[实用新型]一种半导体测试结构

权利要求书

1.一种半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构至少包括：

第一测试结构，所述第一测试结构包括：

两个第一有源区，所述第一有源区包括第一端和第二端；

多晶硅栅极，位于两第一有源区之间的栅氧化层上，所述多晶硅栅极的每一端分别与一所述第一有源区的第一端重叠；

第一接触插塞，位于所述第一有源区中，其中，所述第一接触插塞的一部分位于所述第一有源区和多晶硅栅极的重叠区域；

第二接触插塞，完全位于至少一所述第一有源区中，且位于所述第一有源区的第二端。

2.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述两第一有源区的第二端均设置有第二接触插塞。

3.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述一第一有源区的第二端设置有第二接触插塞，另一第一有源区的第二端设置有第一接触插塞。

4.根据权利要求2或3所述的半导体测试结构，其特征在于：所述半导体测试结构还包括第二测试结构，所述第二测试结构包括第二有源区和第一接触插塞，所述第一接触插塞位于所述第二有源区的两端；所述第二有源区一端的第一接触插塞与位于所述第一有源区第二端的第一接触插塞通过多晶硅栅极相连。

5.根据权利要求4所述的半导体测试结构，其特征在于：所述半导体测试结构还包括第三测试结构，所述第三测试结构包括：

第三有源区，包括第一端和第二端；

第一接触插塞，位于所述第三有源区的第一端；

第二接触插塞，位于所述第三有源区的第二端；

所述第三有源区中的第一接触插塞与所述第二有源区中的第一接触插塞通过多晶硅栅极相连；所述第三有源区中的第二接触插塞与所述第一有源区中的第二接触插塞通过金属线相连。

6.根据权利要求5所述的半导体测试结构，其特征在于：所述半导体测试结构还包括第四测试结构，所述第四测试结构包括第四有源区和第二接触插塞，所述第二接触插塞位于所述第四有源区的两端；所述第四有源区中的第二接触插塞与所述第一有源区中的第二接触插塞通过金属线相连。

7.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一测试结构包括至少两个互相平行，两端对应的所述第一有源区；所述第一有源区的所述第二端均为第二接触插塞。

8.根据权利要求6或7所述的半导体测试结构，其特征在于：所述半导体测试结构包括第一测试结构、第二测试结构、第三测试结构或第四测试结构，所述第一测试结构、第二测试结构或第三测试结构通过多晶硅栅极或金属线顺次连接组成串联结构。

9.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述半导体测试结构中包括至少两长度一致，两端对齐的第一有源区。

10.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一接触插塞和第二接触插塞中的金属为钨、铜、铝或钼。

11.根据权利要求8所述的半导体测试结构，其特征在于：所述串联结构的最末端为第二接触插塞，且通过金属线与一测试焊垫连接，构成测试端口。