[发明专利]碳化硅半导体装置

摘要

碳化硅半导体装置具备元件分离层(14)和电场缓和层(15)。元件分离层在主单元区域(Rm)与感测单元区域(Rs)之间，从基极区域(3)的表面形成至比所述基极区域更深，分离为所述主单元区域侧和所述感测单元区域侧。电场缓和层从所述基极区域的底部形成至比所述元件分离层更深的位置。所述电场缓和层被分离为所述主单元区域侧和所述感测单元区域侧，在所述电场缓和层的分离部分的内侧配置有所述元件分离层的至少一部分。

主权项

一种碳化硅半导体装置，在主单元区域（Rm）以及感测单元区域（Rs）分别具备MOSFET，即金属‑氧化物半导体场效应晶体管，该MOSFET具有：半导体基板（1、2），由第1导电型的碳化硅构成，背面侧为高浓度杂质层（1），并且表面侧为杂质浓度比所述高浓度杂质层低的漂移层（2）；基极区域（3），由在所述漂移层（2）之上形成的第2导电型的碳化硅构成；源极区域（4），形成于所述基极区域的上层部，由杂质浓度比所述漂移层高的第1导电型的碳化硅构成；栅极绝缘膜（7），形成于沟道区域的表面，所述沟道区域的表面构成于所述基极区域之中的位于所述源极区域与所述漂移层之间的部分的、表层部或表面上；栅电极（8），形成于所述栅极绝缘膜的表面；源电极（10），与所述源极区域电连接；以及漏电极（12），与所述半导体基板的背面侧的所述高浓度杂质层电连接，并且，所述碳化硅半导体装置具有：元件分离层（14），在所述主单元区域与所述感测单元区域之间，从所述基极区域的表面形成至比所述基极区域更深，且分离为所述主单元区域侧和所述感测单元区域侧；以及第2导电型的电场缓和层（15），从所述基极区域的底部形成至比所述元件分离层更深的位置，所述电场缓和层被分离为所述主单元区域侧和所述感测单元区域侧，在所述电场缓和层的分离部分的内侧配置有所述元件分离层的至少一部分。