方法

[发明专利]精细抗蚀图案形成用组合物以及使用其的图案形成方法-CN201380051105.3有效
发明人：山本和磨;石井雅弘;关藤高志;柳田浩志;中杉茂正;能谷刚 -专利权人： AZ电子材料（卢森堡）有限公司
申请日： 2013-10-01 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明提供一种能够形成干式刻蚀耐性高的图案的精细图案形成用组合物、以及使用了上述精细图案形成用组合物的制造过程中的配管堵塞少的图案形成方法。一种精细图案形成用组合物以及使用了其的图案形成方法，该精细图案形成用组合物用于在使用化学放大型抗蚀剂组合物来形成负型抗蚀图案的方法中，通过使抗蚀图案变粗而使图案精细化，其含有聚合物和有机溶剂，该聚合物含有具有羟基芳基的重复单元，该有机溶剂不使上述负型抗蚀图案溶解。在图案形成方法中，通过利用同一涂布装置对抗蚀剂组合物和其精细图案形成用组合物进行涂布，从而可防止配管堵塞。
精细图案形成组合以及使用方法

[发明专利]聚合物、组合物、牺牲层的形成以及用于具有其的半导体装置的方法-CN201780010051.4在审
发明人：中杉茂正;滨祐介;黑泽和则;柳田浩志;能谷刚 -专利权人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C08G61/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚合物、组合物、牺牲层的形成和制备半导体装置的方法，其包括通过光刻法使用光致抗蚀剂制作图案的步骤。
聚合物牺牲层制备半导体装置半导体装置光致抗蚀剂光刻法图案制作

[发明专利]牺牲膜用组合物、以及其制造方法、以及具备有使用该组合物而形成的空隙的半导体装置、以及使用了该组合物的半导体装置的制造方法-CN201580042676.X在审
发明人：中杉茂正;绢田贵史;能谷刚;柳田浩志;浜祐介 -专利权人： AZ电子材料（卢森堡）有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种耐热性和保存稳定性优异的牺牲膜用组合物与使用了其的半导体装置的制造方法。本发明的解决手段是如下一种牺牲膜用组合物，其包含有包含着含有具有孤对电子的氮原子的重复单元的聚合物、以及溶剂，其中特定的过渡金属离子含有率非常低；一种以牺牲材料的形式利用前述组合物从而制造具备有多孔质材料的半导体装置的方法。
牺牲组合及其制造方法以及备有使用形成空隙半导体装置

[发明专利]空隙形成用组合物、具备使用该组合物而形成的空隙的半导体装置、以及使用了该组合物的半导体装置的制造方法-CN201580028112.0有效
发明人：中杉茂正;绢田贵史;能谷刚 -专利权人： AZ电子材料（卢森堡）有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C08L65/00 文献下载
摘要：本发明提供一种空隙形成用组合物与使用了其的半导体装置的制造方法，该空隙形成用组合物可形成由在所希望的温度完全地分解气化的牺牲材料形成的牺牲区域。一种空隙形成用组合物，其特征在于，其包含聚合物以及溶剂，该聚合物包含5个以上的由下述式(1)或者下述式(2)表示的至少1种重复单元。[式中，Ar1、Ar2以及Ar2’分别独立地为非取代或者取代了的芳香族基团，L1～L2分别独立地从由氧、硫、烷基、砜、酰胺、酮或者下述通式(3){式中，Ar3为芳香族基团，L3是从由氮、硼以及磷组成的组中选出的三价原子}组成的组中选出。]
空隙形成组合具备使用半导体装置以及制造方法

[发明专利]超精细图案化掩模、其生产方法以及将其用于形成超精细图案的方法-CN200980103216.8有效
发明人：高野祐辅;季晋;石川智规;能谷刚 -专利权人： AZ电子材料(日本)株式会社
申请日： 2009-01-27 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种超精细图案形成方法，其可以简便地以高规模化生产率来生产超精细图案。该方法中，在待处理薄膜上形成第一凸起图案；在凸起图案的侧面上形成由含硅氮烷键的树脂组合物形成的隔体；通过使用隔体或设置在隔体周围的树脂层作为掩模来形成超精细图案。该隔体通过仅在第一凸起图案周围的部分固化均匀涂覆的树脂组合物来形成。因此，可以形成与常规图案形成方法相比更加精细的图案。
精细图案化掩模生产方法以及用于形成

[发明专利]用于形成抗反射膜的组合物以及使用该组合物的图案形成方法-CN200880122511.3有效
发明人： 能谷刚;秋山靖;高野祐辅 -专利权人： AZ电子材料(日本)株式会社
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于形成具有低折射率，平缓的摆动曲线，小摆动比率的顶部抗反射涂层组合物。该组合物包含溶剂和具有亲水基的含蒽骨架聚合物。该组合物涂覆在光致抗蚀膜上形成抗反射涂层，并能用在通过使用波长为160～260nm的光形成图案的光刻法中。
用于形成反射组合以及使用图案方法

[发明专利]用于形成顶层抗反射膜的组合物以及使用该组合物的图案形成方法-CN200880119991.8有效
发明人：秋山靖;能谷刚;仓本胜利;高野祐辅 -专利权人： AZ电子材料(日本)株式会社
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：公开了一种用于形成顶层抗反射膜的组合物，其包含至少一种含氟化合物和通式(1)表示的季铵化合物(其中R¹、R²、R³和R⁴中的至少一个表示羟基或链烷醇基，其余的表示氢原子或具有1～10个碳原子的烷基；X^-表示羟基、卤离子或硫酸根离子)，以及非强制选择的水溶性聚合物、酸、表面活性剂和水性溶剂。该用于形成顶层抗反射膜的组合物当以较少用量涂覆时，可以表现出与传统的用于形成顶层抗反射膜的组合物相同水平的功能。通式(1)
用于形成顶层反射组合以及使用图案方法

[发明专利]用于上表面抗反射膜的组合物以及使用它的图案形成方法-CN200780041307.4无效
发明人： 能谷刚;小林政一;秋山靖;仓本胜利 -专利权人： AZ电子材料（日本）株式会社
申请日： 2007-11-15 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于形成顶部抗反射涂层的组合物，并还提供了一种使用该组合物的图案形成方法。该组合物防止曝光步骤中由于光线在抗蚀层中的反射导致的图案损失，并且它还避免了由蚀刻步骤产生的残留物导致的困扰。该组合物包含溶剂和平均粒径为1～100nm的微粒。本发明的图案形成方法中，用该组合物形成顶部抗反射涂层。根据本发明的组合物和方法可被用于形成由抗蚀层和顶部抗反射涂层组成的复合膜。
用于表面反射组合以及使用图案形成方法

[发明专利]精细图案形成方法及用于此法的抗蚀基板处理溶液-CN200780038343.5有效
发明人： 能谷刚;岛崎龙太;小林政一 -专利权人： AZ电子材料（日本）株式会社
申请日： 2007-10-12 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于不明显增加生产成本或削弱生产效率而使图案小型化的方法。本发明还提供了一种精细的抗蚀图和用于形成该精细图案的抗蚀基板处理溶液。该图案形成方法包括处理步骤。在该处理步骤中，用含有含氨基，优选含叔聚胺的水溶性聚合物的抗蚀基板处理溶液处理显影后的抗蚀图，以便减小由显影形成的抗蚀图的有效尺寸。本发明还涉及通过该方法形成的抗蚀图，此外还涉及用于此方法的处理溶液。
精细图案形成方法用于抗蚀基板处理溶液

[发明专利]显影后抗蚀基板处理溶液及使用它的抗蚀基板处理方法-CN200780037797.0无效
发明人： 能谷刚;岛崎龙太;小林政一 -专利权人： AZ电子材料（日本）株式会社
申请日： 2007-10-12 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于改善显影后图案表面上瑕疵的抗蚀基板处理溶液，还提供了一种使用该处理溶液的抗蚀基板处理方法。该抗蚀基板处理溶液包含溶剂和含氮水溶性聚合物或含氧水溶性聚合物如聚胺、多羟基化合物或聚醚。该处理方法中，用该抗蚀基板处理溶液处理显影后的抗蚀图，然后用纯水洗涤。
显影后抗蚀基板处理溶液使用抗蚀基板方法

[发明专利]微细化的抗蚀图案的形成方法-CN200780022977.1无效
发明人： 能谷刚;小林政一;岛崎龙太 -专利权人： AZ电子材料（日本）株式会社
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种微细化的抗蚀图案的形成方法，具体公开了一种使显影后的抗蚀图案微细化而不大大增加生产成本或降低生产效率的图案形成方法，该方法包括如下步骤：让显影后的抗蚀图案与优选包含非离子表面活性剂的处理液接触60秒或更长时间，从而降低通过显影形成的抗蚀图案的有效尺寸。本发明还提供了通过该方法而微细化的抗蚀图案。
微细图案形成方法

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