[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410252218.6 | 申请日： | 2012-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103996670B | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 山田启寿;石田正明 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/552 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一个实施例，半导体装置包括电路基板、半导体元件、密封树脂层和导电屏蔽层。该电路基板包括绝缘层、形成设置在绝缘层的上表面侧上的第一互连层的多个互连、形成设置在绝缘层的下表面侧上的第二互连层的多个互连，以及从绝缘层的上表面穿通到下表面的多个过孔。半导体元件安装在电路基板的上表面侧上。导电屏蔽层覆盖密封树脂层和电路基板端部的一部分。多个过孔中的任何一个与导电屏蔽层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：电路基板，所述电路基板包括：绝缘层、设置在所述绝缘层的多个互连、和在所述绝缘层的侧面露出的铜或钨的切割面；半导体元件，搭载于所述电路基板；密封树脂层，将所述半导体元件密封；导电性屏蔽层，覆盖所述密封树脂层；以及外部连接端子，连接于所述多个互连中的各个互连，所述导电性屏蔽层被埋入形成在被切割的所述铜或钨上，所述切割面与所述导电性屏蔽层接触并被电连接，所述多个互连中的任何一个互连和与其连接的所述外部连接端子能够为地电位，能够为地电位的所述互连被电连接到所述切割面，能够为地电位的所述外部连接端子彼此相邻的距离为，要屏蔽的电磁波的波长的一半以下。
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