[发明专利]具有可调节属性的纳米线的高吞吐量连续气相合成在审
申请号: | 201380018747.3 | 申请日: | 2013-02-01 |
公开(公告)号: | CN104302816A | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | M.霍伊尔林;M.H.芒努松;K.德佩尔特;L.萨米尔森 | 申请(专利权)人: | 昆南诺股份有限公司 |
主分类号: | C30B25/00 | 分类号: | C30B25/00;B82Y40/00;H01L21/02;H01L29/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;张懿 |
地址: | 瑞典*** | 国省代码: | 瑞典;SE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于形成线的方法,其包括提供悬浮在气体中的催化种子粒子,提供包括要形成的线的成分的气体前体以及从所述催化种子粒子生长线。所述线可以在425和525C之间的温度范围内生长并且可以具有纯闪锌矿结构。所述线可以是具有V族终止表面和<111>B晶体生长方向的III-V半导体纳米线。 | ||
搜索关键词: | 具有 调节 属性 纳米 吞吐量 连续 相合 | ||
【主权项】:
一种用于形成线的方法,包括:提供悬浮在气体中的催化种子粒子;提供包括要形成的所述线的成分的气体前体;以及从所述催化种子粒子生长所述线,其特征在于以下中的至少一个:在425与525C之间的温度范围中生长所述线或者线具有纯闪锌矿结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆南诺股份有限公司,未经昆南诺股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380018747.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种具有曲面结构的胶体光子晶体及其制备方法-201710305666.1
- 杨国强;刘传勇 - 中国科学院化学研究所
- 2017-05-03 - 2019-11-12 - C30B25/00
- 本发明属于光子晶体制备技术领域,涉及一种具有曲面结构的胶体光子晶体及其制备方法。本发明利用热压印复形的技术,在热塑性聚合物表面构筑平行的半圆形凹槽阵列,得到图案化凹槽模板;在图案化凹槽模板上采用垂直沉积法生长胶体光子晶体薄膜,从而得到本发明的具有曲面结构(特别是表面具有半圆形凹槽曲面结构)的胶体光子晶体。本发明所提供的方法简单易行,可大面积制备,普适性好。
- 一种用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法-201610338812.6
- 张思敏;夏洋;卢维尔;程嵩;李楠 - 中国科学院微电子研究所
- 2016-05-19 - 2019-10-29 - C30B25/00
- 本发明公开了用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法,属于半导体技术领域,本发明实施例通过将清洗好的衬底放入反应腔室中;开启罗茨泵和前级泵,并在抽真空的同时对样品盘、载气通道和腔室壁进行加热,在加热的过程中吹载气;当所述腔室壁的温度达到第一预定温度时,关闭载气,并开启分子泵;当所述腔室壁的温度达到第二预定温度时,关闭所述分子泵,并打开载气;当所述样品盘温度在第一温度范围内变化,且,所述载气通道和所述腔室壁在第二温度范围内变化时,开始后续沉积工艺的技术手段,实现了较好制备单晶氧化锌薄膜的技术效果。
- 制备二维晶体材料的化学气相沉积设备和方法-201910776832.5
- 钟国仿;陈炳安;张灿 - 深圳市纳设智能装备有限公司
- 2019-08-21 - 2019-10-25 - C30B25/00
- 本发明公开一种制备二维晶体材料的化学气相沉积设备和方法,其中,化学气相沉积设备,包括:真空室;所述真空室内设置有样品台和气体分配器;第一控温室,用于放置第一原材料,并用于将所述第一原材料加热以产生第一原材料的蒸气;第一进气管,连通所述第一控温室和所述气体分配器;第二控温室,用于放置固态或液态第二原材料,并用于所述第二原材料加热以产生第二原材料的蒸气;第二进气管,连通所述第二控温室和所述气体分配器;第三进气管,一端用于连通所述第二原材料的气体源,另一端连通所述气体分配器。本发明技术方案具有二维晶体材料制备精度高,产品均匀性和重复性好,化学气相沉积设备适用范围广的优点。
- 一种HfS2单晶纳米片的制备方法-201710559394.8
- 熊杰;晏超贻;邬春阳;龚传辉;戴丽萍;李言荣 - 电子科技大学
- 2017-07-11 - 2019-10-01 - C30B25/00
- 一种HfS2单晶纳米片的制备方法,属于半导体材料的制备领域。包括以下步骤:1)将S源和Hf源放入石英管的上游区域,内径小于石英管的内嵌石英管放置于下游区域,云母基片置于内嵌石英管中;2)石英管内部抽真空,通入惰性气体使管内气压保持常压环境,然后通入载气流和保护气体;3)加热S源和Hf源至蒸发,在温度为800~980℃、云母基片与内嵌石英管的下壁的距离d为0.5~2.5mm的条件下,反应5~15min,待石英管自然降到室温,取出基片。本发明通过对云母基片与内嵌石英管的下壁的距离d以及沉积温度等参数的优化,实现了厚度为0.8~15nm,边长~5μm的HfS2纳米片的可控生长。
- 一种制备非层状二维纳米硫化镉晶体材料的方法及产品-201711358841.X
- 张骐;金宝;周兴;翟天佑 - 华中科技大学
- 2017-12-17 - 2019-07-23 - C30B25/00
- 本发明属于硫化镉晶体材料领域,并公开了一种制备非层状二维纳米硫化镉晶体材料的方法及产品。该方法包括下列步骤:(a)选取反应容器,将其划分为上游区域、中心区域和下游区域,选取Cd源和S源,将二者分开独立置于上游区域;(b)选取In化合物作为表面抑制剂置于中心区域,选取云母作为衬底置于下游区域;(c)在反应容器中通入惰性气体隔离氧气反应,反应后在云母衬底上形成单所需非层状二维纳米硫化镉晶体材料。本发明还公开了该方法制备的产品。通过本发明,满足大批量二维纳米CdS晶体材料的制备需求,产物晶面表面平整、形貌均一、元素分布均匀,且原料丰富、价格低廉、制备方法简单、便于推广以及大规模生产。
- 重复利用三氧化钼制备单层二硫化钼薄膜的方法-201710519326.9
- 陈波 - 太原理工大学
- 2017-06-30 - 2019-06-18 - C30B25/00
- 本发明公开了一种重复利用三氧化钼来制备单层二硫化钼薄膜的方法。以固态S和MoO3为前驱体,经化学气相反应后在目标衬底上沉积单层MoS2薄膜,其中管式炉温区中S蒸汽的浓度通过载气流量的大小来调节,以防止MoO3中毒。该方法可以多次重复使用MoO3前驱体来制备大面积单层MoS2薄膜,且组成薄膜的单晶MoS2晶粒尺寸可达100μm。
- 一种具有SiV发光的单晶金刚石及其制备方法-201610865968.X
- 胡晓君;梅盈爽 - 浙江工业大学
- 2016-09-30 - 2019-05-31 - C30B25/00
- 本发明提供了一种具有SiV发光的单晶金刚石,其制备方法为:将经过清洗、干燥的单晶硅片放入热丝化学气相沉积设备中作为基底进行单晶金刚石的生长:以丙酮为碳源,采用氢气鼓泡的方式将丙酮带入到反应室中,氢气、丙酮流量比为200:40~90,热丝与单晶硅基底的距离为5~20mm,反应功率1600~2400W,反应室气压为1~5KPa,生长时间为2~8h,生长结束后在氢气气流中冷却至室温,即得产品;本发明方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作,且制得的单晶金刚石SiV发光强度高,对于实现其在单光子源、量子信息处理和生物标记等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。
- 一种制备大尺寸化合物块晶的装置-201821281687.0
- 张格梅 - 张格梅
- 2018-08-09 - 2019-04-02 - C30B25/00
- 本实用新型公开了一种制备大尺寸化合物块晶的装置。该设备包括金属液化系统、金属多级碎化系统、化合物反应系统及化合物晶粒沉积生长系统,金属液化系统设置在金属多级碎化系统的上方,化合物反应系统设置在金属多级碎化系统侧面,而化合物晶粒沉积生长系统设置在化合物反应系统的侧面。该设备具有效率高、寄生反应少、环境影响小的优点,使用此设备所制成的多元金属化合物块晶则具有大尺寸、高厚度和位错率低的特性,且位错率低,有效解决了使用其它设备,合成多元金属化合物块晶的生长速率低、尺寸小及微孔多等问题。
- 一种组合硅芯单元体、组合硅芯系统以及还原炉-201820241578.X
- 徐兰 - 徐兰
- 2018-02-11 - 2019-01-22 - C30B25/00
- 一种组合硅芯单元体,其包括组合硅芯和安装装置;组合硅芯包括至少三个硅芯单元,硅芯单元的第一侧组合在一起,相邻硅芯单元的第二侧之间具有间隙;安装装置包括安装座,安装座包括至少三个安装块,相邻安装块之间形成安装硅芯单元的单元安装槽。一种组合硅芯系统,其包括导电连接装置以及至少两个上述组合硅芯单元体,组合硅芯单元体通过导电连接装置连接。一种还原炉,其包括钟罩、底盘以及上述组合硅芯系统,组合硅芯系统安装于底盘。每个单元安装槽内安装独立的硅芯单元,一个安装座安装至少三个硅芯单元,增加单个安装座上与原料气发生化学反应的硅芯的表面积,提高晶体硅的沉积速度。
- 一种双频射频等离子体沉积单晶金刚石的方法-201811393584.8
- 陈广超;李佳君;刘浩;李震睿;徐锴;陈正佳 - 中国科学院大学
- 2018-11-21 - 2019-01-18 - C30B25/00
- 一种双频射频等离子体沉积单晶金刚石的方法,属于金刚石化学气相沉积技术领域。沉积腔的背底真空0.01~10Pa。反应气体为Ar,2~5slm,H2,1~3slm,CH4/H2,0.5~3%。单晶金刚石基底机械固定在钼沉积台上。样品表面在等离子体轴线以下0~30mm,距离等离子体发生器出口0~50mm。通入反应气体并激发等离子体,高频功率维持在1~3kW,频率为13.56MHz,低频功率维持在5~15kW,频率为4MHz。压强维持在5000~10000Pa,基底温度为700~1100℃。等离子体中有C2,CH,Hα,Hβ,Ar等基团;制备出表面积为5mm×5mm,厚度为180~330微米的单晶金刚石膜。优点在于,为化学气相沉积单晶金刚石提供一条新的途径。
- 一种系统集成制备多元金属化合物块晶的方法及装置-201810902696.5
- 张格梅 - 张格梅
- 2018-08-09 - 2019-01-11 - C30B25/00
- 本发明公开了一种系统集成制备多元金属化合物块晶的方法及装置。对源金属进行抽真空、高温熔融化处理,使其变成液态,保持恒温;让其形成细小液流,逐级进行碎化处理,逐步形成超细微的金属微滴;控制温度与压力,使超细微的金属微滴与反应气体进行反应,生成超细微化合物晶粒;使超细微化合物晶粒进入化合物沉积生长区,通过后续反应,均匀扩散,超细微的化合物晶粒缓慢下落,堆积在圆形沉积槽内,形成圆柱体化合物块晶。生成的化合物晶体为氮、氧、氢、碳、氯、氟、硼、硫基化合物块晶中的任一种。本方法具有效率高、寄生反应少、环境影响小、适用性广的优点,所制成的多元金属化合物块晶则具有大尺寸、高厚度的特性,且位错率低。
- 一种在石墨烯基底上制备酞菁铁单晶薄膜的方法-201811375515.4
- 窦卫东 - 绍兴文理学院
- 2018-11-19 - 2019-01-11 - C30B25/00
- 一种在石墨烯基底上制备酞菁铁单晶薄膜的方法,属于有机半导体技术领域。本发明通过化学气相沉积法在晶面为(111)的单晶镍片上制备单层单晶石墨烯,从而得到镍基石墨烯基底,然后在镍基石墨烯基底上利用热沉积法制备酞菁铁单晶薄膜,将酞菁铁单晶薄膜沉积到镍基石墨烯基底的表面。本发明实现了酞菁铁分子沿特定方向生长,形成具有纳米线状形貌的有机纳米晶畴,且酞菁铁分子以平躺形式分布在镍基石墨烯基底上,形成结构有序的单晶薄膜;本发明利用金属镍与石墨烯之间的电子耦合、以及该电子耦合体系与铁原子非闭合壳层d电子之间的相互作用,并通过选择合适的沉积速率制备出具有纳米线状形貌的酞菁铁晶畴。
- 一种气相法晶体生长用原料的提纯装置及其提纯方法-201610939929.X
- 司华青;霍晓青;郭文斌;张颖武;程红娟;徐永宽;张志鹏;于凯;练小正 - 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 2016-11-02 - 2018-12-14 - C30B25/00
- 本发明公开了一种气相法晶体生长用原料的提纯装置及其提纯方法。该装置为两端开口的石英管,在A端水平放置圆柱形支撑结构和衬底;盛放原料的小舟放置在B端,小舟与衬底间距为15~35cm;石英管两端开口处各使用一个带有进气口和出气口的法兰密封。采用该装置可以快速有效的对气相法晶体生长用原料进行提纯。通过采用高温和低温下两次恒温工艺,在一步提纯过程中,即可以去除原料中的低熔点杂质,同时实现高熔点杂质和原料的有效分离。提纯装置采用双法兰的设计保证了腔体内气流的可控性增强,保证了气相法晶体生长的原料的纯度,解决了气相法晶体生长中影响晶体质量和光电性能的关键问题。
- 微波等离子体化学气相沉积装置-201820639883.4
- 马懿;马修·L·斯卡林;朱金华;吴建新;缪勇;卢荻;艾永干;克里斯托弗·E·格里芬 - 苏州贝莱克晶钻科技有限公司
- 2018-05-02 - 2018-11-30 - C30B25/00
- 本申请公开了一种微波等离子体化学气相沉积装置,包括设置于谐振腔内的反射板和基板,反射板和基板相对设置,所述反射板上镂空有至少一窗口,该反射板至少背离所述基板的表面为电磁波反射面,所述基板面向所述窗口的一侧为一金刚石生长侧,所述基板的表面凸伸有至少一籽晶,每个所述籽晶分别对应于一所述窗口内,所述反射板和基板相对谐振腔在竖直方向位移可调。本实用新型通过双升降结构,不仅可以控制等离子在腔体内上下高度可以调节,而且籽晶相对于等离子的位置也亦可以调节。此方法可以很好的控制等离子在腔体内垂直方向的位置,也可以很好的控制籽晶生长环境的稳定性。
- 用于将氧化锌沉积在衬底上的方法-201680042346.5
- 安东·赖泽尔;曼弗雷德·马德尔;弗洛里安·胡贝尔;克劳斯·托恩克 - 乌尔姆大学
- 2016-05-20 - 2018-07-31 - C30B25/00
- 本发明涉及一种用于将氧化锌沉积在衬底上的方法,其中氧化锌用作源材料。在此,在第一阶段中,氧化锌还原成元素锌,原位产生的元素锌蒸汽状地引至待覆层的衬底并且在那里暴露于氧化气氛。在此,进行氧化锌在衬底的表面上的沉积。本发明的特征在于,将甲烷或另一还原剂用于将用作源材料的氧化锌还原成元素锌,所述另一还原剂在还原时占优的条件下通过热分解释放甲烷和/或甲基自由基。所产生的锌气体流在反应器的另一部分中在输送氧气或其他氧化性物质的条件下直接用于沉积结晶的氧化锌层。
- 一种使用源金属制备多元化合物块晶的装置及方法-201810380448.9
- 张格梅 - 张格梅
- 2018-04-25 - 2018-07-13 - C30B25/00
- 本发明公开了一种使用源金属制备多元化合物块晶的装置及方法,所述源金属液化器位于高压气液混合雾化器之上,所述高压气液混合雾化器位于金属液回收系统之上,所述筛选器位于金属液回收系统的中部及以上,所述颗粒预处理器的进口与筛选器的出口连接,所述颗粒预处理器的出口与化合物反应器的入口相连,所述沉积生长器位于化合物反应器的底部。本发明使用高纯度源金属,使其熔化、液化,对液态金属通过气液混合、高压雾化,使液态金属转化为超细微的金属微滴。超细微的金属微滴进入化学物反应器,与反应气体进行反应,使其转化成化合物晶粒,而后堆积、热生长在设定的沉积槽(有衬底或无衬底)内,形成化合物块状晶体。
- 一种超细金刚石单晶微粉的制备方法-201410390630.4
- 孙方宏;张韬;张文骅;沈彬;郭睿;张志明;郭松寿 - 上海交通大学;上海交友钻石涂层有限公司;苏州交钻纳米超硬薄膜有限公司
- 2014-08-08 - 2018-05-29 - C30B25/00
- 本发明公开了一种超细金刚石单晶微粉的制备方法,包括以下步骤:以机械破碎法得到的金刚石微粉作为籽晶,采用光刻胶超声振动均匀分散金刚石晶种工艺,将籽晶均散在硅基衬底表面,金刚石微粉的粒度为M0/1~M6/12;应用热丝化学气相沉积法对经过播种籽晶的硅基衬底进行沉积,获得金刚石单晶颗粒;采用化学腐蚀硅基衬底结合高速离心沉降颗粒工艺处理获得的金刚石单晶颗粒,以获得超细单晶金刚石微粉。采用本发明可以获得超细金刚石单晶微粉。
- 一种对衬底加电调控薄膜材料生长的装置-201611203602.2
- 刘忠范;孙禄钊;张金灿;林立;彭海琳 - 北京大学
- 2016-12-23 - 2018-05-25 - C30B25/00
- 本发明公开了一种对衬底加电调控薄膜材料生长的装置。该装置为在现有的化学气相沉积反应装置的基础上增加衬底通电系统;所述衬底通电系统包括导电线路、金属极板、插头和电源;所述金属极板位于CVD反应腔内;所述插头和电源位于CVD反应腔外;所述金属极板通过所述导电线路与所述插头和电源相连。利用该装置可对导电衬底加正负静电荷或电流,对绝缘衬底进行极化从而在其表面可控地产生静电荷,从而达到调控任意生长衬底的电势、吸附性、电子能态和催化活性。利用该装置及生长方法,可以在薄膜材料制备过程中方便地控制其单晶大小、均匀度、掺杂浓度、层数、层间堆垛方式及扭转角度、手性、洁净度等。
- 一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置-201721355385.9
- 吴亮;黄嘉丽;王智昊;贺广东;王琦琨;龚加玮;雷丹 - 苏州奥趋光电技术有限公司
- 2017-10-20 - 2018-04-24 - C30B25/00
- 本实用新型公开了一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置,包括用于放置氮化铝粉源或氮化铝烧结体的坩埚本体、盖设于坩埚本体顶部的坩埚盖、固设于坩埚盖的内表面的籽晶台、上端固定在籽晶台上的导流罩,导流罩沿远离籽晶台的方向向下逐渐径向张开。本实用新型一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置,通过设置沿远离籽晶台的方向向下逐渐径向张开的导流罩,使气体集中往籽晶台中心部位传输,有效的抑制了籽晶周围多晶的形成,解决了坩埚盖与坩埚本体由于晶体粘结而难打开的问题;同时,通过将籽晶台抵接在坩埚盖内表面,籽晶台通过坩埚盖与外界传热散热,降低了籽晶台的中心温度,提高了籽晶台与氮化铝粉源之间长晶的温差,提高了长晶的速率。
- 一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置-201710983618.8
- 吴亮;黄嘉丽;王智昊;贺广东;王琦琨;龚加玮;雷丹 - 苏州奥趋光电技术有限公司
- 2017-10-20 - 2018-02-23 - C30B25/00
- 本发明公开了一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置,包括用于放置氮化铝粉源或氮化铝烧结体的坩埚本体、盖设于坩埚本体顶部的坩埚盖、固设于坩埚盖的内表面的籽晶台、上端固定在籽晶台上的导流罩,导流罩沿远离籽晶台的方向向下逐渐径向张开。本发明一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置,通过设置沿远离籽晶台的方向向下逐渐径向张开的导流罩,使气体集中往籽晶台中心部位传输,有效的抑制了籽晶周围多晶的形成,解决了坩埚盖与坩埚本体由于晶体粘结而难打开的问题;同时,通过将籽晶台抵接在坩埚盖内表面,籽晶台通过坩埚盖与外界传热散热,降低了籽晶台的中心温度,提高了籽晶台与氮化铝粉源之间长晶的温差,提高了长晶的速率。
- 一种连续制备大单晶石墨烯的方法-201610193137.2
- 徐小志;张智宏;俞大鹏;王恩哥;刘开辉 - 北京大学
- 2016-03-30 - 2018-02-13 - C30B25/00
- 本发明提供了一种连续制备大单晶石墨烯的方法,涉及大单晶石墨烯的制备方法。其主要特征为用铜箔作为催化剂及生长基底,利用两个常压化学气相沉积设备将铜箔退火和石墨烯生长分开进行,通过两端的转动装置,连续获得大尺寸高质量的石墨烯。本发明提出的方法,解决了CVD方法制备的石墨烯单晶尺寸小、价格昂贵、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题,通过非常简单的方法,实现了连续制备大单晶石墨烯样品。
- 一种螺旋状GaN单晶纳米线及其制备方法-201510353880.5
- 简基康;程章勇;郭洁 - 广东工业大学
- 2015-06-25 - 2018-02-02 - C30B25/00
- 本发明涉及一种螺旋状GaN单晶纳米线及其制备方法,属于半导体纳米材料生产技术领域;本方法是利用化学气相沉积法制备螺旋状GaN纳米线,称取适量的金属Ga盛放在陶瓷舟中,将其置于水平管式炉的中间部位,称取适量MoCl5盛放在陶瓷舟中,置于距中心温区20~30cm的上游位置,同时在距中心温区20~25cm位置处放置已镀金处理的Si衬底,密封水平管式炉;启动真空系统,炉内真空度至1×10‑3Pa时;通入Ar气,加热保温,将Ar气调至10sccm,同时扭开氨气气流阀通入氨气,反应进行1~2h后,断开氨气并冷却至室温,最后在Si衬底上收集一层沉积物,即为螺旋状GaN单晶纳米线;本方法易于实现、工艺简易、成本较低。
- 一种十字架结构氟钛酸-201510078965.7
- 吴天星;汪国忠;张显;秦楠楠;张云霞;赵惠军 - 中国科学院合肥物质科学研究院
- 2015-02-12 - 2018-01-09 - C30B25/00
- 本发明公开了十字架结构氟钛酸(HTiOF3)晶体,其主要是利用富含羟基和氨基的壳聚糖/聚乙烯醇复合纤维吸附Ti4+后,在气相水热条件下与氢氟酸的水蒸气反应。这种方法制备过程简单,且不需要复杂的后处理过程。另外,该制备工艺反应时间短,反应条件易于控制,为研究晶体形貌的调控提供了科学依据。
- 采用闭管化学气相传输方式生长Ga2O3单晶的方法-201610333352.8
- 苏杰;刘彤;刘京明;赵有文 - 中国科学院半导体研究所
- 2016-05-19 - 2017-11-28 - C30B25/00
- 一种采用闭管化学气相传输方式生长Ga2O3单晶的方法,包括在封闭的石英管内,一端放入Ga2O3粉末作为源,另一端放入生长Ga2O3的籽晶;控制源区与生长区的温度分布来实现源区至生长区的气相传输,生长Ga2O3单晶。而且,生长过程中在所述源中放入的碳粉。本发明方法中,从生长过程来看,闭管化学气相传输方式比物理气相传输的生长温度低,碳粉的加入更使石英管内分解产物的蒸气压增大,生长速率加快,因而生长的成本比较低。
- 生产白色单晶金刚石的方法-201080069657.3
- 得维·尚卡尔·米斯拉 - 二A科技有限公司
- 2010-10-11 - 2017-06-20 - C30B25/00
- 本申请详细公开了微波等离子化学气相沉积工艺,所述工艺使用氮和乙硼烷,同时结合甲烷和氢气,以生长白色金刚石。本发明包括在金刚石生长过程中使用氮以避免在CVD金刚石样品中产生夹杂物和杂质以及使用乙硼烷来提高色度。本申请还发现将这样生长的金刚石加热至2000℃由于样品中氮和硼中心的补偿使得色度显著提高。基于CVD金刚石的谱带图解释金刚石中的各种不同的颜色的产生。
- 一种二维纳米SnSe2晶体材料的制备方法-201510437401.8
- 张骐;周兴;甘霖;翟天佑 - 华中科技大学
- 2015-07-23 - 2017-05-10 - C30B25/00
- 本发明公开了一种二维纳米SnSe2晶体材料的制备方法,采用化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的SnSe2晶体;其中,沉积设备为水平管式炉,顺序设有上游低温区、中心温区以及下游低温区,所述单质硒和卤化锡分别独立但紧靠放置于上游低温区,所述衬底放置于下游低温区;利用不同温区的温度差,单质硒蒸汽和卤化锡蒸汽形成于上游低温区;两者反应生成SnSe2,并通过沉积载气带入下游温区,在衬底上沉积成为二维纳米SnSe2晶体材料。利用本发明方法,制备出了厚度均匀形态一致的二维纳米SnSe2晶体材料,厚度为3~10个原子层(1~3层SnSe2的厚度),在电子器件的应用中具有广阔前景。
- 线的气相合成-201180034310.X
- L.萨穆尔森;M.霍伊林;M.马格努森;K.德珀特 - 昆南诺股份有限公司
- 2011-05-11 - 2017-03-29 - C30B25/00
- 本发明提供一种用于形成线(1)的方法和系统,其使得能够大规模过程以及具有与使用基于基底的合成所形成的线相当的高结构复杂性和材料品质。在反应器内线(1)由悬浮于气体中的催化种子颗粒(2)生长。由于模块方法,在连续过程中可形成具有不同构造的线(1)。监测和/或分类颗粒和/或形成的线的原位分析使得能够进行有效的过程控制。
- 一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用-201510174079.4
- 刘津欣;王凌翔 - 武汉大学
- 2015-04-10 - 2017-03-15 - C30B25/00
- 本发明公开了一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用。在惰性气氛中,借助常见的可与硫族单质(S,Se)反应的金属和氢气辅助控制体系中S或Se的浓度,以达到控制过渡金属层硫化或硒化程度的目的,利用化学气相沉积方法可控地生长TMDs单晶;将沉积时的温度控制为750℃至850℃,并且沉积时间控制为5至15分钟,完成TMDs单晶的制备;其中通过对基底溅射处理方法、硫族单质粉末用量、吸S/Se金属面积和种类、氢气浓度、生长温度、生长时间等制备参数的优化,实现对高质量二维过渡金属二硫族化合物单晶结构的严格控制。
- 一种超声提高二维材料单晶化学气相输运生长质量的方法-201510090428.4
- 张芷铭;邱俊 - 安庆美晶新材料有限公司
- 2015-02-28 - 2015-05-20 - C30B25/00
- 本发明提供了一种超声提高二维材料单晶化学气相输运生长质量的方法。通过将装有多晶粉末材料和转移剂材料的石英管上端封口后放入超声清洗机进行清洗,使得部分吸附在石英管上端的多晶粉末材料与管壁分离并集中在石英管底部,能够有效地提高单晶生长的质量和效率。
- 具有可调节属性的纳米线的高吞吐量连续气相合成-201380018747.3
- M.霍伊尔林;M.H.芒努松;K.德佩尔特;L.萨米尔森 - 昆南诺股份有限公司
- 2013-02-01 - 2015-01-21 - C30B25/00
- 一种用于形成线的方法,其包括提供悬浮在气体中的催化种子粒子,提供包括要形成的线的成分的气体前体以及从所述催化种子粒子生长线。所述线可以在425和525C之间的温度范围内生长并且可以具有纯闪锌矿结构。所述线可以是具有V族终止表面和<111>B晶体生长方向的III-V半导体纳米线。
- 专利分类