[实用新型]一种半导体测试结构

摘要

本实用新型提供一种半导体测试结构，所述半导体测试结构包括第一测试结构、第二测试结构、第三测试结构或第四测试结构，所述第一测试结构、第二测试结构或第三测试结构通过多晶硅栅极或金属线顺次连接组成串联结构。在所述半导体测试结构中，同时包含共享接触插塞和普通接触插塞，可以同时实现对共享接触插塞和普通接触插塞性能的测试，及时找出共享接触插塞和普通接触插塞工艺中所存在的问题。

主权项

一种半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构至少包括：第一测试结构，所述第一测试结构包括：两个第一有源区，所述第一有源区包括第一端和第二端；多晶硅栅极，位于两第一有源区之间的栅氧化层上，所述多晶硅栅极的每一端分别与一所述第一有源区的第一端重叠；第一接触插塞，位于所述第一有源区中，其中，所述第一接触插塞的一部分位于所述第一有源区和多晶硅栅极的重叠区域；第二接触插塞，完全位于至少一所述第一有源区中，且位于所述第一有源区的第二端。