[发明专利]基于自旋滤波器效应的自旋晶体管和利用自旋晶体管的非易失存储器无效
| 申请号： | 03822480.1 | 申请日： | 2003-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1685526A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 菅原聪;田中雅明 | 申请（专利权）人： | 科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L29/82 | 分类号： | H01L29/82;H01L43/08;H01L27/105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种自旋晶体管包括自旋注入器和自旋分析器，所述自旋注入器用于把载流子作为热载流子从第一非磁性电极注入第二非磁性电极层，所述载流子的自旋平行于构成第一铁磁阻挡层的能带边缘的自旋能带，所述自旋分析器用于通过第二铁磁阻挡层的能带边缘上的自旋分裂，当注入第二非磁性电极的自旋偏振热载流子的自旋方向平行于第二铁磁阻挡层的能带边缘上的自旋能带的自旋方向时，把热载流子导通到第三非磁性电极，并且当所述自旋偏振热载流子的自旋方向与注入所述第二磁性电极的自旋方向反平行时，不把所述热载流子导通到第三非磁性电极。还提供一种利用所述自旋晶体管的存储装置。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 自旋 滤波器 效应 晶体管 利用 非易失 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，它包括通过自旋滤波效应注入自旋偏振热载流子的自旋注入器和通过自旋滤波效应选择所述注入的自旋偏振热载流子的自旋分析器。
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- 在使用了半导体的自旋传导元件中，与现有的GMR元件或TMR元件相比，存在元件电阻变大，并且难以获得大的磁阻比问题。本发明涉及一种磁阻效应元件，其特征在于：具备半导体通道层3、被设置于半导体通道层3上的第1强磁性层12A和与第1强磁性层12A分开设置的第2强磁性层12B、与第1强磁性层12A以及第2强磁性层12B分开设置的非磁性的第1参考电极20，电流经由半导体通道层3从第2强磁性层12B被输入到第1强磁性层12A，并输出第2强磁性层12B与第1参考电极20之间的电压。
- 自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件及磁存储器-201880002574.9
- 盐川阳平;佐佐木智生;川野朋美;佐贯稔 - TDK株式会社
- 2018-03-19 - 2019-03-01 - H01L29/82
- 本发明涉及自旋流磁化反转元件。该自旋流磁化反转元件具备：第1铁磁性金属层，其磁化方向变化；自旋轨道转矩配线，其沿着相对于第1铁磁性金属层的法线方向即第1方向交叉的第2方向延伸，且与第1铁磁性金属层接合；自旋轨道转矩配线具有与第1铁磁性金属层接合的自旋传导层，与自旋传导层接合且与第1铁磁性金属层的相反侧的面接合的自旋生成层层叠的结构。
- 专利分类
