“牛宝华”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果37个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]培养基及用其诱导分化胚外内胚层和胚外中胚层的方法-CN202310751194.8在审
发明人：艾宗勇;李天晴;牛宝华;尹宇;朱小庆 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C12N5/0735 文献下载
摘要：本发明涉及干细胞或类胚胎技术领域，尤其涉及培养基及用其诱导分化胚外内胚层和胚外中胚层的方法。本发明开发了一种新的诱导培养基，并利用该培养基提供了一种体外高效诱导Naive hPSCs分化胚外内胚层和胚外中胚层细胞的方法。本发明能够快速(4天内)高效诱导Naive hPSCs分化为胚外内胚层和胚外中胚层细胞。在胚外内胚层的分化条件下，胚外内胚层细胞的比例能够超过60％；在胚外中胚层的分化条件下，胚外中胚层细胞的比例几乎100％。本发明为胚外谱系的发育动态和发育原理的研究提供了新的细胞模型，本发明在再生医学领域和医美行业具有广阔的应用前景。
培养基诱导分化胚外内胚层中胚层方法

[发明专利]一种培养基及其应用-CN202310743006.7在审
发明人：艾宗勇;李天晴;牛宝华;尹宇;朱小庆 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C12N5/071 文献下载
摘要：本发明涉及干细胞技术领域，尤其涉及一种培养基及其应用。本发明的培养基体系成份明确，无血清、无异源蛋白，适合培养产品的临床转化。本发明的培养基支持在常氧(21％O2)条件下，建立、培养和扩增Naive hPSCs。在常氧条件下，生长在本发明的培养基体系下的Naive hPSCs在细胞形态、多能性标志物表达、转录组、甲基化水平和分化潜能等多个方面都能长期维持Naive多能状态。
一种培养基及其应用

[发明专利]一种信号巢细胞以及类胚胎的制备方法-CN202310767747.9在审
发明人：艾宗勇;李天晴;牛宝华;尹宇;朱小庆 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C12N5/073 文献下载
摘要：本发明涉及干细胞和类胚胎技术领域，尤其涉及一种信号巢细胞以及类胚胎的制备方法。本发明通过采用特定的诱导培养基诱导始发态人多能干细胞制得信号巢细胞，并基于该信号巢细胞建立类胚胎的制备方法。本发明的类胚胎在体外成功长出了双胚盘、羊膜腔和卵黄囊的三维结构，以及上胚层、胚外内胚层、胚外中胚层、羊膜、原条和原始生殖细胞等多谱系的协同发育，能够模拟人着床后早期胚胎的谱系发育，为体外研究人着床后早期胚胎的发育机制提供新模型、同时也针对胚胎异常发育进行药物筛选和毒理测试提供新平台。
一种信号细胞以及胚胎制备方法

[发明专利]一种高生物利用度的塞来昔布冻干口崩片及其制备方法-CN201810817168.X有效
发明人：孔淑萌;李亚平;孙帅;王琳;程东方;牛宝华;李祥平 -专利权人：烟台药物研究所
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： A61K9/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种高生物利用度的塞来昔布冻干口崩片及其制备方法，按重量分数计，包括如下组分：塞来昔布30～75％；填充剂10～50％；稳定剂10～50％；矫味剂0.01～10％；上述各个组分的重量分数之和为100％，其中塞来昔布的药物粒径为10～1000nm。本发明的口崩片中的药物经过纳米微粒化处理后制成了粒径在10～1000nm的纳米给药系统，能够显著提高药物的溶解性和溶出速度，提高胃肠道的吸收速度及生物利用度，从而能够以更低的剂量达到同等治疗效果，降低不良反应的风险。
一种生物利用塞来昔布冻干口崩片及其制备方法

[发明专利]一种多自由度幅相一致的星载螺旋阵列天线馈电探针-CN202010852066.9有效
发明人：艾永强;牛宝华;张振杰;王超;杨文丽;郑伟;穆楠 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种多自由度幅相一致的星载螺旋阵列天线馈电探针，包括馈电杆和馈电柱；所述的馈电柱上端面设置U型槽，中心设置V型内腔；所述馈电杆装入馈电网络内导体固定，馈电柱使用馈电杆顶端圆柱定位装置所述的V型内腔，将螺旋线嵌入U型槽内，使螺旋线端部与馈电柱外圆相切，焊接过程中将焊料填充至馈电柱V型内腔内直至充满V型槽。
一种自由度相一致螺旋阵列天线馈电探针

[发明专利]电子器件、半导体器件以及制造电子器件的方法-CN201910305463.1有效
发明人：张凯峯;蔡连尧;牛宝华;邓伊筌;施启元 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：根据本发明的实施例，提供了一种电子器件，其包括电容器和覆盖电容器的钝化层。电容器包括第一电极、设置在第一电极上方的介电层和设置在介电层上方的第二电极。第一电极的面积大于介电层的面积，并且介电层的面积大于第二电极的面积，使得电容器的侧具有多阶梯结构。根据本发明的实施例，还提供了半导体器件以及制造电子器件的方法。
电子器件半导体器件以及制造方法

[发明专利]磁性随机存取存储器及其制造方法-CN201810823818.1有效
发明人： 牛宝华;应继锋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了磁性随机存取存储器及其制造方法。磁性随机存取存储器的存储单元包括设置在第一金属层与第二金属层之间的多层。多层中的至少一层包括从由铱层、铱层和氧化铱层的双层结构、铱‑钛氮化物层、铱层和钽层的双层结构、以及铱和钽的二元合金层组成的组中选择的一种。
磁性随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]一种近场低扰的星载微带馈源组件-CN202010858028.4有效
发明人：张振杰;郑伟;陈国辉;艾永强;王超;杨文丽;牛宝华 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种近场低扰的星载微带馈源组件，包括：宽频微带馈源、馈源支撑筒、半刚电缆和多个介质支撑结构；其中，所述宽频微带馈源与所述馈源支撑筒的顶端相连接；所述半刚电缆通过多个介质支撑结构设置于所述馈源支撑筒的内部；所述半刚电缆的一端与所述宽频微带馈源相连接，所述半刚电缆的另一端通过外部馈电端口与外部的发射机实现射频互连。本发明既发挥了微带低剖面、低遮挡、大功率容量的优势，又实现了大功率射频电缆的中心对称馈电，抑制了电缆对微带辐射缝隙的近场扰动，有效改进了馈源轴比方向图的对称性，保证了较好的相位中心稳定度，提升了馈源对反射器的照射效率。
一种近场微带馈源组件

[发明专利]基于用户信任和社交影响力的旅游群组推荐方法-CN202110425049.1有效
发明人：郑孝遥;关曼平;张利;牛宝华;韩宝婷;孙丽萍;罗永龙 -专利权人：安徽师范大学
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G06F16/9536 文献下载
摘要：本发明公开一种基于用户信任和社交影响力的旅游群组推荐方法，包括如下步骤：S1、计算群组内各用户间的全局信任度，用户间的直接信任度与间接信任度的综合形成用户间的全局信任度；S2、将全局信任度加权至阻尼系数上，形成改进的PageRank算，根据用户历史交互关系，采用改进的PageRank算法计算用户在群组内的社交影响力；S3、综合用户的全局信任度及用户在群组内的社交影响力，计算出群组对各景点的预测评分，输出预测评分最高的前k个旅游景点给相应的群组。将社交网络的社交影响力和用户间的信任融入群组融合策略，优化组内共识和分歧度，实现旅游目的地推荐的群组推荐方法。
基于用户信任社交影响力旅游推荐方法

[发明专利]半导体器件及制造方法-CN201911035330.3有效
发明人： 牛宝华;陈大受 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：根据本申请的实施例，提供了半导体器件。该半导体器件具有半导体层，该半导体层包括源极/漏极区、半导体层上方的第一磁性层、以及在源极/漏极区上方并与第一磁性层相邻的第一介电层。半导体器件具有延伸穿过第一介电层的金属结构、在金属结构上方的第二磁性层、以及在第一磁性层上方并与第一介电层相邻的第二介电层。另外，本申请的实施例还提供了其他半导体器件以及形成半导体器件的方法。
半导体器件制造方法

[发明专利]制造MRAM单元的阵列的方法、写入该MRAM单元的方法-CN201910635581.9有效
发明人：应继锋;王仲盛;牛宝华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种制造磁性随机存取存储器单元的阵列的方法包括写入磁性随机存取存储器单元。写入存储器单元包括确定所述存储器单元的阵列的最佳写入电流；以及将所述最佳写入电流应用于所述阵列中的第一存储器单元。将第一读取电流应用于第一存储器单元以响应于应用所述最佳写入电流，确定第一存储器单元的磁取向是否已经改变。当第一存储器单元的磁取向没有改变时，将第二写入电流应用于第一存储器单元。第二写入电流不同于最佳写入电流。将第二读取电流应用于第一存储器单元，以响应于应用第二读取电流，确定第一存储器单元的磁取向是否改变。本发明实施例还涉及写入磁性随机存取存储器单元的方法。
制造 mram 单元阵列方法写入

[发明专利]厚度缩减装置及厚度缩减方法-CN201611216784.7有效
发明人： 牛宝华;苏纮仪;庄荣祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种厚度缩减装置及厚度缩减方法，厚度缩减装置包括旋转载台及研磨轮。旋转载台具有承载面且适于以第一转动轴为轴旋转，其中所述承载面适于承载样品。研磨轮配置于所述承载面上方，其中所述研磨轮适于以垂直所述第一转动轴的第二转动轴为轴旋转而研磨所述承载面上的所述样品，以缩减所述样品的至少局部区域的厚度。
厚度缩减装置方法

[发明专利]对薄膜进行计量分析的装置及方法与获得薄膜性质的方法-CN201811019709.0有效
发明人：应继锋;牛宝华;苏纮仪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种对薄膜执行计量分析的方法包括：将辐射耦合到邻近所述薄膜的表面设置的光学元件中。所述辐射被耦合成使得所述辐射在所述光学元件与所述薄膜之间的界面处被全内反射。在所述界面处产生的消散辐射穿透所述薄膜。所述方法还包括：分析被所述薄膜散射的所述消散辐射以获得所述薄膜的性质。
薄膜进行计量分析装置方法获得性质

[发明专利]多能干细胞的培养基、培养方法及其应用-CN201910772540.4有效
发明人：李天晴;艾宗勇;牛宝华 -专利权人：云南中科灵长类生物医学重点实验室
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C12N5/071 文献下载
摘要：本发明涉及干细胞技术领域，具体涉及高质量多能干细胞的培养基、培养方法及其应用。本发明提供一种新的干细胞培养基(简称AIC培养基)，其为在基础培养基的基础上添加重组人活化素A、IWP2和CHIR99021。该培养基具有成分明确，无血清、无异源动物成分的优势。该培养基支持人多能干细胞通过单细胞传代在Feeder或Matrigel上进行稳定的贴壁培养，以及在低吸附材料上进行高效的悬浮扩增。与其他培养基相比，该培养基培养的人多能干细胞具有更高的单细胞存活率和建系效率，更快的增殖速度、更少的自发分化、更好的均质性和稳定性。AIC培养基具有现有培养体系无法比拟的优势，拥有广阔的应用前景和较高的商业价值。
多能干细胞培养基培养方法及其应用

[发明专利]存储器件的测试装置及相关的存储器件的测试和制造方法-CN201810714056.1有效
发明人： 牛宝华;应继锋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了存储器测试系统，该存储器测试系统包括存储器集成电路(IC)和存储器功能测试器。存储器IC包括多个存储体，其中，每个存储体均包括多个存储单元。存储器功能测试器包括可调电压生成器电路、读取电流测量电路和控制器。存储器功能测试器通过多个写入控制电压对存储体实施写入/读取功能测试以确定优选写入控制电压，其中，所述优选写入控制电压被指定在对操作模式期间的存储体的后续写入操作期间使用。本发明的实施例还提供了制造以及测试具有多个存储体的存储器件的方法。
存储器件测试装置相关制造方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 37 条