[发明专利]一种制备氮化硼单晶的装置及方法有效
| 申请号： | 201310543084.9 | 申请日： | 2013-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103541000A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 黄俊;徐科;王建峰;任国强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B25/10;C30B29/38 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备氮化硼单晶的设备及方法，所述方法包括如下步骤（1）提供一衬底，所述衬底放置在反应部内部的支撑部上；（2）启动加热部，将衬底加热至一第二温度；（3）将反应气体及载气通入所述反应部中，以在衬底上生长氮化硼单晶；其中，所述反应气体为三氯化硼和氨气。本发明的优点在于：1、三氯化硼和氨气作为反应气体以制备氮化硼单晶，以氮化硼多晶或刚玉作为反应部的材料，避免三氯化硼对反应部的腐蚀。2、采用感应加热，可得到晶格质量高的氮化硼单晶。3、使用气相外延技术，可以在较大衬底生长氮化硼单晶，能够制备大尺寸的氮化硼单晶且生长速度快。4、生长设备简单，用材料易得，成本较低，可用于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氮化 硼单晶 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制备氮化硼单晶的设备，包括反应部、加热部及支撑部，待生长氮化硼单晶的衬底放置在反应部内部的支撑部上，所述加热部围绕所述反应部外壁，其特征在于，所述反应部包括一由刚玉或氮化硼多晶制成的内壁，所述加热部通有交流电，以在支撑部诱导产生感应电流，对衬底进行加热。
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- 2014-10-20 - 2017-06-16 - C30B25/08
- 本发明公开了一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置，包括进气口和反应室，所述反应室上方设有顶盖，进气口竖向贯穿于顶盖，反应室的侧壁向内凹陷形成内凹环形结构；反应室下方设有可轴向旋转的衬底承载座，衬底承载座的外径小于腔体的内径，衬底承载座与腔体结构内壁之间的空隙形成为排气通道；衬底承载座侧壁与其上边沿的连接处呈倒圆角结构，其与腔体结构的内壁形成Y形漏斗结构。本发明极大地抑制了反应室的气体向上翻滚形成的涡流，提高了高速旋转的衬底承载座附近气场的稳定性；倒圆角流线型设计缩小并优化了承载座与腔体内壁间的距离,使得由反应室进入排气通道中的气体不易向上翻滚,进一步提高了反应室气流的稳定性和薄膜生长的均匀性。
- 用于制造硅外延片的单片式外延炉的外延生长单元及应用-201710056774.X
- 曾泽斌 - 浙江理工大学
- 2017-01-25 - 2017-05-31 - C30B25/08
- 本发明公开了一种用于制造硅外延片的单片式外延炉的外延生长单元及应用。外延生长单元，主体从上到下依次设有冷却腔，CVD反应腔，密封柄；左右分别设有生长气进气口法兰，生长气出气口法兰；前后分别设有压缩空气进气口，压缩空气出气口。一种采用所述的外延生长单元的用于制造硅外延片的单片式外延炉。本发明通过独特的外延生长单元设计，氯化氢腐蚀的反应速度可以提高约30%，加工厚外延片时，氯化氢腐蚀时间在总的生产时间中的占比从传统外延炉约为30%.降为4%‑6%，另外氯化氢消耗量降低60%‑80%，生产效率提高20%‑25%。
- 用于外延沉积的具有液体分配器的反应室和反应器-201620768775.8
- 弗朗西斯科·科里亚;温琴佐·奥格里亚里 - LPE公司
- 2016-07-19 - 2017-05-10 - C30B25/08
- 本实用新型提供一种用于外延沉积的具有液体分配器的反应室和反应器，其中，用于外延沉积反应器的反应室(1)，包括外表面(2)，外表面2包括至少一个可被液体冷却的第一区域(Z1)和至少一个可被气体冷却的第二区域(Z2)，所述第一区域(Z1)和所述第二区域(Z2)被至少一个从所述外表面(2)向外突出的第一屏障(3)分开；所述反应室(1)包括一个上部分配系统(100)，所述上部分配系统(100)包括一个冷却剂分配管(110)，所述分配管上有孔(120)，所述孔(120)的形状至少和第一屏障(3)的形状部分相似，且位于所述第一屏障(3)和所述外表面(2)的第一区域(Z1)的附近。
- 反应腔室及外延生长设备-201310256108.2
- 张慧 - 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
- 2013-06-25 - 2017-03-22 - C30B25/08
- 本发明提供的反应腔室及外延生长设备，其包括托盘及感应线圈，托盘采用磁导体材料制作，且设置在反应腔室内，并且在托盘上设置有多个沿其周向排列的承载位，用以承载被加工工件；感应线圈环绕在反应腔室的侧壁上，用以采用感应加热的方式加热托盘，在托盘上方设置有反射部件，反射部件用于将由所述托盘辐射至反射部件上的热量，朝向置于该托盘的各个承载位上的被加工工件的低温区域反射，以补偿被加工工件的低温区域与高温区域之间的温度差。本发明提供的反应腔室，其可以使被加工工件的径向温度趋于均匀，从而可以提高外延生长设备的工艺均匀性。
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