[发明专利]半导体装置及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

鳍状结构，设置于一基板上；

绝缘结构，设置于该基板上；

突起结构，直接接触该基板且部分突出于该绝缘结构，其中突出于该绝缘结构的该突起结构为该鳍状结构；

外延结构，仅设置于该鳍状结构的顶面上而且完全覆盖住该鳍状结构的顶面，其中该外延结构具有一圆弧顶面；以及

栅极结构，覆盖住该鳍状结构以及该外延结构，该栅极结构包括栅极介电层，顺向性地覆盖住该鳍状结构的侧面和该外延结构的顶面和侧面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该鳍状结构和该外延结构间具有一平坦界面。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该鳍状结构和该外延结构具有一总和高度，该外延结构的高度与该总和高度的比值小于0.5。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该外延结构具有一渐缩的宽度，由邻近该鳍状结构处往远离该鳍状结构处减缩。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该鳍状结构的顶面具有(100)晶面。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该绝缘结构被设置于该鳍状结构与该基板之间。

7.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

源极区域以及漏极区域，分别设置于该栅极结构两侧的该外延结构内；以及

多个金属接触结构，分别电连接该源极区域、该漏极区域以及该栅极结构。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中当施加一电压于该源极区域、该漏极区域及/或该栅极结构时，会产生一主要电流路径，其中主要电流路径位于该外延结构的上部。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中该外延结构的上部的电流密度会高于该外延结构的下部的电流密度。

10.一种半导体装置的制作方法，其中该制作方法应用于一半导体装置半成品，该半导体装置半成品包括基板、鳍状结构以及绝缘结构，其中该鳍状结构以及该绝缘结构均设置于该基板上，该制作方法包括：

蚀刻该鳍状结构的顶面；以及

在蚀刻该鳍状结构的顶面之后，仅于该鳍状结构的顶面上成长一外延结构，其中该外延结构具有一圆弧顶面。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制作方法，其中当完成蚀刻该鳍状结构顶面的步骤时，该鳍状结构的顶面会自一初始高度降低至一减缩高度。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制作方法，其中当完成成长该外延结构的步骤时，该外延结构的顶面会位于该初始高度。

13.如权利要求10所述的半导体装置的制作方法，其中成长该外延结构的方式为共流外延成长制作工艺及/或循环选择性外延成长制作工艺。

14.如权利要求10所述的半导体装置的制作方法，其中该鳍状结构和该外延结构间具有一平坦界面。

15.如权利要求10所述的半导体装置的制作方法，其中该鳍状结构和该外延结构具有一总和高度，该外延结构的高度与该总和高度的比值小于0.5。

16.如权利要求10所述的半导体装置的制作方法，其中在成长该外延结构之后，还包括形成一虚置栅极结构，覆盖住该外延结构以及该鳍状结构。

17.如权利要求10所述的半导体装置的制作方法，其中在蚀刻该鳍状结构的顶面之前，该半导体装置半成品还包括一虚置栅极结构，覆盖住该鳍状结构，其中该虚置栅极结构被设置于一栅极沟槽中，该制作方法还包括：

去除该虚置栅极结构，致使该鳍状结构暴露出于该栅极沟槽；以及

形成一金属栅极结构，覆盖住该外延结构以及该鳍状结构。