[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201410252218.6 申请日: 2012-01-31
公开(公告)号: CN103996670B 公开(公告)日: 2017-08-22
发明(设计)人: 山田启寿;石田正明 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/552
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

电路基板,所述电路基板包括:绝缘层、设置在所述绝缘层的多个互连、和在所述绝缘层的侧面露出的铜或钨的切割面;

半导体元件,搭载于所述电路基板;

密封树脂层,将所述半导体元件密封;

导电性屏蔽层,覆盖所述密封树脂层;以及

外部连接端子,连接于所述多个互连中的各个互连,

所述导电性屏蔽层被埋入形成在被切割的所述铜或钨上,所述切割面与所述导电性屏蔽层接触并被电连接,

所述多个互连中的任何一个互连和与其连接的所述外部连接端子能够为地电位,

能够为地电位的所述互连被电连接到所述切割面,

能够为地电位的所述外部连接端子彼此相邻的距离为,要屏蔽的电磁波的波长的一半以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,

能够为地电位的所述外部连接端子位于所述半导体元件的拐角及所述半导体元件的相邻拐角之间的至少某一处。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,

能够为地电位的所述外部连接端子是,所述导电性屏蔽层与地电位接触的位置。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,

在所述半导体元件与所述电路基板之间形成有管芯键合材料。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,

在所述电路基板的下侧还具备围绕所述外部连接端子的其他互连层,

所述其他互连层与能够为地电位的所述外部连接端子电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,

能够为地电位的所述外部连接端子与所述其他互连层的间隔被配置为,比要屏蔽的电磁波的波长的1/2窄。

7.一种半导体装置,包括:

电路基板,所述电路基板包括:绝缘层、设置在所述绝缘层的多个互连、和在所述绝缘层的侧面露出的铜或钨的切割面;

半导体元件,搭载于所述电路基板;

密封树脂层,将所述半导体元件密封;

导电性屏蔽层,覆盖所述密封树脂层;以及

外部连接端子,连接于所述多个互连中的各个互连,

所述导电性屏蔽层被埋入形成在被切割的所述铜或钨上,所述切割面与所述导电性屏蔽层接触并被电连接,

所述多个互连中的任何一个互连和与其连接的所述外部连接端子能够为地电位,

能够为地电位的所述互连被电连接到所述切割面,

能够为地电位的所述外部连接端子彼此相邻的距离为,频率是50MHz~2.5GHz中的任意一个的电磁波的波长的一半以下。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社,未经东芝存储器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410252218.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top