[发明专利]半导体装置及其制作方法有效
申请号: | 201410337946.7 | 申请日: | 2014-07-16 |
公开(公告)号: | CN105261645B | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 吴彦良;张仲甫;洪裕祥;沈文骏;傅思逸;吕曼绫;刘家荣;陈意维 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体装置及其制作方法。半导体装置包括鳍状结构、外延结构以及栅极结构,其中鳍状结构设置于基板上,外延结构仅设置于鳍状结构的顶面上而且完全覆盖住鳍状结构的顶面,其中外延结构具有圆弧顶面。栅极结构覆盖住部分鳍状结构以及部分外延结构。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:鳍状结构,设置于一基板上;绝缘结构,设置于该基板上;突起结构,直接接触该基板且部分突出于该绝缘结构,其中突出于该绝缘结构的该突起结构为该鳍状结构;外延结构,仅设置于该鳍状结构的顶面上而且完全覆盖住该鳍状结构的顶面,其中该外延结构具有一圆弧顶面;以及栅极结构,覆盖住该鳍状结构以及该外延结构。
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