[发明专利]一种改善半导体芯片封装可靠性的结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310546187.0 | 申请日： | 2013-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103531579B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 冯建中;唐冕 | 申请（专利权）人： | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司11260 | 代理人： | 郑立明,赵镇勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善半导体芯片封装可靠性的结构及其制备方法，该结构层从上至下包括玻璃层、支撑结构层、空腔层、硅基层、金属层与阻焊层，其中，所述支撑结构层、硅基层与金属层的边缘被所述阻焊层包裹；且该结构的边缘仅包括所述玻璃层与所述阻焊层。通过采用本发明提供的结构及其制备方法，有效的降低了芯片的损坏率，提高了良率；且降低了切割时的刀具磨损率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 半导体 芯片 封装 可靠性 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种改善半导体芯片封装可靠性的结构，该结构层从上至下包括玻璃层、支撑结构层及空腔层、硅基层、金属层与阻焊层，其特征在于，所述空腔层位于所述支撑结构层的中间，所述支撑结构层、硅基层与金属层的边缘被所述阻焊层包裹；且该结构的边缘仅包括所述玻璃层与所述阻焊层；所述阻焊层的边缘短于所述玻璃层，使得所述阻焊层与所述玻璃层的边缘形成一蚀刻凹槽。
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