[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410392447.8 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105336719A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 吕佳霖;陈俊隆;廖琨垣;张峰溢 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制造方法。本发明的半导体元件包括：基板、第一介电层与第一金属拴塞结构。上述基板上具有电路元件。上述第一介电层配置于电路元件上与基板上。上述第一金属拴塞结构镶嵌于第一介电层中，其中第一金属拴塞结构包含第一金属内连线与第一阻挡金属层。上述第一金属内连线直接接触电路元件。上述第一阻挡金属层配置于第一金属内连线上，且组成第一金属内连线与第一阻挡金属层的金属材料不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：基板，该基板上具有电路元件；第一介电层，配置于该电路元件上与该基板上；以及第一金属拴塞结构，镶嵌于该第一介电层中，其中该第一金属拴塞结构包含一第一金属内连线与一第一阻挡金属层，该第一金属内连线直接接触该电路元件，该第一阻挡金属层配置于该第一金属内连线上，且组成该第一金属内连线与该第一阻挡金属层的金属材料不同。
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