专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]标记半导体封装的方法-CN201580069079.6有效
  • C.M.斯坎伦 - 德卡技术股份有限公司
  • 2015-12-16 - 2019-11-05 - H01L21/56
  • 本发明公开了一种制作半导体装置的方法,该方法可包括提供晶圆,该晶圆包括多个半导体晶粒,其中各半导体晶粒包括作用表面和与该作用表面相对的背侧。可用涂布机器将光敏层形成于该晶圆上方和该晶圆内的该多个半导体晶粒中的每一个的背侧上。可用数字曝光机器和显影剂在用于该多个半导体晶粒中的每一个的光敏层内形成识别标记,其中该识别标记的厚度小于或等于该光敏层的厚度的50%。该光敏层可被固化。可将该晶圆单切成多个半导体装置。
  • 标记半导体封装方法
  • [发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201480008489.5有效
  • C.M.斯坎伦;T.L.奥尔森 - 德卡技术股份有限公司
  • 2014-05-08 - 2019-03-08 - H01L21/98
  • 本发明描述了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。本发明提供了包括被切道分开的多个半导体芯片的嵌入式芯片板。通过化学镀工艺形成导电层,所述导电层包括设置在切道中的总线和联接到所述半导体芯片和总线的再分配层(RDL)。在所述导电层和嵌入式芯片板的上方形成绝缘层,所述绝缘层包括设置在所述半导体芯片的占地面积的外面导电层的上方的开口。通过将所述导电层用作电镀工艺的一部分在所述绝缘层中的开口中形成互连结构。在形成所述互连结构之后经由切道切割所述嵌入式芯片板以移除所述总线并且形成单个的扇出晶片级封装。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]快速固化半导体聚合物层的两步法-CN201480051294.9有效
  • W.B.罗杰斯;W.G.M.范登霍克 - 德卡技术股份有限公司
  • 2014-09-17 - 2019-01-08 - H01L21/312
  • 本发明描述了一种半导体器件及制造所述半导体器件的方法。提供半导体裸片。在所述半导体裸片上形成聚合物层。在所述聚合物层中形成通孔。在第一工艺中使所述聚合物层交联。在第二工艺中使所述聚合物层热固化。所述聚合物层可包含聚苯并唑(PBO)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)或硅氧烷基聚合物。可通过UV烘烤使所述聚合物层的表面交联以在后续固化期间控制所述通孔的倾斜度。所述第二工艺还可包括使用传导加热、对流加热、红外加热或微波加热使所述聚合物层热固化。可通过以大于或等于10摄氏度/分钟的速率升高所述聚合物的温度,使所述聚合物层热固化,并且所述聚合物层可在小于或等于60分钟内完全固化。
  • 快速固化半导体聚合物步法
  • [发明专利]集成电路封装自动布线-CN201380033254.7有效
  • C.毕晓普;C.M.斯坎伦;T.L.奥尔森 - 德卡技术股份有限公司
  • 2013-05-07 - 2017-09-22 - H01L23/52
  • 本发明涉及使用自适应图案化方法形成半导体器件的多种途径,一些途径包括将半导体管芯单元置于载体元件上,计算第二组迹线的迹线几何形状,构造包含第一组迹线的预设层,以及根据计算的迹线几何形状构造所述第二组迹线。形成所述半导体器件还可以包括将所述第一组迹线的至少一条电连接到所述第二组迹线的至少一条,以及通过所述第一组迹线的所述至少一条和所述第二组迹线的所述至少一条将所述半导体管芯单元的至少一个接合焊盘电连接到目标焊盘。
  • 集成电路封装自动布线
  • [发明专利]包括加厚的再分布层的半导体器件及其制造方法-CN201580020681.0在审
  • C.M.斯坎伦;C.毕晓普 - 德卡技术股份有限公司
  • 2015-03-09 - 2016-12-14 - H01L23/538
  • 本发明提供了一种制造半导体封装的方法,所述方法可包括在多个半导体管芯的有源表面上方形成多个厚再分布层(RDL)迹线,所述多个厚再分布层迹线电连接到所述多个半导体管芯上的接触焊盘;分割包括所述多个厚RDL迹线的所述多个半导体管芯;将分割的所述多个半导体管芯安装在临时载体的上方,其中所述多个半导体管芯的所述有源表面背离所述临时载体取向;将密封剂材料设置在所述多个半导体管芯中的每一者的所述有源表面和至少四个侧表面上方、所述多个厚RDL迹线上方以及所述临时载体上方;形成穿过所述密封剂材料的通孔,以相对于所述密封剂材料暴露所述多个加厚的RDL迹线中的至少一个迹线;移除所述临时载体,并分割所述多个半导体管芯。
  • 包括加厚再分半导体器件及其制造方法

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