[发明专利]毫米波段用半导体封装件以及毫米波段用半导体装置有效
申请号: | 201410452961.6 | 申请日: | 2014-09-05 |
公开(公告)号: | CN104835805B | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 高木一考 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L23/66 | 分类号: | H01L23/66;H01P5/107;H01P3/00 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人: | 姜虎,陈英俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及毫米波段用半导体封装件以及毫米波段用半导体装置。本发明的一个实施方式提供一种毫米波段用半导体封装件。毫米波段用半导体封装件具备第一金属区块、第二金属区块以及电路基板。第一金属区块具有第一贯通孔以及第二贯通孔,该第一和第二贯通孔各自的内表面形成有平坦化膜。第二金属区块具有第一非贯通孔以及第二非贯通孔,该第一和第二非贯通孔各自的内表面形成有平坦化膜。电路基板配置在第一金属区块与第二金属区块之间,正面设置有输入用信号线路以及输出用信号线路。第一金属区块以及第二金属区块配置成第一非贯通孔和第一贯通孔构成第一导波管,第二非贯通孔和第二贯通孔构成第二导波管。 | ||
搜索关键词: | 毫米 波段 半导体 封装 以及 装置 | ||
【主权项】:
一种毫米波段用半导体封装件,其特征在于,具备:第一金属区块,具有第一贯通孔以及第二贯通孔,所述第一、第二贯通孔各自的内表面形成有平坦化膜;第二金属区块,具有第一非贯通孔以及第二非贯通孔,所述第一、第二非贯通孔各自的内表面形成有平坦化膜;以及电路基板,配置在所述第一金属区块与所述第二金属区块之间,且正面设置有输入用信号线路以及输出用信号线路;其中,所述第一金属区块以及所述第二金属区块配置成:所述第一非贯通孔以及所述第一贯通孔构成第一导波管,所述第二非贯通孔以及所述第二贯通孔构成第二导波管;形成在所述第一、第二贯通孔的内表面的所述平坦化膜、以及形成在所述第一、第二非贯通孔的内表面的所述平坦化膜各自含有银纳米粒子。
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