[发明专利]氟氧化镧铈稀土抛光液有效
| 申请号： | 201410549942.5 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104371554B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 肖兴才;车兴玉 | 申请（专利权）人： | 乐山东承新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 614406 四川省乐*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氟氧化镧铈稀土抛光液，包括氟氧化镧铈稀土抛光粉、分散剂、增效剂和溶剂；氟氧化镧铈稀土抛光粉的含量为20%~30%，分散剂的含量为0.5%~0.8%，增效剂的含量为3%~5%；pH为7.5~9；增效剂为十二烷基苯磺酸20%~25%、十二烷基三甲基氯化铵50%和二甲基甲酰胺25%~30%的混合物。本发明的抛光液中含有稀土抛光液、分散剂和增效剂，通过对稀土抛光粉和增效剂的配比调节，使抛光效果达到最优，划伤减少，具有更高的抛光速度。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 稀土 抛光 | ||
【主权项】：
一种氟氧化镧铈稀土抛光液，包括氟氧化镧铈稀土抛光粉、分散剂、增效剂和溶剂；其中，氟氧化镧铈稀土抛光粉的含量为20%~30%w/w，分散剂的含量为0.5%~0.8% w/w，增效剂的含量为3%~5% w/w；pH为7.5~9；所述增效剂为十二烷基苯磺酸20%~25% w/w、十二烷基三甲基氯化铵50% w/w和二甲基甲酰胺25%~30% w/w的混合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐山东承新材料有限公司，未经乐山东承新材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410549942.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁控阀芯
- 下一篇：一种水力性能优异的钟形进水流道及其应用方法
- 同类专利
- 半导体元件及绝缘层形成用组成物-201580016286.5
- 永田裕三;泷泽裕雄;土村智孝;鹤田拓也 - 富士胶片株式会社
- 2015-03-23 - 2019-07-30 - H01L21/312
- 本发明提供一种半导体元件及绝缘层形成用组成物，所述半导体元件具有半导体层、及与该半导体层相邻的绝缘层，在所述半导体元件中，所述绝缘层由高分子化合物的交联物形成，该高分子化合物具有以下述通式(IA)表示的重复单元(IA)和以下述通式(IB)表示的重复单元(IB)。通式(IA)中，R1a表示氢原子、卤原子或烷基。L1a及L2a分别独立地表示单键或连结基。X表示交联性基。m2a表示1～5的整数，当m2a为2以上时，m2a个X可以彼此相同也可以互不相同。m1a表示1～5的整数，当m1a为2以上时，m1a个(‑L2a‑(X)m2a)可以彼此相同也可以互不相同。通式(IB)中，R1b表示氢原子、卤原子或烷基。L1b表示单键或连结基，Ar1b表示芳香族环。m1b表示1～5的整数。
- 被处理体的处理方法-201010279990.9
- 成重和树;重田和男 - 东京毅力科创株式会社
- 2010-09-08 - 2019-07-26 - H01L21/312
- 本发明提供能够更强地抑制光致抗蚀剂层的高度的减小的被处理体的处理方法。被处理体W具备有机膜和形成在该有机膜上的光致抗蚀剂层，使用含氢的处理气体作为处理气体，一面对第一电极(5)施加直流负电压，一面使用光致抗蚀剂层作为掩膜，利用含氢的等离子体对有机膜进行蚀刻。
- 涂胶方法及涂胶装置-201410196004.1
- 王坚;王晖 - 盛美半导体设备(上海)有限公司
- 2014-05-09 - 2019-05-17 - H01L21/312
- 本发明揭示了一种涂胶方法，包括如下步骤：把有深孔的硅片水平放置，向硅片表面及其深孔内涂覆光刻胶；加热硅片，使所述深孔内的光刻胶处于液态，同时使硅片绕一转轴公转，以使所述深孔底部的光刻胶在离心力的作用下流向靠近深孔的一侧的侧壁；保持硅片公转，并使硅片绕其自身的中心轴自转，以使光刻胶均匀分布在深孔的整个侧壁上而深孔的底部没有光刻胶；固化深孔整个侧壁上的光刻胶。本发明还揭示了一种涂胶装置。
- 金属硬掩模组合物和用于在半导体基底上形成精细图案的方法-201680009834.6
- 姚晖蓉;E·沃尔福;S·K·穆伦;A·D·迪尔西斯;赵俊衍 - AZ电子材料卢森堡有限公司
- 2016-02-02 - 2019-05-17 - H01L21/312
- 本发明涉及具有改进的稳定性的新的组合物，其包含可溶性多配体取代的金属化合物、多元醇化合物和溶剂，其用于将材料填充在具有微光刻特征的良好沟槽或通孔填充特性的光致抗蚀剂图案上，其中填充图案在基于氧的等离子体中具有良好的耐等离子体蚀刻性，并且用作在半导体基底上形成精细图案中的硬掩模，所述精细图案通过该硬掩模的图案转移形成。本发明还涉及在用于制造电子器件的方法中使用该组合物。
- 用于低蚀刻速率硬模膜的具有氧掺杂的PVD氮化铝膜-201380014792.1
- 曹勇;大东和也;拉尹库曼·雅卡尔尤;唐先明 - 应用材料公司
- 2013-04-18 - 2019-05-10 - H01L21/312
- 本发明大体涉及掺杂的氮化铝硬模以及制造掺杂的氮化铝硬模的方法。在形成所述氮化铝硬模时通过添加少量掺杂剂，例如氧，可显著降低所述硬模的湿蚀刻速率。此外，与无掺杂的氮化铝硬模相比，硬模的颗粒尺寸由于掺杂剂的存在而缩小。缩小的颗粒尺寸使硬模中的特征更平滑，导致使用所述硬模时更加精确的下层蚀刻。
- 光刻胶瓶固持装置-201410235896.1
- 杨宏超;金一诺;张怀东;王坚;王晖 - 盛美半导体设备(上海)有限公司
- 2014-05-30 - 2019-02-01 - H01L21/312
- 本发明提供了一种光刻胶瓶固持装置，包括：底座；大瓶保持架，与所述底座固定连接，该大瓶保持架具有用于支撑大瓶的第一支撑面，该第一支撑面的形状与该大瓶的侧壁形状适应；小瓶保持架，与所述大瓶保持架的第一支撑面可拆卸地连接，该小瓶保持架具有用于支撑小瓶的第二支撑面以及用于与该第一支撑面接触的第三支撑面，该第二支撑面的形状与该小瓶的侧壁形状适应，该第三支撑面的形状与该第一支撑面的形状适应，该小瓶的尺寸小于大瓶的尺寸。本发明能够适用于不同尺寸的光刻胶瓶。
- 用于剥离掩模层的牺牲材料-201380079021.0
- S·孙达拉拉詹;N·拉哈尔-乌拉比;L·古勒尔;M·哈珀;R·T·特勒格尔 - 英特尔公司
- 2013-09-25 - 2019-01-15 - H01L21/312
- 用于在去除蚀刻掩模期间保护所蚀刻的特征的技术和结构。在实施例中，对掩模图案化并蚀刻衬底层以转移图案。在蚀刻衬底层之后，利用回填蚀刻掩模的牺牲材料覆盖被图案化到衬底中的特征。在由牺牲材料保护衬底特征的情况下，去除掩模的至少顶部部分。然后，去除牺牲材料和掩模的任何剩余部分。在其它实施例中，利用与多层蚀刻掩模的第一材料层具有相同的成分的牺牲材料来保护所蚀刻到衬底层中的栅极接触部开口。在接下来与第一掩模材料层同时去除牺牲材料之前，去除与衬底层具有类似成分的蚀刻掩模的第二材料层。
- 快速固化半导体聚合物层的两步法-201480051294.9
- W.B.罗杰斯;W.G.M.范登霍克 - 德卡技术股份有限公司
- 2014-09-17 - 2019-01-08 - H01L21/312
- 本发明描述了一种半导体器件及制造所述半导体器件的方法。提供半导体裸片。在所述半导体裸片上形成聚合物层。在所述聚合物层中形成通孔。在第一工艺中使所述聚合物层交联。在第二工艺中使所述聚合物层热固化。所述聚合物层可包含聚苯并
唑(PBO)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)或硅氧烷基聚合物。可通过UV烘烤使所述聚合物层的表面交联以在后续固化期间控制所述通孔的倾斜度。所述第二工艺还可包括使用传导加热、对流加热、红外加热或微波加热使所述聚合物层热固化。可通过以大于或等于10摄氏度/分钟的速率升高所述聚合物的温度，使所述聚合物层热固化，并且所述聚合物层可在小于或等于60分钟内完全固化。
- 改良的旋转涂布制作工艺-201710455942.2
- 李瑞珉;张景翔;黄承栩;陈意维;刘玮鑫;邹世芳 - 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
- 2017-06-16 - 2019-01-04 - H01L21/312
- 本发明公开一种改良的旋转涂布制作工艺，包含有下述步骤。首先，提供一基底。接着，喷洒一流体材料于基底的一表面上，并同时加热流体材料至高于25℃，以形成一旋转涂布介电层于基底上。
- 含N取代的二氮烯*二氧化物和/或N’-羟基-二氮烯*氧化物盐的含水抛光组合物-201180053707.3
- B·诺勒;D·弗朗茨;Y·李;S·A·奥斯曼易卜拉欣;H·W·平德尔;S·S·文卡塔拉曼 - 巴斯夫欧洲公司
- 2011-09-06 - 2018-07-17 - H01L21/312
- 本发明涉及一种含水抛光组合物，其包含：(A)至少一种水溶性或水分散性化合物，其选自N‑取代的二氮烯
二氧化物和N′‑羟基‑二氮烯
氧化物盐；和(B)至少一种类型的磨料颗粒；化合物(A)在制造电子、机械和光学器件中的用途以及利用所述含水抛光组合物抛光电子、机械和光学器件用基底材料的方法。
- 一种氧化铝基化学机械抛光液-201610705555.5
- 蒲昌权;白韵竹 - 广安欧奇仕电子科技有限公司
- 2016-08-23 - 2018-07-13 - H01L21/312
- 本发明涉及一种氧化铝基化学机械抛光液，由以下质量份数的组分组成：氧化铝粉末16～20份、辛癸酸甘油酯18～22份、叔丁基溶纤剂14～18份、脂肪酰二乙醇胺12～16份、醇醚磺基琥珀酸单酯二钠盐18～22份、丁基卡必醇14～18份、多聚磷酸钠12～16份、山梨酸钙18～22份、癸酸甘油酯14～18份、草酸12～16份、巯基苯骈噻唑钠18～22份、二乙烯三胺五甲叉膦酸14～18份、对硝基苯甲酸14～18份、十水四硼酸钠12～16份、氧化硅粉末18～22份、氮化硅粉末14～18份、百菌清12～16份、三乙醇胺18～22份、黄原胶14～18份、咪唑烷基脲12～16份、鲸蜡醇18～22份、二甘醇二苯甲酸酯14～18份、十溴二苯乙烷12～16份、水10000～20000份。本发明中的产品具有较好的抛光效果。
- 复合体的制造方法及组合物-201480017656.2
- 茅场靖刚;小野升子;田中博文;铃木常司;三尾茂;高村一夫 - 三井化学株式会社
- 2014-03-11 - 2018-06-08 - H01L21/312
- 本发明提供一种复合体的制造方法，所述方法具有：组合物准备工序，准备含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物的、pH为2.0～11.0的组合物；复合构件准备工序，准备具有构件A和构件B且满足上述构件B的表面的等电点＜上述组合物的pH＜上述构件A的表面的等电点的关系的复合构件，上述构件B的表面的等电点比上述构件A的表面的等电点低2.0以上且上述构件B的表面的等电点为1.0～7.5；以及赋予工序，对上述复合构件的上述构件A的上述表面和上述构件B的上述表面赋予上述组合物。
- 栅极绝缘膜形成用组合物、有机薄膜晶体管、电子纸及显示装置-201480032277.0
- 松下泰明;松村季彦 - 富士胶片株式会社
- 2014-05-30 - 2018-02-09 - H01L21/312
- 本发明提供一种不会使有机薄膜晶体管的迁移率大幅下降而提高有机薄膜晶体管的绝缘可靠性的栅极绝缘膜形成用组合物、有机薄膜晶体管、电子纸及显示装置。本发明的栅极绝缘膜形成用组合物含有绝缘性材料；及迁移抑制剂，其选自通式(1)～(8)中的任意一个所表示的化合物、包含通式(A)所表示的重复单元的高分子化合物(X)、以及包含通式(B)所表示的重复单元及通式(C)所表示的重复单元的高分子化合物(Y)。
- 填埋平坦化膜的制造方法及电子器件的制造方法-201680018934.5
- 田中博文;茅场靖刚;和知浩子;井上浩二;小野升子 - 三井化学株式会社
- 2016-03-24 - 2017-12-01 - H01L21/312
- 本发明是一种填埋平坦化膜的制造方法，其具有下述工序第1涂布工序，在具有凹部的构件的包含上述凹部的区域，涂布包含多元胺和第1溶剂的第1涂布液而在上述凹部填埋第1涂布液；以及第2涂布工序，在包含填埋有第1涂布液的上述凹部的区域，涂布包含具有2个以上羧基的有机物和沸点为200℃以下且SP值为30(MPa)1/2以下的第2溶剂的第2涂布液。
- 一种晶圆表面平坦化工艺-201410037579.9
- 由云鹏;潘光燃;王焜;石金成 - 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
- 2014-01-26 - 2017-10-31 - H01L21/312
- 本发明提供一种晶圆表面平坦化工艺，包括以下步骤在有台阶的晶圆表面形成第一正硅酸乙酯层；在所述第一正硅酸乙酯层上形成旋涂玻璃层，所述旋涂玻璃层在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；对形成旋涂玻璃层后的晶圆依次进行烘烤和离子注入；在离子注入后的所述旋涂玻璃层上形成第二正硅酸乙酯层；在所述第二正硅酸乙酯层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层和所述第二正硅酸乙酯层进行回刻；去除回刻残留的光刻胶，并对晶圆进行清洗。该工艺采用光刻胶层替代第二旋涂玻璃层，并采用光刻胶回刻技术，不但简化了工艺流程，极大程度的节约成本，而且大大降低了钨火山现象的发生，利于封装打线。
- 树脂组合物及栅极绝缘膜-201480039193.X
- 堤隆志 - 日本瑞翁株式会社
- 2014-07-28 - 2017-10-13 - H01L21/312
- 本发明提供一种树脂组合物，其包含含有羟基及氰基烷基的树脂(A)、分子内具有两个以上环氧基的环氧化合物(B)、分子内具有两个以上羟基且羟值为150～300mgKOH/g的固化剂(C)、和具有下述通式(1)所示结构的交联剂(D)。(上述通式(1)中，R1、R2为碳原子数1～20的烷基，R1和R2可以互相相同也可以不同。)。
- 成膜方法和成膜系统-201480009698.1
- 志村悟;岩尾文子;吉原孝介 - 东京毅力科创株式会社
- 2014-01-23 - 2017-09-08 - H01L21/312
- 本发明是在表面形成有图案的基板上形成有机膜的发明，在基板上涂布有机材料，此后，对该有机材料进行热处理，在基板上形成有机膜，此后，对该有机膜进行紫外线照射处理，将该有机膜的表面除去至规定的深度，由此在基板上适当且高效地形成有机膜。
- 微结晶蓝宝石抛光液的制备方法-201510573376.6
- 代克;王乐军;徐明艳;周万里 - 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
- 2015-09-10 - 2017-08-01 - H01L21/312
- 本发明涉及一种微结晶蓝宝石抛光液的制备方法，该抛光液由下述重量百分比的原料组成纳米二氧化硅20－40%；碱性化合物1－10%；分散剂0.1－3%；表面活性剂0.1－3%；保湿成分0.1－3%；吸湿成分0.1－5%；余量为去离子水；具体包括如下步骤取纳米二氧化硅均匀分散在一定量的去离子水中，然后加入碱性化合物，混匀后加入分散剂和表面活性剂，再次混匀以形成稳定的胶体体系，最后再加入保湿成分、吸湿成分及余量的去离子水，混合均匀即得微结晶蓝宝石抛光液。本发明抛光液不易凝结在机台上，同时不易风干在蓝宝石晶片表面，降低了后期清洗工艺的难度，提高了生产效率。
- 氟氧化镧铈稀土抛光液-201410549942.5
- 肖兴才;车兴玉 - 乐山东承新材料有限公司
- 2014-10-17 - 2017-07-11 - H01L21/312
- 本发明公开了一种氟氧化镧铈稀土抛光液，包括氟氧化镧铈稀土抛光粉、分散剂、增效剂和溶剂；氟氧化镧铈稀土抛光粉的含量为20%~30%，分散剂的含量为0.5%~0.8%，增效剂的含量为3%~5%；pH为7.5~9；增效剂为十二烷基苯磺酸20%~25%、十二烷基三甲基氯化铵50%和二甲基甲酰胺25%~30%的混合物。本发明的抛光液中含有稀土抛光液、分散剂和增效剂，通过对稀土抛光粉和增效剂的配比调节，使抛光效果达到最优，划伤减少，具有更高的抛光速度。
- 衬底处理方法、衬底处理装置及半导体器件的制造方法-201480043306.3
- 奥野正久;角田彻;立野秀人;定田拓也;黑川正路 - 株式会社日立国际电气;电子材料（卢森堡）有限公司
- 2014-07-28 - 2017-05-10 - H01L21/312
- 包括将衬底搬入处理容器内的工序，所述衬底形成有具有硅氮烷键的膜，该膜被实施了前烘；改质处理工序，将所述衬底加热到第一温度而对该衬底供给处理气体；干燥处理工序，在比所述第一温度高、且为所述前烘时的温度以下的第二温度对所述衬底进行加热。
- 喷墨打印的抗蚀剂-201310485921.7
- 董华;R·K·巴尔 - 太阳化学公司
- 2013-08-16 - 2017-04-26 - H01L21/312
- 本方法涉及选择性地在半导体上沉积抗蚀剂，该抗蚀剂包括固态氢化松香树脂和液态氢化松香树脂酯的组合物，然后蚀刻半导体的未覆盖部分，并且同时抑制抗蚀剂的削角。蚀刻部分随后可被金属化以形成电流路径。
- 牺牲膜用组合物、以及其制造方法、以及具备有使用该组合物而形成的空隙的半导体装置、以及使用了该组合物的半导体装置的制造方法-201580042676.X
- 中杉茂正;绢田贵史;能谷刚;柳田浩志;浜祐介 - AZ电子材料（卢森堡）有限公司
- 2015-07-29 - 2017-04-19 - H01L21/312
- 本发明的课题是提供一种耐热性和保存稳定性优异的牺牲膜用组合物与使用了其的半导体装置的制造方法。本发明的解决手段是如下一种牺牲膜用组合物，其包含有包含着含有具有孤对电子的氮原子的重复单元的聚合物、以及溶剂，其中特定的过渡金属离子含有率非常低；一种以牺牲材料的形式利用前述组合物从而制造具备有多孔质材料的半导体装置的方法。
- 用于形成半导体基板用钝化膜的材料、半导体基板用钝化膜及其制造方法、以及太阳能电池元件及其制造方法-201280021239.6
- 织田明博;吉田诚人;野尻刚;町井洋一;岩室光则;足立修一郎;佐藤铁也;田中彻 - 日立化成株式会社
- 2012-05-18 - 2017-04-12 - H01L21/312
- 本发明提供一种用于形成半导体基板用钝化膜的材料，其包含具有阴离子性基团或阳离子性基团的高分子化合物。
- 非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法-201210550519.8
- 程晋广;郭晓波;童宇锋 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 2012-12-18 - 2016-11-16 - H01L21/312
- 本发明公开了一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法，包括步骤：提供一基片；对基片表面进行通氧气的等离子体处理；或者在基片表面生长一层二氧化硅层或氮氧化硅层；在基片表面上旋涂一层非感光性聚酰亚胺；对非感光性聚酰亚胺进行两段式软烘；光刻胶涂布和软烘；进行曝光；进行显影；用光刻胶剥离工艺去除光刻胶；对非感光性聚酰亚胺进行固化。本发明能消除非感光性聚酰亚胺的掀起问题，能提高生产效率，减少显影过程中显影液对金属腐蚀的风险。
- 非感光性聚酰亚胺钝化层的制备方法-201110366808.8
- 郭晓波;程晋广 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 2011-11-18 - 2016-11-16 - H01L21/312
- 本发明公开了一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制备方法，该方法在非感光性聚酰亚胺旋涂步骤后，固化步骤前，进行以下步骤：1)在非感光性聚酰亚胺上旋涂、烘烤一层光敏性物质；2)曝光，显影，去除曝光区域的光敏性物质，不去除或部分去除非感光性聚酰亚胺，部分形成非感光性聚酰亚胺钝化层开孔；3)使用干法回刻的方法刻蚀去除非曝光区域的光敏性物质和钝化层开孔区域的非感光性聚酰亚胺。该方法通过在非感光性聚酰亚胺钝化层的制备工艺中引入干法回刻步骤，使显影液不会直接接触金属铝线，避免了金属铝线在显影过程中被显影液腐蚀，同时通过控制显影时间，可以获得不同形貌的非感光性聚酰亚胺钝化层，以满足不同产品工艺的需求。
- 一种组合物及使用其的有机薄膜晶体管-201580011608.7
- 矢作公 - 住友化学株式会社
- 2015-03-11 - 2016-10-26 - H01L21/312
- 本发明提供一种组合物，其含有：包含具有式(1)所示基团的重复单元的高分子化合物(A)；因电磁波或电子射线的照射、或者加热而分解产生酸的化合物(B)；和在酸的存在下与羟基反应的化合物(C)。
[式中，R表示在酸的作用下从氧原子脱离时的活化能为80kJ以下的1价有机基团。R’表示烷基等。n表示0以上的整数。R”表示亚烷基等]。
- 用于制造背面钝化太阳能电池的组合物和方法-201380059482.1
- 泰德·克罗伊茨;何靳安;乔尔·加西亚;毛拉·莫斯托-加拉格尔;格拉哈姆·罗宾斯;刘英 - 太阳化学公司
- 2013-10-18 - 2015-08-19 - H01L21/312
- 本发明描述了用于制造背面钝化硅太阳能电池的组合物和方法。本发明描述了一种将背表面切开以使硅与常规铝粉浆接触的新颖方法。本发明描述了多种新颖的可丝网印刷的抗蚀剂。首先，可将此类抗蚀剂印刷在背面钝化太阳能电池晶片的背面上。接着可以使用湿式蚀刻来去除钝化层，并接着可以去除抗蚀剂层。此外，可以任选地使用额外的湿式蚀刻步骤来深化通向所述硅的开口并增强BSF(背面场)。接着可以将铝粉浆印刷在目前所蚀刻的电池的整个背部上。接着将整个电池烧制。在本发明的示例性实施方案中，可以选择不会烧穿钝化层的粉浆。
- 薄膜形成设备和薄膜形成方法-201410355905.0
- 李正浩;金善浩;赵喆来;许明洙 - 三星显示有限公司
- 2014-07-24 - 2015-07-08 - H01L21/312
- 提供了一种薄膜形成设备和一种薄膜形成方法。该薄膜形成设备包括第一储存单元、第一喷嘴单元、第一光照射单元、第二储存单元、第二喷嘴单元和第二光照射单元。第一储存单元被构造为储存第一有机材料。第一喷嘴单元连接到第一储存单元，并且被构造为喷射储存在第一储存单元中的第一有机材料。第一光照射单元设置为与第一喷嘴单元相邻，并且被构造为照射具有使第一有机材料固化的波长的光。第二储存单元被构造为储存第二有机材料。第二喷嘴单元设置为与第一喷嘴单元相邻，连接到第二储存单元，并且被构造为喷射储存在第二储存单元中的第二有机材料。第二光照射单元设置为与第二喷嘴单元相邻，并且被构造为照射具有使第二有机材料固化的波长的光。
- 一种半导体平坦化层的制作方法-201310596947.9
- 高印;柯其勇;颜圣佑;陈智冈 - 上海和辉光电有限公司
- 2013-11-22 - 2015-05-27 - H01L21/312
- 本发明提供一种半导体平坦化层的制作方法，其中，包括：涂布、烘烤和干燥步骤，是将用于形成平坦化层的光刻胶涂布于下层膜上，然后进行烘烤处理和干燥处理；曝光和显影步骤，是对通过所述涂布、烘烤和干燥步骤处理后的平坦化层实施曝光处理和显影处理；其特征在于，根据要制作的平坦化层所需的涂胶厚度，至少分两次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤；并且，至少实施一次的所述曝光步骤和显影步骤。基于本发明能够改善平坦化层锥度角、降低平坦化层的凹割现象、防止导致平坦化层的上层膜断线，从而提升产品的可靠性。
- 电子器件绝缘层及电子器件绝缘层的制造方法-201380011819.1
- 矢作公 - 住友化学株式会社
- 2013-02-26 - 2014-11-05 - H01L21/312
- 本发明的课题在于提供能够提高电子器件特性的电子器件绝缘层。用于解决课题的手段为一种电子器件绝缘层，其具有由第1绝缘层材料形成的第1绝缘层和由第2绝缘层材料形成在该第1绝缘层上的第2绝缘层，该第1绝缘层材料是含有感光性树脂组合物(A)、烷氧基钨(V)(B)和碱性化合物(C)的绝缘层材料，该第2绝缘层材料是含有高分子化合物(D)的绝缘层材料，所述高分子化合物(D)在分子内包含具有环状醚结构的重复单元和具有在酸的作用下生成酚性羟基的有机基团的重复单元。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
