[发明专利]毫米波段用半导体封装件以及毫米波段用半导体装置

说明书

本申请以日本专利申请2014-022064号(申请日：2014年2月7日)为基础，并且享有该申请的优先权。本申请通过引用将该申请的全部内容包含于此。

技术领域

本发明的实施方式涉及毫米波段用半导体封装件以及毫米波段用半导体装置。

背景技术

安装了在30GHz以上的毫米波段等中工作的半导体芯片的以往的毫米波段用半导体封装件具有：基体，用于载置半导体芯片；信号线，一端连接半导体芯片，另一端作为天线发挥功能；以及盖体，以覆盖半导体芯片的方式设置在基体上。这种以往的毫米波段用半导体封装件是通过将信号线插入到与外部电气电路等相连接的导波管内来使用的。

但是，例如日本专利第3485520号公报所公开的以往的毫米波段用半导体封装件，其在每个输入端子和输出端子分别具有天线结合用导波管区块(block)，并分成了两个区块，因此，导波管区块相对于天线的安装状态在每个输入端子和输出端子上会发生变化。因此，毫米波段用半导体封装件以及在该封装件中安装了半导体芯片的毫米波段用半导体装置存在着再现性差的问题。

进而，特别是由于在毫米波段中金属表面的平坦性会对被导波的毫米波的损失产生影响，因而无法通过廉价的铸造方式制造基体和盖体等金属部件，金属部件通过使用所谓的切削或金属模具铸造的(铝压铸)手段来进行制造。但是，切削手段虽然可以应对少量生产，但是制造成本会变高。另外，金属模具铸造(铝压铸)的手段虽然也可以应对，但是由于使用了高价的金属，同样会导致制造成本变高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种再现性优异的毫米波段用半导体封装件、以及在该封装件中安装了半导体芯片的毫米波段用半导体装置。

实施方式提供一种毫米波段用半导体封装件。毫米波段用半导体封装件具备第一金属区块、第二金属区块以及电路基板。第一金属区块具有第一贯通孔以及第二贯通孔，该第一和第二贯通孔各自的内表面形成有平坦化膜。第二金属区块具有第一非贯通孔以及第二非贯通孔，该第一和第二非贯通孔各自的内表面形成有平坦化膜。电路基板配置在第一金属区块与第二金属区块之间，正面设置有输入用信号线路以及输出用信号线路。第一金属区块以及第二金属区块配置成：第一非贯通孔和第一贯通孔构成第一导波管，第二非贯通孔和第二贯通孔构成第二导波管。

实施方式提供一种毫米波段用半导体装置。毫米波段用半导体装置具备第一金属区块、第二金属区块、电路基板以及半导体芯片。第一金属区块具有第一贯通孔以及第二贯通孔，该第一和第二贯通孔各自的内表面形成有平坦化膜。第二金属区块具有第一非贯通孔以及第二非贯通孔，该第一和第二非贯通孔各自的内表面形成有平坦化膜。电路基板配置在第一金属区块与第二金属区块之间，该电路基板的一部分上具有贯通孔，正面设有输入用信号线路以及输出用信号线路。半导体芯片配置在电路基板的贯通孔内，并且与输入用信号线路以及输出用信号线路电连接。第一金属区块以及第二金属区块配置成：第一非贯通孔和第一贯通孔构成第一导波管，第二非贯通孔和第二贯通孔构成第二导波管。

上述结构的毫米波段用半导体封装件以及毫米波段用半导体装置具有优异的再现性。

附图说明

图1是从斜上方观察涉及第一实施例的毫米波段用半导体装置时的模式化分解立体图。

图2是从斜下方观察涉及第一实施例的毫米波段用半导体装置时的模式化分解立体图。

图3A是从斜上方观察涉及第一实施例的毫米波段用半导体封装件的基体时的模式化立体图。

图3B是沿着图3A的点划线A-A’示出的基体的模式化剖面图。

图4A是从斜上方观察涉及第一实施例的毫米波段用半导体封装件的电路基板时的模式化立体图。

图4B是从上方观察涉及第一实施例的毫米波段用半导体封装件的电路基板时的模式化俯视图。

图4C是从下方观察涉及第一实施例的毫米波段用半导体封装件的电路基板时的模式化仰视图。

图4D是沿着图4A的点划线B-B’示出的电路基板的模式化剖面图。

图5A是从斜上方观察涉及第一实施例的毫米波段用半导体封装件的盖体时的模式化立体图。

图5B是沿着图5A的点划线C-C’示出的盖体的模式化剖面图。

图6是示出涉及第一实施例的毫米波段用半导体装置的、与图3B、图4D以及图5B相对应的剖面图。

图7A是从斜上方观察涉及第二实施例的毫米波段用半导体封装件的基体时的模式化立体图。

图7B是沿着图7A的点划线A-A’示出的基体的模式化剖面图。