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[发明专利]磁性装置-CN202180015269.5在审
发明人：加藤侑志;与田博明;大泽裕一;与田朋美 -专利权人： YODA-S株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：根据实施方式，磁性装置包含第一导电构件及第一层叠体。第一导电构件包含第一部分、第二部分及第一部分与所述第二部分之间的第三部分。从第一部分朝向第二部分的方向沿着第一方向。第一层叠体包含第一磁性层、第一对置磁性层、第一非磁性层、第一中间磁性层及第一中间非磁性层。第一中间磁性层在与第一方向交叉的第二方向上位于第三部分与第一对置磁性层之间。第一磁性层在第二方向上位于第一中间磁性层与第一对置磁性层之间。第一中间非磁性层位于第一中间磁性层与第一磁性层之间。第一非磁性层位于所述第一磁性层与第一对置磁性层之间。所述第一中间磁性层的总磁化量比第一磁性层的总磁化量小。
磁性装置

[发明专利]非易失性存储器-CN201710158433.3有效
发明人：井口智明;下村尚治;鸿井克彦;上口裕三;白鸟聪志;池上一隆;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：实施方式涉及一种非易失性存储器。降低磁存储器的写入错误率。实施方式的非易失性存储器具备：导线(11)，具有第1部分(E1)、第2部分(E2)、以及它们之间的第3部分(E3)；存储元件(MTJ)，具备第1磁性层(FL)、第2磁性层(RL)、以及它们之间的非磁性层(TN)，第1磁性层(FL)连接于第3部分(E3)；以及电路，使写入电流流经所述第1部分和第2部分(E1、E2)之间，对第2磁性层(RL)施加第1电位，在使第2磁性层(RL)从第1电位改变为第2电位之后，切断流过第1部分和第2部分(E1、E2)之间的写入电流。
非易失性存储器

[发明专利]磁存储装置及其制造方法-CN201710123328.6有效
发明人：白鸟聪志;与田博明;大沢裕一;杉山英行;清水真理子;A·布彦达莱;下村尚治 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供能够提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1磁性层、第2磁性层以及第1中间层。所述含金属层包含金属元素。所述第2磁性层设置于所述含金属层的一部分与所述第1磁性层之间。所述第1中间层包括设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的部分。所述第1中间层朝向所述含金属层成为凸状。
存储装置及其制造方法

[发明专利]磁存储器-CN201610811820.8有效
发明人： 与田博明;下村尚治;大泽裕一;大坊忠臣;井口智明;白鸟聪志;山百合;上口裕三 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。
磁存储器

[发明专利]磁存储器-CN201710109879.7在审
发明人：齐藤好昭;与田博明;加藤侑志;石川瑞惠;及川壮一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁存储器。提供一种改善了写入效率的SOT写入方式的磁存储器。根据本实施方案的磁存储器具备第1至第3端子；导电性的第1非磁性层，具有第1至第3部分，所述第1部分位于所述第2部分与所述第3部分之间，所述第2部分与所述第1端子电连接，所述第3部分与所述第2端子电连接；第1磁阻元件，具有与所述第3端子电连接的第1磁性层、配置在所述第1磁性层与所述第1部分之间的第2磁性层、以及配置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第2非磁性层；和第1层，至少配置在所述第1部分与所述第2磁性层之间，包含Mg、Al、Si、Hf和稀土元素中的至少一种元素、以及氧和氮中的至少一种元素。
磁存储器

[发明专利]磁阻效应元件以及磁性随机存取存储器-CN201180039960.3有效
发明人：中山昌彦;与田博明;岸达也;小濑木淳一;甲斐正;相川尚德;池川纯夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明的磁阻效应元件具备:第1铁磁性层(12)，磁化相对于膜面大致垂直且可变；第2铁磁性层(16)，磁化相对于膜面大致垂直且不变；第1非磁性层(14)，设于第1铁磁性层与第2铁磁性层之间；第3铁磁性层(20)，设于相对于第2铁磁性层的与第1非磁性层的相反侧，具有与膜面大致平行的磁化，通过注入被自旋极化后的电子来产生旋转磁场；以及第2非磁性层(18)，设于第2铁磁性层与第3铁磁性层之间，使第1电流沿着从第3铁磁性层经由第2铁磁性层朝向第1铁磁性层的方向以及从第1铁磁性层经由第2铁磁性层朝向第3铁磁性层的方向中的一个方向流过，由此，通过由第3铁磁性层产生的旋转磁场，第1铁磁性层的磁化能够反转，并使具有与第1电流不同的电流密度的第2电流向一个方向流过，借助于通过第2铁磁性层被自旋极化后的电子，第1铁磁性层的磁化能够向与流过第1电流的情况不同的方向反转。
磁阻效应元件以及磁性随机存取存储器

[发明专利]磁阻元件和磁存储器-CN201210097760.X有效
发明人：西山胜哉;相川尚德;甲斐正;永濑俊彦;上田公二;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-04-05 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁阻元件和磁存储器。根据一个实施例，一种磁阻元件包括：存储层(2)，其具有垂直且可变的磁化；参考层(4)，其具有垂直且恒定的磁化；偏移调整层(6)，其具有沿与所述参考层(4)的磁化相反的方向的垂直且恒定的磁化；第一非磁性层(3)，其在所述存储层(2)与所述参考层(4)之间；以及第二非磁性层(5)，其在所述参考层(4)与所述偏移调整层(6)之间。所述参考层(4)的切换磁场等于或小于所述存储层(2)的切换磁场，且所述参考层(4)的磁弛豫常数大于所述存储层(2)的磁弛豫常数。
磁阻元件磁存储器

[发明专利]自旋存储器和自旋晶体管-CN201010294132.1有效
发明人：井口智明;丸龟孝生;石川瑞惠;杉山英行;相川尚德;中山昌彦;岸达也;与田博明;斋藤好昭 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2010-09-21 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明提供一种自旋存储器和自旋晶体管，该自旋存储器具备包括铁磁性层叠膜的存储器单元，所述铁磁性层叠膜具有由第1铁磁性层、第1非磁性层、第2铁磁性层、第2非磁性层以及第3铁磁性层按该顺序或者相反顺序层叠而成的层叠结构，第3铁磁性层和第2铁磁性层经由第2非磁性层而反铁磁性地交换耦合，在铁磁性层叠膜中从第1铁磁性层向第3铁磁性层流通单一方向的电流，根据电流的大小对第1铁磁性层进行不同磁化状态的写入，并且进行从第1铁磁性层的读出。
自旋存储器晶体管

[发明专利]磁电阻效应元件和使用它的磁电阻随机存取存储器-CN201110103692.9有效
发明人：吉川将寿;北川英二;甲斐正;永濑俊彦;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁电阻效应元件和使用它的磁电阻随机存取存储器。磁电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。
磁电效应元件使用随机存取存储器

[发明专利]磁阻元件和磁存储器-CN200910127673.2有效
发明人：北川英二;吉川将寿;永瀬俊彦;大坊忠臣;长岭真;西山胜哉;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-03-23 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：底层(12)，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层(13)，设于底层(12)上，具有垂直的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的fct结构；非磁性层(14)，设于第一磁性层(13)上；以及第二磁性层(15)，设于该非磁性层(14)上，并且具有垂直的磁各向异性。底层(12)的面内晶格常数a1和第一磁性层(13)的面内晶格常数a2满足下式，其中b是第一磁性层(13)的Burgers矢量的幅度，v是第一磁性层(13)的弹性模量，hc是第一磁性层(13)的厚度：|2×a1/2-a2|/a2＜b×{ln(hc/b)+1}/{2π×hc×(1+v)}。
磁阻元件磁存储器

[发明专利]磁阻效应元件和磁性随机存取存储器-CN200910127906.9无效
发明人：中山昌彦;甲斐正;池川纯夫;与田博明;岸达也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁阻效应元件和磁性随机存取存储器。所述磁阻效应元件包括：第一铁磁层，具有垂直于膜平面的不可变磁化；第二铁磁层，具有垂直于膜平面的可变磁化；第一非磁性层，插在第一铁磁层和第二铁磁层之间；第三铁磁层，设置在第二铁磁层的与第一非磁性层相反的一侧，并且具有平行于膜平面的可变磁化；以及第二非磁化层，插在第二铁磁层和第三铁磁层之间，通过使电流在垂直于第一铁磁层和第三铁磁层之间的膜平面的方向上流动，将自旋极化电子注入到第二铁磁层，通过将自旋极化电子从第二铁磁层经由第二非磁性层注入到第三铁磁层，在第三铁磁层的磁化中感应出进动运动，以及向第二铁磁层施加频率与进动运动相对应的微波磁场。
磁阻效应元件磁性随机存取存储器

[发明专利]磁阻效应元件以及磁随机存取存储器-CN200810169881.4无效
发明人：中山昌彦;药师寺启;池川纯夫;汤浅新治;甲斐正;永瀬俊彦;天野实;相川尚德;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-10-10 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻效应元件以及磁随机存取存储器。磁阻效应元件具备基准层、记录层、以及非磁性层。基准层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第1磁化，且磁化的方向不变。记录层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第2磁化，且磁化的方向可变。上述非磁性层被设置在基准层与记录层之间。由记录层的磁各向异性、饱和磁化以及交换结合决定的、单磁区状态成为唯一的稳定状态的临界直径(单轴临界直径Ds^*)、或者单磁区状态为唯一的稳定状态、且即使在反转过程中也一边保持单磁区状态一边反转的临界直径(单轴反转临界直径Ds)大于磁阻效应元件的元件直径。
磁阻效应元件以及随机存取存储器

[发明专利]磁阻元件以及磁性存储器-CN200810215231.9有效
发明人：永瀬俊彦;吉川将寿;北川英二;西山胜哉;大坊忠臣;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：磁阻元件(10)包含：基底层(23)，其由具有NaCl构造、并且取向于(001)面的氮化物构成；第一磁性层(14)，其被设置在上述基底层(23)上，且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性，并且由具有L1₀构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金构成；非磁性层(16)，其被设置在上述第一磁性层(14)上；以及第二磁性层(17)，其被设置在上述非磁性层(16)上，并且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性。
磁阻元件以及磁性存储器

[发明专利]磁阻元件以及磁存储器-CN200810215232.3无效
发明人：永瀬俊彦;西山胜哉;甲斐正;中山昌彦;长嶺真;天野实;吉川将寿;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻元件(10)包括：具有与膜面垂直方向的磁各向异性，且磁化方向被固定的参照层(15)；由磁性层与非磁性层交互地经过层叠的层状结构组成，且具有与膜面垂直方向的磁各向异性，且磁化方向可以变化的记录层(17)；以及被设置在上述参照层(15)与上述记录层(17)之间，且由非磁性材料组成的中间层(16)。其中，构成上述记录层(17)的磁性层之中与上述中间层(16)相接的磁性层(17A-1)，由包含钴(Co)及铁(Fe)的合金组成，且其膜厚大于与上述中间层(16)不相接的磁性层的膜厚。
磁阻元件以及磁存储器

[发明专利]磁致电阻效应元件和使用它的磁致电阻随机存取存储器-CN200810109276.8无效
发明人：吉川将寿;北川英二;甲斐正;永濑俊彦;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁致电阻效应元件和使用它的磁致电阻随机存取存储器。磁致电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。
致电效应元件使用随机存取存储器

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