[发明专利]毫米波段用半导体封装件以及毫米波段用半导体装置

权利要求书

1.一种毫米波段用半导体封装件，其特征在于，

具备：

第一金属区块，具有第一贯通孔以及第二贯通孔，所述第一、第二贯通孔各自的内表面形成有平坦化膜；

第二金属区块，具有第一非贯通孔以及第二非贯通孔，所述第一、第二非贯通孔各自的内表面形成有平坦化膜；以及

电路基板，配置在所述第一金属区块与所述第二金属区块之间，且正面设置有输入用信号线路以及输出用信号线路；

其中，所述第一金属区块以及所述第二金属区块配置成：所述第一非贯通孔以及所述第一贯通孔构成第一导波管，所述第二非贯通孔以及所述第二贯通孔构成第二导波管；

形成在所述第一、第二贯通孔的内表面的所述平坦化膜、以及形成在所述第一、第二非贯通孔的内表面的所述平坦化膜各自含有银纳米粒子。

2.根据权利要求1所述的毫米波段用半导体封装件，其特征在于，

所述第一金属区块以及所述第二金属区块分别是通过使用了砂铸型或者石膏铸型的铸造法制造而成的。

3.根据权利要求1所述的毫米波段用半导体封装件，其特征在于，

所述输入用信号线路的一侧端部插入到所述第一导波管内，插入长度为λ/4，

并且，所述输出用信号线路的一侧端部插入到所述第二导波管内，插入长度为λ/4。

4.根据权利要求1所述的毫米波段用半导体封装件，其特征在于，

所述第一非贯通孔的底面配置在自所述输入用信号线路朝下方相隔λ/4长度的位置，

并且，所述第二非贯通孔的底面配置在自所述输出用信号线路朝下方相隔λ/4长度的位置。

5.根据权利要求1所述的毫米波段用半导体封装件，其特征在于，

所述第一金属区块是用于在正面上配置所述电路基板的基体，

所述第二金属区块是配置于所述电路基板上的盖体。

6.根据权利要求5所述的毫米波段用半导体封装件，其特征在于，

所述基体的所述第一贯通孔以及所述第二贯通孔分别是从正面朝着侧面贯通所述基体的L字状的贯通孔。

7.根据权利要求1所述的毫米波段用半导体封装件，其特征在于，

所述第一金属区块是配置于所述电路基板上的盖体，

所述第二金属区块是用于在正面上配置所述电路基板的基体。

8.根据权利要求7所述的毫米波段用半导体封装件，其特征在于，

所述盖体的所述第一贯通孔以及所述第二贯通孔分别是从背面朝着侧面贯通所述盖体的L字状的贯通孔。

9.根据权利要求7所述的毫米波段用半导体封装件，其特征在于，

所述盖体的所述第一贯通孔以及所述第二贯通孔分别是从背面朝着正面贯通所述盖体的贯通孔。

10.一种毫米波段用半导体装置，其特征在于，

具备：

第一金属区块，具有第一贯通孔以及第二贯通孔，所述第一、第二贯通孔各自的内表面形成有平坦化膜；

第二金属区块，具有第一非贯通孔以及第二非贯通孔，所述第一、第二非贯通孔各自的内表面形成有平坦化膜；

电路基板，配置在所述第一金属区块与所述第二金属区块之间，在该电路基板的一部分上具有贯通孔，正面设置有输入用信号线路以及输出用信号线路；以及

半导体芯片，配置在所述电路基板的贯通孔内，并且与所述输入用信号线路以及所述输出用信号线路电连接；

其中，所述第一金属区块以及所述第二金属区块配置成：所述第一非贯通孔以及所述第一贯通孔构成第一导波管，所述第二非贯通孔以及所述第二贯通孔构成第二导波管；

形成在所述第一、第二贯通孔的内表面的所述平坦化膜、以及形成在所述第一、第二非贯通孔的内表面的所述平坦化膜各自含有银纳米粒子。

11.根据权利要求10所述的毫米波段用半导体装置，其特征在于，

所述第一金属区块以及所述第二金属区块分别是通过使用了砂铸型或者石膏铸型的铸造法制造而成的。

12.根据权利要求10所述的毫米波段用半导体装置，其特征在于，

所述输入用信号线路的一侧端部插入到所述第一导波管内，插入长度为λ/4，

并且，所述输出用信号线路的一侧端部插入到所述第二导波管内，插入长度为λ/4。