[发明专利]半导体衬底、半导体封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410344399.5 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN105304602A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 何政霖;苏洹漳;李志成 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体衬底、半导体封装结构及其制造方法。半导体衬底包含第一介电层、多个接垫、图案化金属层以及第二介电层。第一介电层具有多个开口。每一接垫分别安置于每一开口中。每一接垫具有第一表面和相对于第一表面的第二表面。第一表面的面积小于第二表面的面积。每一开口显露第二表面。图案化金属层安置于第一介电层上并延伸到多个开口中以接触多个接垫的第一表面。第二介电层包覆且显露部分图案化金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体衬底，其包含：第一介电层，所述第一介电层具有多个开口；多个接垫，每一所述多个接垫分别位于每一所述多个开口中，且所述多个接垫具有第一表面和相对于所述第一表面的第二表面，所述第一表面的面积小于所述第二表面的面积，所述多个开口显露所述第二表面；图案化金属层，所述图案化金属层位于所述第一介电层上并延伸到所述多个开口中以接触所述多个接垫的第一表面；以及第二介电层，所述第二介电层包覆且显露部分所述图案化金属层。
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