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[发明专利]外延处理腔室中的多区灯加热和温度监测-CN202280017051.8在审
发明人：石川哲也;斯瓦米纳坦•T•斯里尼瓦桑;卡蒂克•布彭德拉•仙;阿拉•莫拉迪亚;曼朱纳特•苏班纳;马蒂亚斯·鲍尔;彼得·赖默;迈克尔·R·赖斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-04-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本公开内容一般涉及用于处理半导体基板的外延腔室。在一个示例中，该外延腔室具有腔室主体组件。该腔室主体组件包括下部窗口和上部窗口，其中该腔室主体组件、该下部窗口和该上部窗口包围内部空间。基座组件设置在该内部空间中。该外延腔室也具有多个温度控制元件。该多个温度控制元件包括上部灯模块、下部灯模块、上部加热器、下部加热器或加热气体通道中的一者或多者。
外延处理中的多区灯加热和温度监测

[发明专利]一种外延生长装置及其加热组件-CN202310951497.4在审
发明人：张盼锋;俎世琦;张海博;王迪;王娜 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本公开提供一种外延生长装置及其加热组件，该加热组件用于加热所述外延生长装置内的硅片；所述加热组件包括至少一组加热灯组、及用于反射所述加热灯组的热辐射的至少一组反射板；所述反射板包括第一反射区和第二反射区，所述第一反射区被配置为将热辐射反射至沿着所述硅片的径向方向上的预定区域，所述第二反射区被配置为将热辐射反射至所述硅片中除所述预定区域之外的其他区域，所述第一反射区的反射率大于所述第二反射区的反射率。本公开实施例提供的外延生长装置及其加热组件，能够提高外延片电阻率均匀性。
一种外延生长装置及其加热组件

[发明专利]碳化硅外延用上半月加热座和碳化硅外延用石墨件-CN202310749399.2在审
发明人：尹志鹏 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅外延用上半月加热座和碳化硅外延用石墨件，所述碳化硅外延用上半月加热座包括上座体，上座体底部开设有凹槽，凹槽呈圆形，凹槽的半径比衬底的半径大预设尺寸。所述碳化硅外延用石墨件包括下半月加热座和上述的上半月加热座，下半月加热座上侧开设有托盘槽，托盘槽呈圆形，内部适于放置衬底；上半月加热座盖设在下半月加热座上侧，凹槽与托盘槽对齐。本发明提供的碳化硅外延用上半月加热座和碳化硅外延用石墨件能够通过开设在上半月加热座上的凹槽，改变衬底上方的温度场，进而抑制3C‑SiC在衬底所在区域上方的上座体上的沉积，从根本上抑制掉落物的产生，最终降低碳化硅表面缺陷数量，提升碳化硅外延片以及器件良率。
碳化硅外延用上半月加热石墨

[发明专利]一种碳化硅外延设备用加热器定位治具及使用方法-CN202310281979.3在审
发明人：卢勇;蒲勇;施建新;赵鹏;蒋家旺 -专利权人：芯三代半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本申请公开一种碳化硅外延设备用加热器定位治具及使用方法。该定位治具包括提手组件、底板、滚轮组件、支撑组件、支撑平台，电极定位块及压紧部件；底板上设置有底部定位块，底板上设置有安装孔，该支撑组件包括复数支撑杆，该支撑杆的侧端嵌入该安装孔，另一侧连接支撑平台。该底板上有滚轮组件。电极定位块放置于支撑平台上，用于定位电极。该提手部件的两侧具有固定部，其用于与电极的第二端，且固定部间的距离与电极的两个第二端间的距离相同或大致相同，这样，固定部分别与电极的第二端固定后，通过提手部件取出对应的加热器，能保证加热器与电极之间的位置关系，且避免转运途中加热器受力不均匀。该方式提高加热器组件的维护或更换效率。
一种碳化硅外延备用加热器定位使用方法

[发明专利]生产金刚石的方法-CN202180070064.7在审
发明人：贾耶什库马尔·迪拉杰拉尔·米斯特里;阿布舍克·贾耶什库马尔·米斯特里 -专利权人：贾耶什库马尔·迪拉杰拉尔·米斯特里;阿布舍克·贾耶什库马尔·米斯特里
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)来生产金刚石的方法。该方法在处于氢等离子体气氛下的具有金刚石籽晶的腔室中使用校准气体，该校准气体包括每单位氢气3％至12％的氩气、每单位氢气1％以下的氧气，和500ppm以下的氮气的混合物。
生产金刚石方法

[实用新型]一种用于异型阀的加热保温装置-CN202223187860.X有效
发明人：秦大元;骆海婧;林昉玮 -专利权人：摩尔机电工程无锡有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于异型阀的加热保温装置，包括有主包裹模块、横向包裹模块和异型包裹模块，其中主包裹模块为中空矩形结构，底部设置有开口，一侧连接有横向包裹模块，另一侧设置有线路穿过的通孔；异型包裹模块成倒L型，设置在主包裹模块的正前方，与主包裹模块连通，本申请通过主包裹模块、横向包裹模块和异型包裹模块三部分的设置，将异型阀的多个异型分支完全包裹在内，实现对异型阀的加热以及保温的功能。
一种用于异型加热保温装置

[实用新型]用于成膜装置的热场保温组件及立式成膜装置-CN202320031838.1有效
发明人：刘鹏;徐文立;沈磊 -专利权人：宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了用于成膜装置的热场保温组件及立式成膜装置，通过在热场外周设置由内、外保温筒叠套组成的组合式保温筒结构，可包裹与热场中所有发热体相连的所有石墨电极的周边区域，内保温筒可遮挡每个石墨电极的轴向延伸大部分区域，减少石墨电极的受热面积，进而减少热场热量向四周流失；外保温筒可进一步阻隔热场的横向热量传递，减少热场热量通过反应室的金属腔壁向外部传导流失。同时，通过在热场顶部安装圆环形保温盖，可避免热场热量向上散出，石墨电极与金属电极的连接处的顶部通过圆环形保温盖的外缘遮挡，能够有效避免石墨电极与金属电极连接处的热量散失。本实用新型能够有效降低石墨电极对热场升温以及温度分布的影响。
用于装置保温组件立式

[发明专利]外延设备及其清洁工艺的温度控制方法-CN202310311873.3有效
发明人：陈佳伟 -专利权人：江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延设备及其清洁工艺的温度控制方法，所述外延设备包括腔体、加热组件、测温装置及温控装置，所述测温组件用于实时探测所述腔体中同一部件多个位置处的温度值，所述温控装置用于根据所述部件多个位置处的实时的温度值计算所述部件的时变温度均值，并根据所述时变温度均值实时动态调节所述加热组件的加热功率，以保证所述部件的温度稳定在预设温度阈值内。本发明通过获取该部件多个位置处的温度值而获得能够相对均衡、精确的表征该部件物理结构表面同一时钟周期的温度，进而可以稳定控制该部件的温度，达到彻底清洁该部件的目的。
外延设备及其清洁工艺温度控制方法

[实用新型]承载装置以及MOCVD设备-CN202320253130.0有效
发明人：吕青;李瑞;施广涛;胡启凡 -专利权人：中晟光电设备（上海）股份有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本实用新型属于金属有机物化学气相沉积设备技术领域，公开了一种承载装置以及MOCVD设备，MOCVD设备包括承载装置，承载装置包括壳体、承载机构、加热机构和吹扫机构；承载机构设置于壳体的开口处，承载机构的一侧设有载片；加热机构设置于壳体内，加热机构的一侧设置于承载机构的另一侧，加热机构用于对载片进行加热；吹扫机构设置于壳体内并位于加热机构的另一侧，吹扫机构的一端连通于外部供气装置，另一端穿设于加热机构并朝向承载机构，吹扫机构能将外部供气装置中的气体吹至载片的局部过热区域。通过上述结构能够实现局部温度的调节，进而提高温场均匀性，获得高质量的晶体。
承载装置以及 mocvd 设备

[发明专利]气相生长装置以及磊晶晶圆的制造方法-CN202180059348.6在审
发明人：岡部晃 -专利权人：爱必克股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：一种气相生长装置，在承载盘的周围设置预热环。通过承载盘位置变更机构使承载盘升降，而能够变更反应容器本体内的承载盘的高度方向保持位置地加以构成。再者，设置预热环位置变更机构，其以跟随承载盘的高度方向保持位置的变更的方式，而基于预热环的升降变更反应容器本体内的预热环的高度方向保持位置。即使变更承载盘保持位置，由于能够使预热环与基板在高度方向上的位置偏差变小，故能够有效地降低由预热环对基板外围部分的均衡加热效果的不足、能够有效地降低由基板主表面与预热环的落差所引起的原料气体流动的紊乱。
相生装置以及磊晶晶圆制造方法

[发明专利]一种具有可伸入腔体的多通道功能轴的立式成膜设备-CN202211670502.6在审
发明人：刘鹏;徐文立;高炀;沈磊 -专利权人：宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明公开一种具有可伸入腔体的多通道功能轴的立式成膜设备，涉及半导体生产设备技术领域，主要结构包括进气室、反应室、套筒流道、搬运系统、基座、旋转室和旋转轴；旋转轴为中空轴，旋转轴内同轴的设置有一多通道功能轴；提升杆贯穿多通道功能轴；多通道功能轴伸入基座内的一端设置有多个开孔。本发明中的具有可伸入腔体的多通道功能轴的立式成膜设备，在基座内设置进气管，通入保护气体使基座内外分离，相较覆盖件遮挡更为全面有效。保持基座内保护气体向外溢出，减少外部反应气体进入基座内部，从而降低基座内发热体受到外部气体影响并延长使用寿命，同时保证成膜过程中热场的稳定性，降低更换频率可提高生产效率。
一种具有可伸入腔体通道功能立式设备

[发明专利]一种用于延长气相生长基座内热场寿命的结构-CN202211545284.3在审
发明人：刘鹏;徐文立;沈磊 -专利权人：宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明公开一种用于延长气相生长基座内热场寿命的结构，涉及半导体生产设备技术领域，包括进气室、反应室和基座；进气室底部设置有反应室，且进气室与反应室相连通；基座位于反应室内下部，且基座位于进气室正下方；基座顶部用于承托晶片；基座内设置有基座热场，基座热场用于对晶片加热；反应室底部设置有排气口；还包括顶端伸入基座的进气管，进气管的底端与一供气机构相连通；基座的底部设置有出气口。横向开口进气管和纵向开口进气管，分别对石墨电极和石英固定板的连接处以及发热体进行吹扫，降低基座内发热体受到外部气体影响并延长使用寿命，同时保证成膜过程中热场的稳定性，降低更换频率可提高生产效率。
一种用于延长相生基座内热寿命结构

[发明专利]一种成膜装置晶片加热热场-CN202211545297.0在审
发明人：刘鹏;徐文立;沈磊 -专利权人：宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明公开一种成膜装置晶片加热热场，涉及半导体生产设备技术领域，包括进气室、反应室和基座；所述进气室底部设置有所述反应室，且所述进气室与所述反应室相连通；所述基座位于所述反应室内下部，且所述基座位于所述进气室正下方；所述基座顶部用于承托晶片；所述基座内设置有基座热场，所述基座热场用于对所述晶片加热；所述反应室底部设置有排气口。本发明中的成膜装置晶片加热热场，热场置于基座内部可以确保晶片的升温效率，避免外周部气体流动的影响。基座内部热场发热面正对晶片背面，由多个发热体共同组成，尽可能增大发热面且面内各处保持相同的发热量。
一种装置晶片热热

[发明专利]用于成膜装置的热场保温组件及立式成膜装置-CN202310018351.4在审
发明人：刘鹏;徐文立;沈磊 -专利权人：宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明公开了用于成膜装置的热场保温组件及立式成膜装置，通过在热场外周设置由内、外保温筒叠套组成的组合式保温筒结构，可包裹与热场中所有发热体相连的所有石墨电极的周边区域，内保温筒可遮挡每个石墨电极的轴向延伸大部分区域，减少石墨电极的受热面积，进而减少热场热量向四周流失；外保温筒可进一步阻隔热场的横向热量传递，减少热场热量通过反应室的金属腔壁向立式成膜装置外部传导流失。同时，通过在热场顶部安装圆环形保温盖，可避免热场热量向上散出，石墨电极与金属电极的连接处的顶部通过圆环形保温盖的外缘遮挡，能够有效避免石墨电极与金属电极连接处的热量散失。本发明能够有效降低石墨电极对热场升温以及温度分布的影响。
用于装置保温组件立式

[实用新型]一种水冷电极装置及搭载其的单晶薄膜装置-CN202122834066.9有效
发明人：蒲勇;赵鹏;卢勇;施建新 -专利权人：芯三代半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本申请公开一种水冷电极装置及单晶薄膜装置。该水冷电极装置具有复数子电极板，所述子电极板内具有腔体，复数所述子电极板拼接呈圆形或四方形，每个所述子电极板的一侧配置有中空的延长电极，所述子电极板的远离所述延长电极的一侧用以连接加热器电极，且所述延长电极的远离所述子电极板侧设有进水口及出水口，所述出水口配置于延长电极的轴向，所述进水口配置于延长电极的径向上。该水冷电极装置由若干个扇形子电极组合而成(如组合呈圆形)。通过水冷电极装置的设计，通过冷却可以减少子电极板形变，这样加热器能够更可靠的工作。
一种水冷电极装置搭载薄膜

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